61
Q418426
62
Q418424
Com base nessas informações, julgue os seguintes itens.
Os valores de resistência de R1, R2, R3 e R4 são iguais a, respectivamente, 8Rx, 4Rx, 2Rx e Rx.
63
Q418423
Na tabela acima, é apresentada a especificação técnica de um circuito digital da família TTL. Considere que mín., nom. e máx., na tabela, sejam designações para valores de tensão mínima, nominal e máxima, respectivamente. Com base na tabela, julgue os itens de 63 a 65.
A margem de ruído para o estado baixo é inferior a 0,5 V.
64
Q418422
Com base nessas informações, julgue os itens que se seguem.
A densidade superficial de cargas livres nas placas do capacitor é, nas condições apresentadas acima, maior que 200 nC/m2.
65
Q418421
Com base nessas informações, julgue os itens que se seguem.
Em face das informações apresentadas, é correto afirmar que a diferença de potencial elétrico entre as placas do capacitor é maior que 18 V.
66
Q418420
Acerca das propriedades e características de materiais, componentes e equipamentos elétricos, julgue os itens seguintes.
Quando um amperímetro é conectado, equivocadamente, em paralelo com um trecho de circuito, é inevitável a ocorrência de danos a esse circuito e ao próprio instrumento de medição. De forma semelhante, a conexão equivocada de um voltímetro em série com um trecho de circuito necessariamente resultará em danos ao circuito e ao voltímetro.
67
Q418419
Acerca das propriedades e características de materiais, componentes e equipamentos elétricos, julgue os itens seguintes.
68
Q418418
A diferença de potencial pode ser aferida através do:
69
Q418417
No eletroduto II, os condutores são os apresentados em
70
Q418416
No eletroduto I, passam os condutores apresentados em
71
Q418415
Uma carga resistiva é conectada a um banco de baterias, cuja tensão nominal é igual a 100 V, através de um par de condutores de cobre. A carga está a 50 metros de distância do banco de baterias, e sua corrente é igual a 20 A. Os condutores estão em equilíbrio térmico a uma temperatura tal que a resistividade do cobre é igual a 0,02 Ω.mm2/m.
Considerando-se uma queda de tensão, desde o polo positivo do banco até à carga, de exatos 5 % da tensão nominal, então a bitola dos condutores, em mm2, é
72
Q418414
O fator de potência de uma carga pode ser obtido através da leitura direta de um medidor de fator de potência. Caso não se disponha de tal instrumento de medição, a mesma variável pode ser determinada através da análise das medições aferidas em
73
Q418413
74
Q418412
75
Q418411
Uma bomba d´água de um reservatório é acionada por um motor de indução trifásico de 10 CV e 60 Hz. Tal motor desenvolve um torque nominal de 115lb-pé, e sua reatância com rotor bloqueado é cinco vezes o valor da resistência desse rotor.
Baseando-se nos dados fornecidos, o valor do escorregamento percentual, quando o torque for máximo, é de
76
Q418410
Um transformador de 10 kVA/ 60 Hz atinge o rendimento máximo quando o seu carregamento chega a 50%. A perda no ferro com metade da tensão nominal e sem carga no secundário é de 0,125 kW.
Quanto valerá o rendimento máximo percentual quando a carga no transformador tiver fator de potência de 0,8?
77
Q418409
78
Q418408
79
Q418407
80
Q418406
Deseja-se utilizar um transformador ideal monofásico de 500 kVA, 20/10 kV, 60 Hz como um autotransformador abaixador de 30/20 kV. Qual será a potência nominal do autotransformador, em kVA, nessas condições?
81
Q418405
82
Q418404
Quanto à utilização e funcionamento dos capacitores, marque V para as afirmativas verdadeiras e F para as falsas.
( ) A instalação deve ser precedida de medidas operacionais que levem à diminuição da necessidade de reativo como desligamento de motores ou outras cargas indutivas ociosas.
( ) Como fontes de reativo, a circulação fica limitada aos pontos onde é efetivamente necessária, reduzindo perdas.
( ) São equipamentos capazes de armazenar energia reativa e fornecer aos equipamentos a energia necessária ao seu funcionamento.
