51 Q568373
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Dado o desenvolvimento de um sistema integrado VLSI, a inserção de blocos ou estruturas para facilitar o teste do circuito integrado ocorre durante:
52 Q568368
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Em uma linha de produção de circuitos integrados, os testes demandam uma grande parte do tempo e de homens-hora por peça gastos no processo. Em contrapartida, é um passo essencial na cadeia produtiva, permitindo muitas vezes detectar antecipadamente falhas no processo produtivo, evitando custos desnecessários. Com relação aos testes de semicondutores, analise as seguintes sentenças e assinale a opção correta: I) O BISR (Built-In-Self-Repair) é uma técnica muito utilizada na fabricação de memórias. II) Na fabricação de memórias, quando estas apresentam um padrão de repetitividade de blocos funcionais, podem ser criados blocos extras dentro do circuito que no caso de uma falha pontual podem substituir os blocos problemáticos.
53 Q418454
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Suponha que se deseja testar as condições de funcionamento de um retificador controlado de silício (SCR) que foi retirado de um circuito eletrônico por suspeita de estar danificado. Para o teste, deverá ser utilizado um ohmímetro adequadamente ajustado. No que se refere ao procedimento do teste a ser feito para atender a essa situação hipotética, julgue o item abaixo.

É preciso ligar o terminal positivo do ohmímetro no ânodo e o negativo, no cátodo, mantendo-os ligados dessa forma durante o ensaio.

54 Q418453
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

55 Q418452
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

56 Q418451
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

57 Q418450
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

É correto concluir que H1 (z) = 1 + z-1 + z-2.

58 Q418449
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Mariana Resende Costa (FUMARC)

Um amperímetro que utiliza o mecanismo medidor de D’Arsonval possui uma resistência de medidor RM de 50 Ω e corrente de fundo de escala de 1 mA. A inclusão de um resistor RSHUNT de 12,5 Ω permitirá um acréscimo percentual na medição do amperímetro de

59 Q418434
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Um transformador com 400 espiras no primário teve aplicada uma tensão de 250 V na bobina desse segmento. Para que possa resultar uma bobina com 200 espiras no secundário, a tensão induzida a ser aplicada no secundário deve ser, em V, de

60 Q418427
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

61 Q418426
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

62 Q418424
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Com base nessas informações, julgue os seguintes itens.

Os valores de resistência de R1, R2, R3 e R4 são iguais a, respectivamente, 8Rx, 4Rx, 2Rx e Rx.

63 Q418423
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Na tabela acima, é apresentada a especificação técnica de um circuito digital da família TTL. Considere que mín., nom. e máx., na tabela, sejam designações para valores de tensão mínima, nominal e máxima, respectivamente. Com base na tabela, julgue os itens de 63 a 65.

A margem de ruído para o estado baixo é inferior a 0,5 V.

64 Q418422
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Com base nessas informações, julgue os itens que se seguem.

A densidade superficial de cargas livres nas placas do capacitor é, nas condições apresentadas acima, maior que 200 nC/m2.

65 Q418421
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Com base nessas informações, julgue os itens que se seguem.

Em face das informações apresentadas, é correto afirmar que a diferença de potencial elétrico entre as placas do capacitor é maior que 18 V.

66 Q418420
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Acerca das propriedades e características de materiais, componentes e equipamentos elétricos, julgue os itens seguintes.

Quando um amperímetro é conectado, equivocadamente, em paralelo com um trecho de circuito, é inevitável a ocorrência de danos a esse circuito e ao próprio instrumento de medição. De forma semelhante, a conexão equivocada de um voltímetro em série com um trecho de circuito necessariamente resultará em danos ao circuito e ao voltímetro.

67 Q418419
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Acerca das propriedades e características de materiais, componentes e equipamentos elétricos, julgue os itens seguintes.

