Questões sobre Eletrônica Analógica

Na fabricação de circuitos integrados, que são constituídos a partir da interligação de diversos componentes construídos em um substrato comum, as interconexões físicas entre dispositivos são de extrema importância, pois o desempenho final do circuito é fortemente influenciado pelas propriedades das interconexões. A evolução tecnológica na atualidade dá-se na direção de materiais de alta condutividade, materiais dielétricos de alta e de baixa permissividade e materiais adequados à realização de contatos elétricos, entre outros. A respeito desse assunto, julgue os itens subseqüentes.

A janela de contato em uma tecnologia CMOS-VLSI tem dimensões reduzidas e inalteráveis. Tal fato resulta em severo obstáculo à otimização da resistência dos contatos elétricos.

Na fabricação de circuitos integrados, que são constituídos a partir da interligação de diversos componentes construídos em um substrato comum, as interconexões físicas entre dispositivos são de extrema importância, pois o desempenho final do circuito é fortemente influenciado pelas propriedades das interconexões. A evolução tecnológica na atualidade dá-se na direção de materiais de alta condutividade, materiais dielétricos de alta e de baixa permissividade e materiais adequados à realização de contatos elétricos, entre outros. A respeito desse assunto, julgue os itens subseqüentes.

A escolha de materiais para interconexões em tecnologias VLSI deve considerar, além do comportamento elétrico, o comportamento térmico, o comportamento mecânico, a reatividade química e a plasticidade, entre outros fatores.

Na fabricação de circuitos integrados, que são constituídos a partir da interligação de diversos componentes construídos em um substrato comum, as interconexões físicas entre dispositivos são de extrema importância, pois o desempenho final do circuito é fortemente influenciado pelas propriedades das interconexões. A evolução tecnológica na atualidade dá-se na direção de materiais de alta condutividade, materiais dielétricos de alta e de baixa permissividade e materiais adequados à realização de contatos elétricos, entre outros. A respeito desse assunto, julgue os itens subseqüentes.

As dimensões dos contatos elétricos em tecnologias VLSI requerem o uso de processos úmidos de corrosão para que as suas especificações sejam atingidas.

Na fabricação de circuitos integrados, que são constituídos a partir da interligação de diversos componentes construídos em um substrato comum, as interconexões físicas entre dispositivos são de extrema importância, pois o desempenho final do circuito é fortemente influenciado pelas propriedades das interconexões. A evolução tecnológica na atualidade dá-se na direção de materiais de alta condutividade, materiais dielétricos de alta e de baixa permissividade e materiais adequados à realização de contatos elétricos, entre outros. A respeito desse assunto, julgue os itens subseqüentes.

As restrições dimensionais para as camadas de dielétricos intermetais em tecnologias VLSI, com múltiplos níveis de interconexão, podem ser minimizadas com o emprego de materiais dielétricos de alta permissividade.

O funcionamento dos dispositivos e circuitos utilizados nas tecnologias da informação é fundamentalmente determinado pelo comportamento dos portadores de carga elétrica que os percorrem. Tais dispositivos e circuitos têm as suas funcionalidades determinadas pelo controle que exercem sobre o fluxo de carga elétrica em seu interior. O movimento de cargas elétricas em determinada região é definido pela ação de campos eletromagnéticos nela aplicados e pela interação entre essas cargas elétricas e os átomos e moléculas, isolados ou em rede organizada, presentes nessa região. A análise desse movimento, induzido pelos campos eletromagnéticos, leva à determinação de grandezas de interesse, tais como a corrente elétrica através de um dispositivo ou circuito e a potência elétrica nele dissipada. Considerando essas informações, julgue os itens seguintes, relativos à dinâmica dos elétrons em sólidos e no vácuo.

O mecanismo de transporte predominante na região do canal de um transistor de efeito de campo é a difusão.