Questões de Engenharia Eletrônica

#Questão 760284 - Engenharia Eletrônica, Eletrônica de Potência, FGV, 2018, Companhia Pernambucana de Saneamento - PE (COMPESA/PE), Analista de Saneamento

A figura a seguir apresenta um esquema elétrico, composto por uma fonte de tensão, um resistor e quatro chaves, e uma tabela com os possíveis estados das chaves. Este esquema permite converter uma tensão contínua em alternada na carga R_L .

Para que haja essa conversão, os estados das chaves que devem ser repetidos continuamente são

A) 1 e 2.

B) 2 e 4.

C) 2 e 3.

D) 3 e 4.

E) 3 e 1.

#Questão 760391 - Engenharia Eletrônica, Eletrônica Digital, CESPE / CEBRASPE, 2018, Agência Brasileira de Inteligência (ABIN), Oficial Técnico de Inteligência

#Questão 760408 - Engenharia Eletrônica, Eletrônica Digital, CESPE / CEBRASPE, 2018, Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia Fluminense - RJ (IFF/RJ), Professor do Ensino Básico

#Questão 760409 - Engenharia Eletrônica, Eletrônica Digital, CESPE / CEBRASPE, 2018, Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia Fluminense - RJ (IFF/RJ), Professor do Ensino Básico

#Questão 760286 - Engenharia Eletrônica, Eletrônica de Potência, FGV, 2018, Companhia Pernambucana de Saneamento - PE (COMPESA/PE), Analista de Saneamento

Considere o gráfico de Arrhenius da condutividade elétrica (σ) em função da temperatura (T) de um semicondutor tipo n:

Analisando o gráfico acima, conclui-se que na faixa de temperatura da

A) Região I predomina o comportamento extrínseco do semicondutor, devido ao elevado potencial dos portadores de carga do dopante, quando comparado com o potencial da banda de condução.

B) Região I predomina o efeito de saturação da condução, pois todos os portadores de carga introduzidos pelos dopantes estão na banda de condução, causando máxima capacidade de condução.

C) Região II predomina o comportamento isolante do semicondutor, pois o número de buracos se iguala ao número de elétrons, eliminando os portadores de cargas e aumentando a resistência superficial de fuga.

D) Região III predomina o comportamento extrínseco do semicondutor, pois os portadores de cargas dos dopantes atingem a banda de condução em temperaturas inferiores às requeridas pelos elétrons da banda de valência.

E) Região III predomina o comportamento intrínseco do semicondutor, pois todos os portadores de carga estão na banda de valência, aumentando lentamente a condutividade com a diminuição da temperatura.

Questões de Engenharia Eletrônica

Pesquise questões de concurso nos filtros abaixo