68 Q418418
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação de Apoio ao Desenvolvimento da UEL (FAUEL)

A diferença de potencial pode ser aferida através do:

69 Q418417
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

No eletroduto II, os condutores são os apresentados em

70 Q418416
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

No eletroduto I, passam os condutores apresentados em

71 Q418415
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

Uma carga resistiva é conectada a um banco de baterias, cuja tensão nominal é igual a 100 V, através de um par de condutores de cobre. A carga está a 50 metros de distância do banco de baterias, e sua corrente é igual a 20 A. Os condutores estão em equilíbrio térmico a uma temperatura tal que a resistividade do cobre é igual a 0,02 Ω.mm2/m.

Considerando-se uma queda de tensão, desde o polo positivo do banco até à carga, de exatos 5 % da tensão nominal, então a bitola dos condutores, em mm2, é

72 Q418414
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

O fator de potência de uma carga pode ser obtido através da leitura direta de um medidor de fator de potência. Caso não se disponha de tal instrumento de medição, a mesma variável pode ser determinada através da análise das medições aferidas em

73 Q418413
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

74 Q418412
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

75 Q418411
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

Uma bomba d´água de um reservatório é acionada por um motor de indução trifásico de 10 CV e 60 Hz. Tal motor desenvolve um torque nominal de 115lb-pé, e sua reatância com rotor bloqueado é cinco vezes o valor da resistência desse rotor.

Baseando-se nos dados fornecidos, o valor do escorregamento percentual, quando o torque for máximo, é de

76 Q418410
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

Um transformador de 10 kVA/ 60 Hz atinge o rendimento máximo quando o seu carregamento chega a 50%. A perda no ferro com metade da tensão nominal e sem carga no secundário é de 0,125 kW.

Quanto valerá o rendimento máximo percentual quando a carga no transformador tiver fator de potência de 0,8?

77 Q418409
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

78 Q418408
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

79 Q418407
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

80 Q418406
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

Deseja-se utilizar um transformador ideal monofásico de 500 kVA, 20/10 kV, 60 Hz como um autotransformador abaixador de 30/20 kV. Qual será a potência nominal do autotransformador, em kVA, nessas condições?

81 Q418405
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

82 Q418404
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: CONSULPLAN Consultoria (CONSULPLAN)

Quanto à utilização e funcionamento dos capacitores, marque V para as afirmativas verdadeiras e F para as falsas.

( ) A instalação deve ser precedida de medidas operacionais que levem à diminuição da necessidade de reativo como desligamento de motores ou outras cargas indutivas ociosas.

( ) Como fontes de reativo, a circulação fica limitada aos pontos onde é efetivamente necessária, reduzindo perdas.

( ) São equipamentos capazes de armazenar energia reativa e fornecer aos equipamentos a energia necessária ao seu funcionamento.

A sequência está correta em

83 Q418403
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Para determinar o número de espiras dos enrolamentos de um transformador fez-se um enrolamento auxiliar com 10 espiras enroladas no núcleo. Ao aplicar 220 V no primário obteve-se, no secundário, uma tensão de 40 V e no enrolamento auxiliar 2 V. O número de espiras dos enrolamentos do primário e do secundário do transformador são, respectivamente,

84 Q418402
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

85 Q418401
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

86 Q418400
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Um transformador tem as seguintes especificações nominais: 110 V × 12 V − 6 VA. Apresenta, respectivamente, as correntes do primário e secundário quando este transformador está operando em máxima potência:

87 Q418399
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

88 Q418332
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Uma associação série envolvendo os resistores de cores amarelo-violeta-vermelho-ouro e branco-marrom-marrom-ouro pode ser substituída, sem comprometer o valor real da resistência, por um único resistor de cores:

89 Q418331
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Caracteriza o SCR:

90 Q418293
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Dois capacitores de 100 μF são associados em série e alimentados por uma tensão DC de 200 V. A carga armazenada em cada capacitor vale

91 Q418292
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Um transformador monofásico tem a especificação seguinte: 220 V × 110 + 110 V − 880 VA. O ensaio em curtocircuito determinou a tensão de curto-circuito para que o transformador atinja a corrente nominal no primário, cujo valor medido foi 18 V. A impedância percentual e a corrente de curto-circuito do transformador valem, respectiva e aproximadamente,

92 Q418291
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Sendo IB a corrente de projeto do circuito de uma instalação elétrica e IZ a capacidade de condução de corrente dos seus condutores, um disjuntor com corrente nominal de 40 A se enquadra em:

93 Q418290
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

94 Q418259
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

95 Q418258
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

96 Q418135
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

97 Q418133
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

Um alimentador trifásico de 200 V de tensão de linha alimenta uma carga trifásica resistiva de 3.000 W.

