Questões de Engenharia Mecatrônica do ano 2012

Considere um circuito constituído por uma fonte de tensão que fornece 1 V ao circuito, um termistor, um resistor de 100 Ω e um amperímetro ideal conectados em série. Considerando ainda que a leitura do amperímetro é de 5 mA, a resistência do termistor é de

Na medição de um tom de 1 MHz com um osciloscópio CRT, ao se ajustar a frequência de varredura horizontal desse equipamento para 5 kHz, o número de ciclos do tom visualizados na tela do osciloscópio será o seguinte:

Dispositivos semicondutores de portadores minoritários podem exibir altas tensões de corte com queda de tensão em condução direta relativamente pequena. Contudo, os tempos de chaveamento desses dispositivos são mais longos e são controlados pela inserção ou remoção de cargas minoritárias armazenadas. Assinale a alternativa que mostra exemplos de dispositivos semicondutores de portadores minoritários

Considere um circuito com um MOSFET tipo depleção canal n, cujo terminal de dreno encontra-se em série com um varistor R_D e uma fonte de tensão V_DD de 5 V e cujos terminais de porta e de fonte encontram-se aterrados. Suponha que a corrente através do varistor seja de 1 mA. Se a tensão de limiar do MOSFET, V_t é igual a -1 V e a modulação do comprimento do seu canal é desprezível, a faixa de valores para R_D de modo que a corrente permaneça constante em 1 mA é a seguinte:

Um transdutor com 5 V_rms de tensão e resistência de 1 MΩ é utilizado para acionar uma carga de 10 Ω. Se um amplificador isolador (buffer) de ganho unitário com resistência de entrada de 1 MΩ for inserido entre o transdutor e a carga, a tensão sobre a carga e o ganho de tensão da fonte até a carga serão, respectivamente, os seguintes: