111 Q413635
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
As propriedades e a estrutura do polissilício dependem fortemente das condições de deposição. Assinale a alternativa que apresenta uma condição que NÃO influencia nas propriedades e na estrutura do polissilício depositado, considerando a técnica mais utilizada para a deposição de possilício.
112 Q413633
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
A principal técnica utilizada na deposição de polissilício é
113 Q413631
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Considere as afirmativas abaixo.

I – Para uma mesma concentração de dopante, o polissilício apresenta resistividade maior que o silício epitaxial.

II – Em um polissilício dopado, os dopantes tendem a se difundir para o interior do grão, quando o silício dopado é aquecido.

III – Os portadores se difundem rapidamente pelo contorno de grão.

Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).
114 Q413630
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
As propriedades de um filme depositado por spin-on NÃO dependem do seguinte parâmetro:
115 Q413628
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Leia atentamente as afirmativas abaixo acerca do nitreto de silício.

I – O oxigênio e o vapor d’água se difundem muito lentamente pelo nitreto de silício.

II – A oxidação do nitreto de silício é mais rápida que a oxidação do dióxido de silício.

III – A oxidação do silício deve ser realizada antes da deposição da camada de nitreto de silício, a fim de impedir a oxidação do nitreto de silício.

A alternativa com a(s) afirmativa(s) verdadeira é (são)
116 Q413627
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Deposita-se a solução que contém o dopante no centro da lâmina de silício e, rapidamente, a mesma é colocada em alta rotação, de modo que a solução forme uma película homogênea sobre sua superfície. O processo de deposição ora descrito é conhecido como
117 Q413625
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Leia atentamente as afirmativas abaixo.

I – A difusividade no silicone monocristalino e policristalino é controlada pela difusão no interior do grão.

II – No polissilício, os grãos são pequenos e a difusão no interior dos grãos ocorre muito rapidamente.

III – No silício policristalino, a difusividade é controlada pela difusão nos contornos de grão.

Está(estão) correta(s) a(s) afirmativa(s)
118 Q413624
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Analise as afirmativas abaixo:

I – Durante os estágios iniciais da oxidação, a concentração de dopantes não tem influência na taxa de crescimento do óxido.

II – Em óxido com grande concentração de dopante, a taxa de crescimento durante o estágio da oxidação controlado por difusão depende fortemente da concentração de impurezas no óxido de silício (SiO2).

III – A migração de dopante para o óxido enfraquece as ligações no óxido, o que facilita a difusão de oxigênio (O2) e água (H2O), aumentando a taxa de crescimento do óxido.

A(s) afirmativa(s) correta(s) é (são)
119 Q413622
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Abaixo estão citadas diferentes técnicas de análise de materiais. Assinale a técnica que não pode ser utilizada para levantamento do perfil de dopagem em semicondutores.
120 Q413620
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)