A corrente nominal, em ampères, nesse alimentador é de

98 Q417980
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Energia Essencial

A intensidade da corrente é dada pela quantidade de carga elétrica por unidade de tempo. Então temos Onde:

I – Q = carga elétrica > Joule (J);

II – Delta t = intervalo de tempo > hora (h);

III – i = intensidade de corrente elétrica > Coulomb por segundo (C/s) = Ampere (A).

Quais afirmativas acima estão corretas?

99 Q417979
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação de Apoio ao Desenvolvimento da UEL (FAUEL)

Para se conhecer a corrente elétrica e consequentemente definir a bitola do condutor a ser utilizado é necessário:

100 Q417974
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de campo MOS (metal-óxido silício), com canal N e substrato formado por semicondutor P. Essa aplicação depende do controle da tensão porta-fonte do transistor. Assinale a opção correspondente ao fato que ocorre quando se aplica tensão porta-fonte positiva no transistor.

101 Q417891
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

102 Q417890
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

103 Q417888
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Sobre dimensionamento de condutores de uma instalação elétrica, é correto afirmar:

104 Q417886
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Uma pilha de tensão nominal igual a 1,5 V já usada tem a sua tensão medida por um multímetro digital de 3 ½ dígitos com o seletor em três posições diferentes: 2 VDC, 20 VDC e 200 VDC. Apresenta coerentemente a visualização dos valores no display do multímetro:

105 Q414004
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Uma infraestrutura de teste possui entre outros equipamentos um analisador de espectro e um osciloscópio para o teste paramétrico de sistemas. Podemos dizer que:
106 Q414000
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
No contexto da implementação física de um circuito integrado afirma-se o que segue. I. O efeito de eletromigração (EM) é decorrente da alta densidade de corrente e alternância de temperatura nas linhas de interconexão sendo uma das causas de ruptura ou falha mecânica das mesmas. II. O emprego de bibliotecas de células com múltiplos Vt (tensões de limiar dos transistores) objetiva a redução da corrente de fuga (leakage) em geometrias com canal mais curto. III. Efeitos de interferência entre trilhas de roteamento têm impacto no incremento do atraso na linha afetado degradando a integridade do sinal.
107 Q413994
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
No projeto de um sistema em chip (SoC), é empregado um grande número de núcleos e blocos de propriedade intelectual. Uma estratégia para lidar com a testabilidade deste tipo de sistema é:
108 Q413989
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
O método de medida de IDDq (corrente quiescente total) é mais indicado para diagnosticar falhas do tipo:
109 Q413986
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
O emprego de técnicas de projeto voltadas ao teste (DFT) pode auxiliar tanto no teste de dispositivos isolados (teste de manufatura) como no teste de um sistema composto por vários dispositivos interconectados em uma placa de circuito impresso. Neste sentido, para minimizar ou mesmo evitar o emprego de “camas de pregos” para teste e diagnóstico de falhas em sistemas eletrônicos pode-se:
110 Q413976
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
A concepção de um de um circuito integrado da especificação ao dispositivo físico pode ser divida em quatro grandes etapas que compreendem: síntese do design, verificação, fabricação e teste. Em relação a estas etapas afirma-se o disposto a seguir. I. A síntese do design implementa as funcionalidades de entrada e saída da aplicação alvo levando em conta as características do processo de fabricação e dispositivos. II. A verificação destina-se a apenas a complementar a etapa de teste do dispositivo físico. III. A etapa teste deve iniciar já na etapa de design com o objetivo de facilitar a sua realização após a fabricação. Com relação às afirmações acima, pode-se afirmar que: