131
Q413582
Assinale a alternativa que contém somente processos que retirem o fotorresiste.
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Q413579
Por que se utiliza a lâmina de Si com orientação cristalina (100) para a fabricação de dispositivos para a tecnologia CMOS?
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Q413578
A simulação de um processo de oxidação térmica sobre uma lâmina de Si apresentou uma espessura total de 1000 nm do óxido de Si obtido. Qual a espessura da camada superficial de Si que foi consumida durante o processo de oxidação?
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Q413568
Os valores das energias de band gap de materiais semicondutores estão entre 0,1 eV e 3,0 eV, enquanto para materiais isolantes, os valores são maiores que 3,0 eV. Assim, quais os valores das energias de band gap dos materiais Si e SiO2, em temperatura ambiente, respectivamente, que são usados na tecnologia MOS?
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Q413566
Qual a definição da energia de band gap de materiais semicondutores ou isolantes?
136
Q413563
Quais os principais produtos voláteis formados durante processo de corrosão de Si em plasmas fluorados?
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Q413561
As principais técnicas de caracterização de plasmas de corrosão são:
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Q413558
Qual o intervalo típico de energia de íons em processo RIE?
139
Q413556
Qual o intervalo típico da pressão de gases utilizados para corrosão tipo RIE?
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Q413554
Qual a técnica utilizada para medidas de taxa de corrosão em amostras?