Questões Concurso ANAC

O circuito de polarização acima é implementado com um transistor de efeito de campo de junção JFET do tipo canal n. Esse circuito, utilizado em projetos de amplificadores de tensão, possui uma diferença de potencial entre dreno e fonte fixada em V_DS = 3 V. Considerando esse circuito, julgue os próximos itens.

A dissipação de potência pelo JFET, nesse circuito, é superior a 10 mW.

O esquema acima ilustra um circuito de polarização empregando um TBJ do tipo npn. Considerando que a tensão do terminal de base esteja 0,7 V acima daquela do terminal de emissor, e que o ganho de corrente de emissor comum  seja igual a 200, julgue os itens que se seguem.

A diferença de potencial entre os terminais de coletor e emissor é superior a 4,5 V, comprovando que o TBJ opera no modo ativo.

O esquema acima ilustra um circuito de polarização empregando um TBJ do tipo npn. Considerando que a tensão do terminal de base esteja 0,7 V acima daquela do terminal de emissor, e que o ganho de corrente de emissor comum  seja igual a 200, julgue os itens que se seguem.

O esquema do circuito em questão pode ser utilizado para amplificação de sinais conectados capacitivamente ao terminal de base, adotando-se a configuração emissor comum. Nessa situação, o ganho de tensão é diretamente proporcional à resistência R_C , que pode ser selecionada como arbitrariamente alta. Por sua vez, o resistor R_E , que é normalmente conectado em paralelo a um capacitor de desvio, é imprescindível para garantir estabilização do ponto de operação diante de eventuais variações térmicas.

A respeito das características de transistores MOSFET e TBJ, julgue os itens subsequentes.

Em amplificadores implementados com MOSFET, a transcondutância para pequenos sinais é um parâmetro que depende somente das características físicas e geométricas do MOSFET.

A respeito das características de transistores MOSFET e TBJ, julgue os itens subsequentes.

O efeito da modulação do comprimento do canal em transistores MOSFET, que ocorre para valores relativamente altos da tensão de dreno, faz que a resistência incremental de saída do MOSFET, observada entre seus terminais de dreno e fonte, seja finita, ao contrário da idealização infinita. Em geral, quanto maior o comprimento do canal, mais pronunciado é o efeito de corpo.