81 Q413885
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Para evitar ou reduzir o efeito de canalização de íons numa lâmina de Si com orientação cristalina (100) durante a implantação de íons, a lâmina deve ser posicionada no implantador com inclinação e rotação?
82 Q413883
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Para que servem as lentes eletrostáticas no sistema de implantações de íons?
83 Q413881
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Executando-se a espectroscopia de massa do íon secundário (SIMS) de uma estrutura implantada, consegue-se obter
84 Q413879
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Executando-se a medida de quatro pontas sobre uma camada implantada e recozida, consegue-se obter
85 Q413878
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Que processos são utilizados para obter junções rasas (com profundidade menor que 50 nm) em Si do tipo n+?
86 Q413876
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Que parte do sistema de implantação de íons faz a contagem de íons que penetram na lâmina e determina o final do processo?
87 Q413874
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Qual é a função do analisador magnético do sistema de implantação de íons?
88 Q413872
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Qual deve ser o ambiente interno no implantador de íons para executar o processo?
89 Q413871
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Qual processo deve ser executado para corrigir os danos causados pela implantação de íons em lâmina de Si?
90 Q413869
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Em três lâminas de Si iguais foram implantados os ions de 11B+, na primeira, 31P+, na segunda e 75As+, na terceira. Qual implantação de íons destruirá mais a rede cristalina em sua respectiva lâmina de Si. Nota: todas as implantações foram executadas com a mesma energia e dose, e em temperatura ambiente.