Questões de Engenharia Eletrônica do ano 2008

A figura acima mostra um gráfico com as assíntotas de um diagrama de Bode para um circuito RC de primeira ordem, constituído por um único resistor R e um único capacitor C. Com base nas informações da figura e nas características desse tipo de circuito, julgue os itens a seguir.

Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxidosemicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir. A presença de portadores minoritários na corrente do BJT ajuda a diminuir o tempo de chaveamento, quando comparado ao MOSFET.

Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxidosemicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir. A tensão de limiar do MOSFET ( threshold voltage) é a tensão porta-substrato necessária para colocar a região de canal em inversão forte.

Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxidosemicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir. O ganho de corrente do BJT fica prejudicado, em altas densidades de corrente, pelo chamado efeito Kirk, que consiste em uma aparente diminuição da largura efetiva da base quando a concentração de portadores que passam para o coletor é elevada.

Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxidosemicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir. Em um BJT de potência, a necessidade de elevadas tensões de bloqueio leva ao emprego de concentrações consideravelmente altas de dopantes no coletor, quando comparada aos BJTs da eletrônica de baixa potência.