Em um transistor PMOS de efeito de campo de um processo C...

A a região do dreno deve ser mais dopada que a da fonte. B a região da fonte deve ser mais dopada que a do dreno. C dreno e fonte devem ser fortemente dopados com fósforo. D dreno e fonte são alinhados pela respectiva porta, não necessitando de máscara litográfica específica. E a mobilidade dos portadores de carga no canal é maior que a dos portadores no canal de um NMOS com as mesmas dimensões.