Questões de Engenharia Mecatrônica da VUNESP

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A resistência elétrica de um material é calculada a partir do seu comprimento L, da área da sua secção transversal A e da sua resistividade ρ. Considerando que a área da secção transversal seja dobrada, ou seja, torne-se 2A, a resistência elétrica será

Os tiristores possuem uma estrutura que envolve camadas de materiais semicondutores em uma sequência, a saber:

O modelo de Ebers-Moll pode ser utilizado para modelar o comportamento de transistores bipolares. Supondo os seguintes parâmetros: IB, IC, IE são as correntes de base, coletor e emissor, respectivamente; ICD e IED são as correntes dos diodos de coletor e emissor, respectivamente; αF, αR são os ganhos de corrente em base comum direto e reverso respectivamente, o modelo de Ebers-Moll para um transistor NPN é:

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