31 Q418456
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A respeito de medidas realizadas em circuitos elétricos e eletrônicos, julgue os itens que se seguem.

Um voltímetro deve ter a menor impedância interna possível para que não cause alterações nas tensões do circuito ao ser colocado em série com componentes resistivos para medir a queda de tensão sobre esses componentes.

32 Q418455
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A respeito de medidas realizadas em circuitos elétricos e eletrônicos, julgue os itens que se seguem.

Para medir corrente elétrica, os terminais de um amperímetro devem ser colocados em série com o circuito em que se quer medir a corrente, devendo a impedância interna do amperímetro ser a mais baixa possível.

33 Q418273
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: FUNDATEC Processos Seletivos (FUNDATEC)

arque a alternativa que apresenta o valor da resistência em derivação (shunt) que deverá ser utilizada na conversão de um miliamperímetro, com fundo de escala de 1 mA e resistência da bobina de 64 ohms, para operar na faixa de 0 – 50 mA.

34 Q418110
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

35 Q418109
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Um técnico de laboratório foi solicitado para a seleção de resistores diversos. Durante a seleção, esse técnico deparou- -se com um resistor com as seguintes faixas de cores: vermelha, na primeira faixa; violeta, na segunda faixa; marrom, na terceira faixa; e ouro, na quarta faixa. Nesse contexto, assinale a alternativa que apresenta corretamente a faixa de resistência em que esse resistor deve se encontrar.

36 Q418107
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

São códigos de tiristores comerciais:

37 Q413391
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Instituto Americano de desenvolvimento (IADES)
Em relação ao Teorema de Thévenin para circuitos de corrente alternada senoidais, assinale a alternativa correta.
38 Q413380
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Instituto Americano de desenvolvimento (IADES)

Sobre o funcionamento dos circuitos de eletrônicas, julgue os itens a seguir.

I - O multivibrador astável ou somente chamado de multivibrador, baseia-se da alternância entre os estados de condução e corte de dois transistores. Essa alternância não encontra um estado estável, e os transistores ficam constantemente trocando de estado numa velocidade determinada pelos valores dos resistores e capacitores.

II - O oscilador de bloqueio é encontrado nos circuitos de varredura de televisores, sendo bastante usado devido à possibilidade de se obter sinais senoidais ou dente de serra.

III - Nos circuitos integrados lineares a potência do sinal é bastante boa, podendo excitar LÉDs e até transdutores de alta impedância, como os tipos cerâmicos.

É correto o que s...

39 Q412932
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)
Sobre as fontes chaveadas, é correto afirmar:
40 Q412923
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)
Sobre os SCRs, quando em condução, é correto afirmar:
41 Q410503
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
A magnitude da corrente de linha necessária para alimentar a carga é superior a 6 A.
42 Q410501
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
O fator de potência da carga é 0,75 indutivo.
43 Q410459
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
O ganho DC da função de transferência G(s) é menor que 2.
44 Q410457
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
O sistema representado por G(s) é controlável.
45 Q410429
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Julgue os itens subsequentes, relativos à conversão analógica-digital e digital-analógica. Se um conversor analógico-digital tiver entrada analógica entre 0 V e 5 V e saída de 8 bits que formem números entre 0 e 255, então uma entrada de 2 V corresponderá à saída 102.
46 Q410427
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Julgue os itens subsequentes, relativos à conversão analógica-digital e digital-analógica. Em um conversor digital-analógico que utilize uma rede R-2R, a dependência da precisão do conversor relativamente à precisão dos resistores será muito maior que a de um conversor digital-analógico que utilize uma rede de resistores ponderados em que os valores dos resistores cresçam como uma série geométrica com razão 2.
47 Q410344
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue os itens seguintes. O rendimento do amplificador classe C é maior que o dos amplificadores classes A, B e AB, de modo que seu ganho é máximo na frequência de ressonância.
48 Q410343
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue os itens seguintes. O comportamento do diodo de Schottky baseia-se na barreira de potencial na junção de semicondutores dopados dos tipos N e P.
49 Q410342
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue os itens seguintes. O controle do fluxo de corrente no transistor de efeito de campo (FET) é feito por corrente, ao passo que, no transistor bipolar de junção (BJT), esse controle é feito por tensão.
50 Q410341
Engenharia Elétrica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue os itens seguintes. O SCR (silicon controlled rectifier) é composto pela junção de duas camadas P e duas N, alternadas entre si, com três terminais: anodo, catodo e porta. O circuito equivalente ao SCR pode ser representado pela associação de um transistor PNP com um NPN.
51 Q568373
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Dado o desenvolvimento de um sistema integrado VLSI, a inserção de blocos ou estruturas para facilitar o teste do circuito integrado ocorre durante:
52 Q568368
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Em uma linha de produção de circuitos integrados, os testes demandam uma grande parte do tempo e de homens-hora por peça gastos no processo. Em contrapartida, é um passo essencial na cadeia produtiva, permitindo muitas vezes detectar antecipadamente falhas no processo produtivo, evitando custos desnecessários. Com relação aos testes de semicondutores, analise as seguintes sentenças e assinale a opção correta: I) O BISR (Built-In-Self-Repair) é uma técnica muito utilizada na fabricação de memórias. II) Na fabricação de memórias, quando estas apresentam um padrão de repetitividade de blocos funcionais, podem ser criados blocos extras dentro do circuito que no caso de uma falha pontual podem substituir os blocos problemáticos.
53 Q418454
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Suponha que se deseja testar as condições de funcionamento de um retificador controlado de silício (SCR) que foi retirado de um circuito eletrônico por suspeita de estar danificado. Para o teste, deverá ser utilizado um ohmímetro adequadamente ajustado. No que se refere ao procedimento do teste a ser feito para atender a essa situação hipotética, julgue o item abaixo.