A sequência está correta em
83
Q418403
Para determinar o número de espiras dos enrolamentos de um transformador fez-se um enrolamento auxiliar com 10 espiras enroladas no núcleo. Ao aplicar 220 V no primário obteve-se, no secundário, uma tensão de 40 V e no enrolamento auxiliar 2 V. O número de espiras dos enrolamentos do primário e do secundário do transformador são, respectivamente,
84
Q418402
85
Q418401
86
Q418400
Um transformador tem as seguintes especificações nominais: 110 V × 12 V − 6 VA. Apresenta, respectivamente, as correntes do primário e secundário quando este transformador está operando em máxima potência:
87
Q418399
88
Q418332
Uma associação série envolvendo os resistores de cores amarelo-violeta-vermelho-ouro e branco-marrom-marrom-ouro pode ser substituída, sem comprometer o valor real da resistência, por um único resistor de cores:
89
Q418331
Caracteriza o SCR:
90
Q418293
Dois capacitores de 100 μF são associados em série e alimentados por uma tensão DC de 200 V. A carga armazenada em cada capacitor vale
91
Q418292
Um transformador monofásico tem a especificação seguinte: 220 V × 110 + 110 V − 880 VA. O ensaio em curtocircuito determinou a tensão de curto-circuito para que o transformador atinja a corrente nominal no primário, cujo valor medido foi 18 V. A impedância percentual e a corrente de curto-circuito do transformador valem, respectiva e aproximadamente,
92
Q418291
Sendo IB a corrente de projeto do circuito de uma instalação elétrica e IZ a capacidade de condução de corrente dos seus condutores, um disjuntor com corrente nominal de 40 A se enquadra em:
93
Q418290
94
Q418259
95
Q418258
96
Q418135
97
Q418133
Um alimentador trifásico de 200 V de tensão de linha alimenta uma carga trifásica resistiva de 3.000 W.
A corrente nominal, em ampères, nesse alimentador é de
98
Q417980
A intensidade da corrente é dada pela quantidade de carga elétrica por unidade de tempo. Então temos Onde:
I – Q = carga elétrica > Joule (J);
II – Delta t = intervalo de tempo > hora (h);
III – i = intensidade de corrente elétrica > Coulomb por segundo (C/s) = Ampere (A).
Quais afirmativas acima estão corretas?
99
Q417979
Para se conhecer a corrente elétrica e consequentemente definir a bitola do condutor a ser utilizado é necessário:
100
Q417974
Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de campo MOS (metal-óxido silício), com canal N e substrato formado por semicondutor P. Essa aplicação depende do controle da tensão porta-fonte do transistor. Assinale a opção correspondente ao fato que ocorre quando se aplica tensão porta-fonte positiva no transistor.
101
Q417891
102
Q417890
103
Q417888
Sobre dimensionamento de condutores de uma instalação elétrica, é correto afirmar:
104
Q417886
Uma pilha de tensão nominal igual a 1,5 V já usada tem a sua tensão medida por um multímetro digital de 3 ½ dígitos com o seletor em três posições diferentes: 2 VDC, 20 VDC e 200 VDC. Apresenta coerentemente a visualização dos valores no display do multímetro:
105
Q414004
Uma infraestrutura de teste possui entre outros equipamentos um analisador de espectro e um osciloscópio para o teste paramétrico de sistemas. Podemos dizer que:
106
Q414000
No contexto da implementação física de um circuito integrado afirma-se o que segue. I. O efeito de eletromigração (EM) é decorrente da alta densidade de corrente e alternância de temperatura nas linhas de interconexão sendo uma das causas de ruptura ou falha mecânica das mesmas. II. O emprego de bibliotecas de células com múltiplos Vt (tensões de limiar dos transistores) objetiva a redução da corrente de fuga (leakage) em geometrias com canal mais curto. III. Efeitos de interferência entre trilhas de roteamento têm impacto no incremento do atraso na linha afetado degradando a integridade do sinal.
