Questões de Física do ano 2008

Considerando que um sinal senoidal representado pela função  em que  é a freqüência angular e t é o tempo, seja aplicado na entrada de um osciloscópio, e considerando, ainda, que a freqüência linear deste sinal seja f = 1 kHz, julgue os itens a seguir.

O n¨ªvel DC desse sinal é v_DC = 5cos(45^o)≈ Ö 3,5 [mV].

alimentado por uma fonte contínua (c.c.) de valor nominal V e

esteja fechado no instante t = 0, e que os capacitores desse

Em regime permanente, a potência suprida pela fonte

alimentado por uma fonte contínua (c.c.) de valor nominal V e

esteja fechado no instante t = 0, e que os capacitores desse

Em regime permanente, a corrente que passa pelos

capacitores C₂ e C ₃ não será nula.

Um diodo semicondutor é um dispositivo eletrônico implementado a partir da união metalúrgica entre materiais semicondutores dos tipos n e p. Por ser um dispositivo com característica elétrica fortemente não-linear, o diodo pode operar em condução ou em corte, resultando em diversas aplicações de interesse. A relação corrente-tensão (i(t) × v(t)) para um diodo em plena condução pode ser aproximada pela expressão      tensão térmica e n é uma constante empírica. Com respeito às propriedades de um diodo semicondutor ,  julgue os seguintes itens.

Para uma variação de uma década (isto é, fator de 10) na

de tensão é nV_T , aproximadamente.

Um diodo semicondutor é um dispositivo eletrônico implementado a partir da união metalúrgica entre materiais semicondutores dos tipos n e p. Por ser um dispositivo com característica elétrica fortemente não-linear, o diodo pode operar em condução ou em corte, resultando em diversas aplicações de interesse. A relação corrente-tensão (i(t) × v(t)) para um diodo em plena condução pode ser aproximada pela expressão      tensão térmica e n é uma constante empírica. Com respeito às propriedades de um diodo semicondutor ,  julgue os seguintes itens.

Para que o diodo possa conduzir, é necessário que a junção

pn esteja diretamente polarizada, ou seja, o terminal

correspondente ao material do tipo n deve estar a um

potencial mais elevado do que aquele do material do tipo p.