Questão Q413636
2012 FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Engenharia Elétrica Princípios de Ciências dos Materiais
Prova: Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC - Analista Administrativo Área Engenharia Elétrica (ETEA - DIFUSA) - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) do ano 2012 • Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

Abaixo são relacionadas 3 (três) técnicas de dopagem. I...

Abaixo são relacionadas 3 (três) técnicas de dopagem.

I – Dopagem por difusão.

II – Dopagem in situ.

III – Implantação iônica.

Assinale a alternativa com a(s) técnica(s) utilizada(s) para a dopagem de polissilício.

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