Questões sobre Microeletrônica

A difusão das ferramentas de processamento da informação na sociedade moderna, juntamente com a crescente complexidade dos dispositivos, circuitos e dos processos de fabricação das tecnologias da informação, tem levado à crescente automação dos ambientes industriais nessa área, especialmente no que se refere à aquisição de dados. Acerca desse assunto, julgue os itens subseqüentes.

Um dos fatores limitantes à implantação de sistemas de aquisição de dados em ambientes de fabricação nas tecnologias microeletrônicas é a necessidade de desenvolvimento de linguagens e procedimentos de programação específicos, o que implica sensível elevação de custos.

Materiais semicondutores são a base da tecnologia microeletrônica há décadas e, ao que tudo indica, essa situação não se alterará no futuro próximo. Diversas técnicas de caracterização são empregadas para o necessário controle detalhado das propriedades elétricas desses materiais. Uma estrutura de teste freqüentemente empregada é o capacitor MOS (metal-óxido-semicondutor), cujas características elétricas permitem inferir uma série de dados a respeito do substrato semicondutor e da interface óxidosemicondutor. A respeito de características de um capacitor MOS em substrato tipo P que podem ser empregadas na caracterização elétrica de semicondutores, julgue os itens que se seguem.

A capacitância do dispositivo, quando se aplica ao metal potencial elétrico menor que o aplicado ao substrato, é aproximadamente constante (independente do valor de tensão), e determinada apenas pela espessura e permissividade do material isolante, como no capacitor convencional de placas paralelas.

Materiais semicondutores são a base da tecnologia microeletrônica há décadas e, ao que tudo indica, essa situação não se alterará no futuro próximo. Diversas técnicas de caracterização são empregadas para o necessário controle detalhado das propriedades elétricas desses materiais. Uma estrutura de teste freqüentemente empregada é o capacitor MOS (metal-óxido-semicondutor), cujas características elétricas permitem inferir uma série de dados a respeito do substrato semicondutor e da interface óxidosemicondutor. A respeito de características de um capacitor MOS em substrato tipo P que podem ser empregadas na caracterização elétrica de semicondutores, julgue os itens que se seguem.

Uma tensão negativa aplicada ao metal em relação à aplicada ao substrato coloca o material em uma condição conhecida como inversão.

Materiais semicondutores são a base da tecnologia microeletrônica há décadas e, ao que tudo indica, essa situação não se alterará no futuro próximo. Diversas técnicas de caracterização são empregadas para o necessário controle detalhado das propriedades elétricas desses materiais. Uma estrutura de teste freqüentemente empregada é o capacitor MOS (metal-óxido-semicondutor), cujas características elétricas permitem inferir uma série de dados a respeito do substrato semicondutor e da interface óxidosemicondutor. A respeito de características de um capacitor MOS em substrato tipo P que podem ser empregadas na caracterização elétrica de semicondutores, julgue os itens que se seguem.

A capacitância da estrutura diminui quando são aplicados pequenos valores de tensão positiva. Isso ocorre porque uma camada de depleção no material semicondutor funciona como uma capacitância adicional em série.

Materiais semicondutores são a base da tecnologia microeletrônica há décadas e, ao que tudo indica, essa situação não se alterará no futuro próximo. Diversas técnicas de caracterização são empregadas para o necessário controle detalhado das propriedades elétricas desses materiais. Uma estrutura de teste freqüentemente empregada é o capacitor MOS (metal-óxido-semicondutor), cujas características elétricas permitem inferir uma série de dados a respeito do substrato semicondutor e da interface óxidosemicondutor. A respeito de características de um capacitor MOS em substrato tipo P que podem ser empregadas na caracterização elétrica de semicondutores, julgue os itens que se seguem.

Quando esse capacitor é polarizado na região de inversão forte, a capacitância varia com a freqüência do sinal de teste. Essa variação fornece informações sobre o tempo de vida de portadores minoritários no substrato.