Para se projetar um pixel de memória flash, não volátil,...

Questão Q413784

2012 FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Prova: Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC - Analista Administrativo Área Engenharia Elétrica (ETEA - ESPCON) - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) do ano 2012 • Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

Para se projetar um pixel de memória flash, não volátil, com dimensões mínimas compatível com tecnologia CMOS é necessário

A ter uma porta flutuante e uma porta de controle para se obter o tunelamento de portadores de carga. B ter duas portas flutuantes para a troca de portadores de carga entre elas. C acrescentar uma janela óptica no encapsulamento para a interação com a radiação ultra-violeta (UV). D utilizar MOSFETs modo depleção do canal ao invés de MOSFETs modo enriquecimento do canal. E utilizar tecnologia SOI (Silicon-on-Insulator).

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