101 Q413727
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Em um processo de encapsulamento de circuito integrado utilizando Solda de Fios, qual fio é utilizado na técnica de Solda de Bola (Ball bonding)?
102 Q413725
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
A estrutura utilizada para medição de resistência de contato é a estrutura
103 Q413723
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
A maneira mais tradicional para medição da resistência de folha e que permite maior precisão é através da estrutura
104 Q413720
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Diversas estruturas para medição de resistência são possíveis de serem implementadas. Cada um dos tipos de estrutura é mais adequado dependendo do que se deseja em termos de medidas e de precisão. Analise as sentenças a seguir, sobre a estrutura de resistência do tipo ponte:

I) Esta estrutura é formada por 4 (quatro) terminais conectados a uma linha do material a ser caracterizado, dois terminais nas extremidades e dois terminais internos.

II) A estrutura tipo ponte permite a medição de resistência de diversos tipos de materiais com alta precisão.

III) A estrutura ponte, por realizar a medição de tensão em terminais por onde não se passa corrente, não sofre influência de resistências parasitárias.

Estão corretas as sentenças:
105 Q413718
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Para medida de resistência de um material a ser caracterizado, pode ser utilizada uma estrutura formada por uma linha do material com contatos metálicos nos 2 (dois) terminais das extremidades. Para este tipo de medida, analise as assertivas a seguir:

I) Este tipo de estrutura permite a medição de resistências com precisão.

II) A medição com esta estrutura permite minimizar o efeito de resistências parasitárias.

Com relação a estas assertivas, pode-se afirmar que:
106 Q413643
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Leia as afirmativas abaixo acerca da oxidação de silício.

I – Para obtenção de uma mesma espessura de óxido a uma dada temperatura, a oxidação seca é um processo mais rápido que a oxidação úmida.

II – A oxidação úmida é realizada pela técnica spin-on.

III – A oxidação consome silício do substrato, de maneira que a espessura total após a oxidação não é igual à soma da espessura inicial da camada de silício com a espessura da camada de óxido.

Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s)
107 Q413641
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Com relação às aplicações do dióxido de silício, assinale a alternativa INCORRETA.
108 Q413640
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
O óxido depositado por spin-on, também conhecido como SOG, é amplamente utilizado porque

I – apresenta propriedades dielétricas superiores ao dióxido de silício.

II – pode ser obtido em baixas temperaturas.

III – possui ótima aderência ao substrato de silício.

Com relação às propriedades mencionadas acima, assinale a alternativa com a(s) propriedade(s) verdadeira(s) do SOG.
109 Q413638
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Dentre as aplicações abaixo, assinale a que NÃO corresponde a uma aplicação de spin-on.
110 Q413636
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Abaixo são relacionadas 3 (três) técnicas de dopagem.

I – Dopagem por difusão.

II – Dopagem in situ.

III – Implantação iônica.

Assinale a alternativa com a(s) técnica(s) utilizada(s) para a dopagem de polissilício.