Questões sobre Geral

#Questão 441895 - Engenharia Mecatrônica, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Engenheiro

Um circuito retificador de meia onda com resistor R de valor nominal de 1 k opera alimentado por rede AC de 220 Vrms e 50 Hz à qual é acoplado por um transformador rebaixador de 220:1. Além disso, esse circuito utiliza um diodo de silício com queda constante V_D0 de 0,5 V, independentemente da intensidade da corrente. Sobre o circuito, considerando-se a resistência interna do diodo desprezível em relação a R, pode-se afirmar que a fração do ciclo na qual há condução do diodo é de aproximadamente

A) 1/3.

B) 1/4.

C) 2/3.

D) 1.

E) 1/2.

#Questão 441896 - Engenharia Mecatrônica, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Engenheiro

Uma fonte de tensão regulada fornece 28 V quando seus terminais de saída estão em circuito aberto. Ao ser conectado um circuito resistivo a essa fonte, observa-se que a tensão fornecida se reduz para 14 V. Pode-se afirmar que houve regulação de tensão de aproximadamente

A) 31%.

B) 25%.

C) 50%.

D) 76%.

E) 100%.

#Questão 441898 - Engenharia Mecatrônica, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Engenheiro

Considere um circuito constituído por uma fonte de tensão que fornece 1 V ao circuito, um termistor, um resistor de 100 Ω e um amperímetro ideal conectados em série. Considerando ainda que a leitura do amperímetro é de 5 mA, a resistência do termistor é de

A) 1 kΩ.

B) 10 kΩ.

C) 100 Ω.

D) 10 Ω.

E) 5 Ω.

#Questão 441902 - Engenharia Mecatrônica, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Engenheiro

Dispositivos semicondutores de portadores minoritários podem exibir altas tensões de corte com queda de tensão em condução direta relativamente pequena. Contudo, os tempos de chaveamento desses dispositivos são mais longos e são controlados pela inserção ou remoção de cargas minoritárias armazenadas. Assinale a alternativa que mostra exemplos de dispositivos semicondutores de portadores minoritários

A) Os diodos Schottky e os transistores bipolares de junção.

B) Os tiristores e os IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors – Transistores Bipolares com Porta Isolada).

C) Os JFET (Junction Field Effect Transistors – Transistores de Efeito de Campo de Junção) e os MOSFET (Metal-Oxide Silicon Field Effect Transistors – Transistor de Efeito de Campo tipo Metal-Óxido-Semicondutor).

D) Os diodos Schottky e os diodos PIN.

E) Os MOSFET (Metal-Oxide Silicon Field Effect Transistors – Transistor de Efeito de Campo tipo Metal-Óxido- Semicondutor) e os SCR (Silicon Controlled Rectifier – Retificador Controlado de Silício).

#Questão 441903 - Engenharia Mecatrônica, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Engenheiro

Considere um circuito com um MOSFET tipo depleção canal n, cujo terminal de dreno encontra-se em série com um varistor R_D e uma fonte de tensão V_DD de 5 V e cujos terminais de porta e de fonte encontram-se aterrados. Suponha que a corrente através do varistor seja de 1 mA. Se a tensão de limiar do MOSFET, V_t é igual a -1 V e a modulação do comprimento do seu canal é desprezível, a faixa de valores para R_D de modo que a corrente permaneça constante em 1 mA é a seguinte:

A) 4 kÙ a 40 kÙ.

B) 4Ù a 8 kÙ.

C) 4Ù a 4 kÙ.

D) 1Ù a 4 Ù.

E) 0Ù a 4 kÙ.

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