51 Q568373
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Dado o desenvolvimento de um sistema integrado VLSI, a inserção de blocos ou estruturas para facilitar o teste do circuito integrado ocorre durante:
52 Q568368
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Em uma linha de produção de circuitos integrados, os testes demandam uma grande parte do tempo e de homens-hora por peça gastos no processo. Em contrapartida, é um passo essencial na cadeia produtiva, permitindo muitas vezes detectar antecipadamente falhas no processo produtivo, evitando custos desnecessários. Com relação aos testes de semicondutores, analise as seguintes sentenças e assinale a opção correta: I) O BISR (Built-In-Self-Repair) é uma técnica muito utilizada na fabricação de memórias. II) Na fabricação de memórias, quando estas apresentam um padrão de repetitividade de blocos funcionais, podem ser criados blocos extras dentro do circuito que no caso de uma falha pontual podem substituir os blocos problemáticos.
53 Q418454
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Suponha que se deseja testar as condições de funcionamento de um retificador controlado de silício (SCR) que foi retirado de um circuito eletrônico por suspeita de estar danificado. Para o teste, deverá ser utilizado um ohmímetro adequadamente ajustado. No que se refere ao procedimento do teste a ser feito para atender a essa situação hipotética, julgue o item abaixo.

É preciso ligar o terminal positivo do ohmímetro no ânodo e o negativo, no cátodo, mantendo-os ligados dessa forma durante o ensaio.

54 Q418453
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

55 Q418452
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

56 Q418451
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

57 Q418450
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

É correto concluir que H1 (z) = 1 + z-1 + z-2.

58 Q418449
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Mariana Resende Costa (FUMARC)

Um amperímetro que utiliza o mecanismo medidor de D’Arsonval possui uma resistência de medidor RM de 50 Ω e corrente de fundo de escala de 1 mA. A inclusão de um resistor RSHUNT de 12,5 Ω permitirá um acréscimo percentual na medição do amperímetro de

59 Q418434
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Um transformador com 400 espiras no primário teve aplicada uma tensão de 250 V na bobina desse segmento. Para que possa resultar uma bobina com 200 espiras no secundário, a tensão induzida a ser aplicada no secundário deve ser, em V, de

60 Q418427
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)