Questões de Física do ano 2008

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Listagem de Questões de Física do ano 2008

#Questão 569705 - Física, Geral, CESPE / CEBRASPE, 2008, MPOG, Analista de Infraestrutura

Com relação a termodinâmica, julgue os itens a seguir.

A capacidade térmica de uma substância é definida como a quantidade de calor que deve ser cedida a 1 g dessa substância para provocar nela uma variação de temperatura de 1 ºC.

Considerando que o circuito ilustrado na figura acima seja

alimentado por uma fonte contínua (c.c.) de valor nominal V e

esteja fechado no instante t = 0, e que os capacitores desse

circuito estejam inicialmente descarregados, julgue os itens que

se seguem.

Com o circuito fechado, a resistência e a capacitância

equivalentes são, respectivamente,   e    Ceq =

Considerando que o circuito ilustrado na figura acima seja

alimentado por uma fonte contínua (c.c.) de valor nominal V e

esteja fechado no instante t = 0, e que os capacitores desse

circuito estejam inicialmente descarregados, julgue os itens que

se seguem.

Imediatamente após o fechamento da chave, a tensão nos

terminais do capacitor C1 será nula.

Considerando que o circuito ilustrado na figura acima seja

alimentado por uma fonte contínua (c.c.) de valor nominal V e

esteja fechado no instante t = 0, e que os capacitores desse

circuito estejam inicialmente descarregados, julgue os itens que

se seguem.

Em regime permanente, a tensão nos terminais do

capacitor

Um diodo semicondutor é um dispositivo eletrônico implementado a partir da união metalúrgica entre materiais semicondutores dos tipos n e p. Por ser um dispositivo com característica elétrica fortemente não-linear, o diodo pode operar em condução ou em corte, resultando em diversas aplicações de interesse. A relação corrente-tensão (i(t) × v(t)) para um diodo em plena condução pode ser aproximada pela expressão      tensão térmica e n é uma constante empírica. Com respeito às propriedades de um diodo semicondutor ,  julgue os seguintes itens.

n é dopado com átomos

doadores (por exemplo, átomos de fósforo), resultando em

uma concentração maior de elétrons livres comparativamente

ao material semicondutor intrínseco (puro). Por sua vez, um

material semicondutor do tipo p é dopado com átomos

receptores (por exemplo, átomos de boro), resultando em

uma concentração maior de lacunas comparativamente ao

material semicondutor intrínseco.

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