Questão Q413568
2012 FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Engenharia Elétrica Princípios de Ciências dos Materiais
Prova: Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC - Analista Administrativo Área Engenharia Elétrica (ETEA - CQUALF) - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) do ano 2012 • Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

Os valores das energias de band gap de materiais semicond...

Os valores das energias de band gap de materiais semicondutores estão entre 0,1 eV e 3,0 eV, enquanto para materiais isolantes, os valores são maiores que 3,0 eV. Assim, quais os valores das energias de band gap dos materiais Si e SiO2, em temperatura ambiente, respectivamente, que são usados na tecnologia MOS?

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