Questões de Engenharia Aeronáutica do ano 2009

A respeito das características de transistores MOSFET e TBJ, julgue os itens subsequentes.

O efeito da modulação do comprimento do canal em transistores MOSFET, que ocorre para valores relativamente altos da tensão de dreno, faz que a resistência incremental de saída do MOSFET, observada entre seus terminais de dreno e fonte, seja finita, ao contrário da idealização infinita. Em geral, quanto maior o comprimento do canal, mais pronunciado é o efeito de corpo.

A respeito das características de transistores MOSFET e TBJ, julgue os itens subsequentes.

O efeito de corpo em transistores MOSFET, que ocorre quando os terminais de fonte e substrato são conectados em potenciais diferentes, tende a aumentar a magnitude da tensão de limiar. Portanto, o terminal de corpo pode ser utilizado como uma porta adicional para controle da corrente de dreno. Para funcionamento apropriado do transistor, o terminal de corpo deve ser sempre conectado ao potencial mais negativo do circuito em dispositivos NMOS, ou ao potencial mais positivo do circuito em dispositivos PMOS.

A respeito das características de transistores MOSFET e TBJ, julgue os itens subsequentes.

TBJ, ao contrário de MOSFET, são dispositivos com terminais assimétricos. O fluxo de corrente nos MOSFET é determinado por um único tipo de portador de carga, ao passo que o fluxo de corrente nos TBJ é determinado simultaneamente por elétrons livres e elétrons de valência.

Acerca de princípios e conceitos relativos à termodinâmica clássica, julgue os itens a seguir.

O estado de um sistema termodinâmico simples é completamente determinado, conhecendo-se duas propriedades termodinâmicas intensivas daquele sistema.

Acerca de princípios e conceitos relativos à termodinâmica clássica, julgue os itens a seguir.

Em um processo de expansão, a pressão constante, de uma substância cujos calores específicos são constantes, a variação de entalpia dessa substância é proporcional à variação da temperatura.