5971 Q411696
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Uma empresa realizou um investimento específico para produzir um determinado equipamento sob encomenda. Os resultados dessa operação foram os seguintes:

Faturamento da venda: R$ 122.000,00

Custo de matéria-prima: R$ 43.000,00

Despesas operacionais: R$ 27.000,00

Despesas financeiras: R$ 18.000,00

Para esse caso específico, o Retorno sobre os investimentos (ROI) obtido vale, aproximadamente,

5972 Q411694
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Em cabos elétricos, é necessário que a isolação tenha

5973 Q410662
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Energia Essencial

Das alternativas citadas abaixo, assinale a que não corresponde a um exemplo de material isolante:

5974 Q410660
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Reis & Reis Auditores Associados

Liga o quadro do medidor ao quadro de distribuição:

5975 Q410659
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Reis & Reis Auditores Associados

É o movimento ordenado dos elétrons livres nos fios e sua unidade de medida é o ampere (A):

5976 Q410657
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação de Apoio ao Desenvolvimento da UEL (FAUEL)

Todas as alternativas abaixo apresentam componentes de um motor de um motor de indução trifásico?

5977 Q408300
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Assinale a alternativa incorreta sobre DRC e/ou LVS.
5978 Q408298
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
O consumo de potência é uma parte critica no projeto de SoC (System-on-a-Chip), sendo um dos requisitos mais importantes de um chip. Sobre o consumo de potência, é correto afirmar o seguinte:
5979 Q408271
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”) com 100 nm de comprimento tem espessura de óxido na porta de 40 Å. A capacitância linear medida na largura da porta é igual a: (considere a permissividade do vácuo ε0 = 8,85 x 10-12 F/m e a permissividade relativa do óxido εox = 4)
5980 Q408269
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Seja um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”) com contatos de tamanho unitário em um processo de 0,6 μm. Considere as características do transistor: capacitância de junção = 15 fF/μm2; coeficiente de gradação de junção = 0,5; distribuição periférica de capacitância = 5 fF/μm; coeficiente de gradação periférica de junção = 0,5 e potencial elétrico intrínseco à temperatura ambiente = 1 V. Assuma, ainda, que o substrato esteja aterrado e que a tensão de polarização no dreno seja VDD = 8 V. A partir das informações apresentadas, pode-se afirmar que a capacitância parasita de difusão no dreno do transistor é igual a