107
Q413994
No projeto de um sistema em chip (SoC), é empregado um grande número de núcleos e blocos de propriedade intelectual. Uma estratégia para lidar com a testabilidade deste tipo de sistema é:
108
Q413989
O método de medida de IDDq (corrente quiescente total) é mais indicado para diagnosticar falhas do tipo:
109
Q413986
O emprego de técnicas de projeto voltadas ao teste (DFT) pode auxiliar tanto no teste de dispositivos isolados (teste de manufatura) como no teste de um sistema composto por vários dispositivos interconectados em uma placa de circuito impresso. Neste sentido, para minimizar ou mesmo evitar o emprego de “camas de pregos” para teste e diagnóstico de falhas em sistemas eletrônicos pode-se:
110
Q413976
A concepção de um de um circuito integrado da especificação ao dispositivo físico pode ser divida em quatro grandes etapas que compreendem: síntese do design, verificação, fabricação e teste. Em relação a estas etapas afirma-se o disposto a seguir. I. A síntese do design implementa as funcionalidades de entrada e saída da aplicação alvo levando em conta as características do processo de fabricação e dispositivos. II. A verificação destina-se a apenas a complementar a etapa de teste do dispositivo físico. III. A etapa teste deve iniciar já na etapa de design com o objetivo de facilitar a sua realização após a fabricação. Com relação às afirmações acima, pode-se afirmar que:
111
Q413975
Para um determinado circuito integrado de sinais mistos (analógico e digital) VLSI, seu plano de teste prescreve de 108 vetores de teste a serem aplicados para teste da parte digital. Para o teste dos blocos analógicos é gasto 3 segundos. Empregase um equipamento de teste com capacidade de aplicação de 50 Mega (50x106) vetores de teste por segundo. O custo operacional do ATE (equipamento automático de teste) é de R$0,02 por segundo de uso. Estima-se que o yeild do processo de fabricação circuito integrado em questão é de 80%. Qual o custo estimado do teste por chip bom?
112
Q413973
O processo de teste a que um sistema VLSI é submetido após a fabricação tem por objetivo:
113
Q413965
Na sintaxe da linguagem VerilogAMS, a rotina padrão vpi_chk_error( ) deve retornar uma constante inteira representando um nível de severidade de erro se a chamada anterior a uma rotina VPI (Verilog Procedural Interface) resultou em erro. Considerando as constantes de retorno de erro para a rotina vpi_chk_error( ), a que possui maior severidade é:
114
Q413963
A partir da tela inicial do software Virutoso Layout Editor, é possível acessar a interface gráfica Dracula DRC (Design Rule Checking). Nesta interface, é possível visualizar erros de DRC e investigar suas causas. Para verificar as regras de DRC a partir da interface gráfica Dracula DRC, deve-se executar o seguinte procedimento:
115
Q413962
Alguns anéis de pad existentes nas entradas de dispositivos CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar) contêm implementações de Schmitt triggers, cuja histerese eleva o ponto de chaveamento quando o sinal de entrada é baixo e o reduz quando o sinal de entrada é alto. A função desse circuito nessas estruturas é
116
Q413960
O software Virtuoso Hierarchy Editor permite ao usuário visualizar vários níveis de um único projeto usando uma tabela ou uma vista em árvore. Assinale uma alternativa que NÃO é passível de ser executada pelo Virtuoso Hierarchy:
117
Q413953
Um mecanismo de falha de inversores CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar) caracteriza-se pela formação de um retificador controlado de silício (SCR) biestável a partir do acoplamento cruzado de transistores “npn” e “pnp” parasitas, desenvolvendo caminhos de baixa resistência entre o dreno e o corpo dos inversores que normalmente são aterrados. É, então, estabelecida uma malha de realimentação que faz circular uma corrente elevada entre o dreno e o corpo, resultando no desligamento da fonte de alimentação ou no derretimento dos terminais de alimentação. Tal mecanismo de falha denominase:
118
Q413948
Sobre a fabricação de um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”), pode-se afirmar que a seguinte etapa desse processo é dita auto-alinhada:
119
Q413947
Cada fio de um par de interconexões de 1 mm tem distribuição linear de capacitância de 2,5 fF/μm em relação ao plano de terra representado pelo substrato e 2,5 fF/μm em relação ao fio adjacente. Cada interconexão é ligada a um inversor CMOS com resistência de 20 kΩ. Pode-se afirmar que os retardos de contaminação e de propagação ao longo do caminho das interconexões serão, respectivamente, iguais a: (despreze a capacitância parasita do inversor CMOS e a resistência dos fios)
120
Q413905
Um transistor de potência, para o qual a temperatura máxima da junção TJmáx = 150 ºC, é capaz de dissipar 50 W à temperatura de 50 ºC. Considerando que o transistor foi conectado a um dissipador de calor usando uma arruela com resistência térmica igual a 0,5 ºC/W, a temperatura no dissipador necessária para assegurar a operação segura a 30 W e o comprimento do dissipador são, respectivamente, iguais a: (considere a resistência térmica do ar ambiente em repouso igual a 4 °C/W e a temperatura ambiente igual a 15 °C)
121
Q413843
Durante o projeto e layout de uma placa de circuito impresso (PCI), alguns arquivos são gerados durante o processo. Ao finalizar o esquemático de um circuito, o programa de projeto gera um arquivo que contem informações acerca dos componentes, alguns de seus atributos e as conexões realizadas entre eles, ou seja, define como os componentes de um circuito se conectam. Este arquivo é conhecido como:
122
Q413840
Ao projetar uma placa de circuito impresso (PCI), devem ser utilizadas algumas técnicas para garantir a minimização de efeitos indesejáveis, tais como: crosstalk, efeitos parasitas, dentre outros. Para circuitos que utilizam sinais de alta frequência, uma técnica permite a elaboração de guias de transmissão em PCIs. O nome dado a este tipo de linha de transmissão é:
123
Q413838
O formato de arquivo adotado como padrão pela indústria de fabricação de circuito impresso que descreve as imagens de todas as camadas (layers) de uma placa de circuito impresso, como por exemplo, camadas de cobre, máscaras de solda, máscaras de furação, dentre outras, é conhecido como:
124
Q413833
Assinale a alternativa que identifique corretamente o método com as seguintes características: I) Este método pode ser utilizado para realizar a conexão entre terminais de um chip e uma placa de circuito impresso diretamente, sem a necessidade de encapsulamento do chip. II) É um método de baixo custo que consiste na conexão de fios, usualmente ouro, alumínio ou cobre, aos terminais de um chip, permitindo a ligação a um encapsulamento que facilite o manuseio e a utilização em circuito mais complexo.
125
Q413832
Um possível método de conexão entre um dispositivo semicondutor e um circuito externo consiste em realizar a conexão do primeiro diretamente ao segundo. Neste método, os terminais do chip recebem deposições de porções de solda, antes mesmo de sua separação do wafer. Posteriormente, o chip é virado com seus terminais sobre o circuito externo e a soldagem é realizada pelo derretimento da solda, normalmente através de ar quente. Tal método é conhecido como:
126
Q413830
O processo de teste de circuitos integrados em uma linha de produção é um passo que consome grande parte do tempo de fabricação. Além disso, é fundamental para a qualidade dos circuitos produzidos. Várias técnicas foram desenvolvidas para permitir um melhor desempenho neste quesito. Quanto a estas técnicas, analise as seguintes sentenças: I) Um dos métodos para contornar alguns problemas encontrados na etapa de testes é o DFT (Design For Testing), aplicado ainda na fase de projeto do produto. II) No método DFT, o produto é projetado de forma que suas arquiteturas permitam um teste de parâmetros realizado em condições de fábrica em vez de testar sua forma real de operação. Em relação a estas sentenças, pode-se afirmar que:
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Q413829
Analise as sentenças abaixo sobre testes na fabricação de circuitos integrados: I) Durante a fase conhecida como “Wafer Testing”, os circuitos integrados que não forem aprovados em todos os padrões de teste são descartados. II) Os testes realizados em chips, ainda no wafer, são realizados por amostragem, de acordo com teorias estatísticas permitindo uma avaliação média de cada lote. III) Um probe card é um meio de conexão física entre os circuitos integrados fabricados em um wafer e um sistema eletrônico de teste. Estão corretas as sentenças:
128
Q413776
Com relação às portas utilizadas nos transistores de efeito de campo (MOSFETs) em tecnologias CMOS padrão de vanguarda, pode-se dizer que
129
Q413774
Circuitos integrados são fabricados em salas limpas, também denominadas salas brancas. Qual das afirmativas abaixo é incorreta?
130
Q413761
A iniciativa RoHS / WEEE, que determina a eliminação do uso de materiais nocivos ao meio ambiente, teve um impacto significativo na indústria de semicondutores, pois ela requer o banimento de qual elemento?