É preciso ligar o terminal positivo do ohmímetro no ânodo e o negativo, no cátodo, mantendo-os ligados dessa forma durante o ensaio.

54 Q418453
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

55 Q418452
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

56 Q418451
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

57 Q418450
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

É correto concluir que H1 (z) = 1 + z-1 + z-2.

58 Q418449
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Mariana Resende Costa (FUMARC)

Um amperímetro que utiliza o mecanismo medidor de D’Arsonval possui uma resistência de medidor RM de 50 Ω e corrente de fundo de escala de 1 mA. A inclusão de um resistor RSHUNT de 12,5 Ω permitirá um acréscimo percentual na medição do amperímetro de

59 Q418434
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Um transformador com 400 espiras no primário teve aplicada uma tensão de 250 V na bobina desse segmento. Para que possa resultar uma bobina com 200 espiras no secundário, a tensão induzida a ser aplicada no secundário deve ser, em V, de

60 Q418427
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

61 Q418426
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

62 Q418424
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Com base nessas informações, julgue os seguintes itens.

Os valores de resistência de R1, R2, R3 e R4 são iguais a, respectivamente, 8Rx, 4Rx, 2Rx e Rx.

63 Q418423
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Na tabela acima, é apresentada a especificação técnica de um circuito digital da família TTL. Considere que mín., nom. e máx., na tabela, sejam designações para valores de tensão mínima, nominal e máxima, respectivamente. Com base na tabela, julgue os itens de 63 a 65.

A margem de ruído para o estado baixo é inferior a 0,5 V.

64 Q418422
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Com base nessas informações, julgue os itens que se seguem.

A densidade superficial de cargas livres nas placas do capacitor é, nas condições apresentadas acima, maior que 200 nC/m2.

65 Q418421
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Com base nessas informações, julgue os itens que se seguem.

Em face das informações apresentadas, é correto afirmar que a diferença de potencial elétrico entre as placas do capacitor é maior que 18 V.

66 Q418420
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Acerca das propriedades e características de materiais, componentes e equipamentos elétricos, julgue os itens seguintes.

Quando um amperímetro é conectado, equivocadamente, em paralelo com um trecho de circuito, é inevitável a ocorrência de danos a esse circuito e ao próprio instrumento de medição. De forma semelhante, a conexão equivocada de um voltímetro em série com um trecho de circuito necessariamente resultará em danos ao circuito e ao voltímetro.

67 Q418419
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Acerca das propriedades e características de materiais, componentes e equipamentos elétricos, julgue os itens seguintes.

68 Q418418
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação de Apoio ao Desenvolvimento da UEL (FAUEL)

A diferença de potencial pode ser aferida através do:

69 Q418417
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

No eletroduto II, os condutores são os apresentados em

70 Q418416
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

No eletroduto I, passam os condutores apresentados em