Questões sobre Circuitos Elétricos na Engenharia Elétrica

No contexto da comutação de semicondutores em conversores de eletrônica de potência, os transistores de potência, como o IGBT e o MOSFET, estão sujeitos a perdas de comutação durante os processos de chaveamento.
Considerando-se o comportamento desses dispositivos, qual opção descreve corretamente os efeitos das perdas de comutação? 

Considerando que os cabos e a fonte do circuito da figura 1 sejam ideais, o valor de R_L que faz com que a potência no resistor R_L seja máxima é:

Utilizando o método dos dois wattímetros, a potência total fornecida a uma carga equilibrada em Y com impedância    tensão de linha do sistema 220V rms, é:

Considerar:   

Durante uma vistoria de rotina em determinada instalação elétrica de um motor trifásico protegido com dispositivos diferencial-residual, o profissional utilizou um método recomendado nas normas para a verificação da atuação desses dispositivos, conforme o diagrama da figura a seguir:



Analise as afirmativas a seguir.

I. A corrente diferencial-residual I_Δ é diminuída, reduzindo-se o valor de R_P.
II. Uma resistência variável R_P deve ser conectada, a jusante do dispositivo DR, entre um condutor vivo e massa.
III. O disparo do DR deve ocorrer para uma corrente I_Δ maior que a corrente diferencial-residual nominal de atuação I_Δn.

Está correto o que se afirma apenas em

Analise a Figura 15 abaixo e determine a RL para a condição de Máxima Transferência de Potência (MTP).