Questões de Engenharia Aeronáutica da CESPE / CEBRASPE

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Listagem de Questões de Engenharia Aeronáutica da CESPE / CEBRASPE

#Questão 367471 - Engenharia Aeronáutica, Geral, CESPE / CEBRASPE, 2009, ANAC, Especialista em Regulação de Aviação Civil (Àrea 1)

O esquema acima ilustra um circuito de polarização empregando um TBJ do tipo npn. Considerando que a tensão do terminal de base esteja 0,7 V acima daquela do terminal de emissor, e que o ganho de corrente de emissor comum  seja igual a 200, julgue os itens que se seguem.

O esquema do circuito em questão pode ser utilizado para amplificação de sinais conectados capacitivamente ao terminal de base, adotando-se a configuração emissor comum. Nessa situação, o ganho de tensão é diretamente proporcional à resistência RC , que pode ser selecionada como arbitrariamente alta. Por sua vez, o resistor RE , que é normalmente conectado em paralelo a um capacitor de desvio, é imprescindível para garantir estabilização do ponto de operação diante de eventuais variações térmicas.

#Questão 367683 - Engenharia Aeronáutica, Geral, CESPE / CEBRASPE, 2009, ANAC, Especialista em Regulação de Aviação Civil (Àrea 3)

No que se refere à gestão econômica, julgue os itens a seguir.

No custeio variável, ou direto, a totalidade dos custos, fixos e variáveis, é alocada aos produtos.

#Questão 367684 - Engenharia Aeronáutica, Geral, CESPE / CEBRASPE, 2009, ANAC, Especialista em Regulação de Aviação Civil (Àrea 3)

No que se refere à gestão econômica, julgue os itens a seguir.

O método do pay back consiste em definir o período de tempo necessário para recuperar o capital investido.

#Questão 367473 - Engenharia Aeronáutica, Geral, CESPE / CEBRASPE, 2009, ANAC, Especialista em Regulação de Aviação Civil (Àrea 1)

A respeito das características de transistores MOSFET e TBJ, julgue os itens subsequentes.

Em amplificadores implementados com MOSFET, a transcondutância para pequenos sinais é um parâmetro que depende somente das características físicas e geométricas do MOSFET.

#Questão 367475 - Engenharia Aeronáutica, Geral, CESPE / CEBRASPE, 2009, ANAC, Especialista em Regulação de Aviação Civil (Àrea 1)

A respeito das características de transistores MOSFET e TBJ, julgue os itens subsequentes.

O efeito da modulação do comprimento do canal em transistores MOSFET, que ocorre para valores relativamente altos da tensão de dreno, faz que a resistência incremental de saída do MOSFET, observada entre seus terminais de dreno e fonte, seja finita, ao contrário da idealização infinita. Em geral, quanto maior o comprimento do canal, mais pronunciado é o efeito de corpo.

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