Questões de Engenharia Elétrica da IF SU

No contexto da comutação de semicondutores em conversores de eletrônica de potência, os transistores de potência, como o IGBT e o MOSFET, estão sujeitos a perdas de comutação durante os processos de chaveamento.
Considerando-se o comportamento desses dispositivos, qual opção descreve corretamente os efeitos das perdas de comutação? 

Em conversores de eletrônica de potência, o uso de um circuito snubber é essencial para proteger dispositivos semicondutores de surtos de tensão e corrente.
Nesse sentido, qual opção descreve corretamente o princípio de funcionamento de um circuito snubber tipo RC (resistor – capacitor) em um conversor chaveado?

Considere o circuito abaixo, que representa cargas elétricas conectadas a uma fonte de tensão alterada.

O que corresponde, respectivamente, à melhor aproximação para a potência aparente total e fator de potência do circuito?

Segundo a NBR 5410, sobre esquemas de aterramento, são feitas as seguintes afirmativas:

I. No esquema TN-C-S, a alimentação é aterrada por impedância entre o condutor neutro e os eletrodos de aterramento.
II. No esquema TN-C, as funções de neutro e de condutor de proteção são combinadas num único condutor, na totalidade do esquema.
III. No esquema TT, há um ponto da alimentação diretamente aterrado; já as massas/carcaças estão ligadas a distinto(s) eletrodo(s) de aterramento da alimentação.

Estão corretas as afirmativas 

O diagrama unifilar de um projeto elétrico tem como objetivo, dentre outros, apresentar os condutores que passam em um determinado trecho de eletroduto. Ele serve como base para o dimensionamento de eletrodutos, informando a quantidade de fios e circuitos transportados pelo trecho.
Considerando a trajetória dos eletrodutos dos trechos de “a”, “b”, “c”, “d” indicados no projeto elétrico, afirma-se que o trecho