5691 Q413706
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Para se fabricar um inversor com transistores MOS, pode-se fazê-lo utilizando:
5692 Q413705
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Durante um estudo de caracterização de um MOSFET, foram utilizados 2 (dois) equipamentos para controlar a tensão entre porta e fonte (VGS) e entre dreno e fonte (VDS). Tais equipamentos permitem medir a corrente fornecida, e, desta forma, foi medida a corrente entre dreno e fonte (IDS). Com este esquema de testes, VDS foi mantido fixo a 0,1V e variou-se VGS medindo-se IDS. Os pontos resultantes foram marcados em um gráfico (abscissa VGS e ordenada IDS) e foi traçada a reta tangente à curva com maior inclinação com relação ao eixo horizontal. O ponto de interseção da extrapolação desta reta com o eixo horizontal determina para este transistor a:
5693 Q413703
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Um engenheiro, ao realizar testes com um transistor MOSFET de canal N tipo enriquecimento, conectou o terminal fonte ao terra e aplicou uma tensão de 1,5V ao terminal de porta. É sabido que este transistor possui uma tensão de limiar (Vt) de 0,7V. Em seguida, aplicou tensões ao terminal de dreno com valores de: 0,5V; 0,9V e 2 V. Pode-se afirmar que, para cada valor de tensão aplicada ao dreno, o transistor estava operando, respectivamente, nas regiões de:
5694 Q413701
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Um engenheiro realizou alguns testes com um transistor MOSFET de canal N para tentar caracterizá-lo. Ele estudou a variação das tensões entre porta e fonte (VGS), e entre dreno e fonte (VDS). Sendo assim, analise as seguintes asserções feitas:

I) Para uma tensão VGS fixa, acima da tensão de limiar (Vt), variando-se a tensão VDS existe um valor desta última que faz com que o transistor entre na região de saturação.

II) Se VDS = VGS - Vt, a diferença de potencial entre porta e dreno fica igual à tensão de limiar (Vt), e o canal atinge sua largura máxima, ponto a partir do qual mudanças em VDS têm pouco efeito sobre o valor de corrente entre fonte e dreno, e o transistor se diz saturado.

Com relação a estas assertivas, pode-se afirmar que:

5695 Q413699
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Uma das características de um transistor MOSFET é a existência de uma tensão de limiar (threshold). Analise as assertivas a seguir, sobre esta tensão:

I) Para tensões entre porta (gate) e fonte (source), VGS, abaixo de uma tensão de limiar (Vt), não haverá ou será muito pequeno o fluxo de corrente entre fonte e dreno.

II) Quando VGS < Vt, a densidade de cargas acumuladas no canal é nula ou muito pequena já que a intensidade de campo elétrico não será suficiente para a formação do canal condutor.

Com relação a essas assertivas, pode-se afirmar que:
5696 Q413698
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Um transistor MOSFET possui algumas regiões de operação que variam conforme a polarização dos terminais deste dispositivo. A única alternativa que NÃO corresponde a uma região de operação de um MOSFET é
5697 Q413696
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
5698 Q413695
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Ao analisar um capacitor MOS, pode-se traçar uma curva do valor de capacitância em função da tensão aplicada aos terminais. Sobre esta curva, conhecida como curva CV, pode-se afirmar que
5699 Q413693
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Um engenheiro realizou diversos testes de caracterização de um capacitor MOS variando a tensão aplicada a seus terminais e medindo a capacitância. Analise as seguintes sentenças:

I) A capacitância varia monotonicamente com a tensão.

II) A variação da capacitância é linear com relação à tensão.

III) A curva CV (Capacitância versus Tensão) apresenta um máximo de capacitância.

Este engenheiro pode concluir que estão corretas as sentenças:
5700 Q413691
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Para a inserção de capacitores em circuitos integrados, alguns tipos de estruturas são possíveis. Um destes tipos é o capacitor MOS. Analisando-se um capacitor MOS, pode-se afirmar que sua capacitância