41 Q410503
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
A magnitude da corrente de linha necessária para alimentar a carga é superior a 6 A.
42 Q410501
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
O fator de potência da carga é 0,75 indutivo.
43 Q410459
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
O ganho DC da função de transferência G(s) é menor que 2.
44 Q410457
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
O sistema representado por G(s) é controlável.
45 Q410429
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Julgue os itens subsequentes, relativos à conversão analógica-digital e digital-analógica. Se um conversor analógico-digital tiver entrada analógica entre 0 V e 5 V e saída de 8 bits que formem números entre 0 e 255, então uma entrada de 2 V corresponderá à saída 102.
46 Q410427
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Julgue os itens subsequentes, relativos à conversão analógica-digital e digital-analógica. Em um conversor digital-analógico que utilize uma rede R-2R, a dependência da precisão do conversor relativamente à precisão dos resistores será muito maior que a de um conversor digital-analógico que utilize uma rede de resistores ponderados em que os valores dos resistores cresçam como uma série geométrica com razão 2.
47 Q410344
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue os itens seguintes. O rendimento do amplificador classe C é maior que o dos amplificadores classes A, B e AB, de modo que seu ganho é máximo na frequência de ressonância.
48 Q410343
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue os itens seguintes. O comportamento do diodo de Schottky baseia-se na barreira de potencial na junção de semicondutores dopados dos tipos N e P.
49 Q410342
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue os itens seguintes. O controle do fluxo de corrente no transistor de efeito de campo (FET) é feito por corrente, ao passo que, no transistor bipolar de junção (BJT), esse controle é feito por tensão.
50 Q410341
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue os itens seguintes. O SCR (silicon controlled rectifier) é composto pela junção de duas camadas P e duas N, alternadas entre si, com três terminais: anodo, catodo e porta. O circuito equivalente ao SCR pode ser representado pela associação de um transistor PNP com um NPN.