749831 Q482737
Física
Ano: 2009
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

749832 Q482735
Física
Ano: 2009
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

749833 Q482733
Física
Ano: 2009
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Com relação ao circuito lógico mostrado na figura acima, que é formado pela interconexão de duas portas inversoras, duas portas E e uma porta OU, julgue os itens que se seguem.

A saída do circuito estará em nível lógico alto — f (A, B) = 1 — sempre que as variáveis de entrada A e B estiverem em níveis lógicos diferentes. De forma complementar, a saída estará em nível lógico baixo — f (A, B) = 0 — sempre que as variáveis de entrada estiverem em níveis lógicos iguais. Trata-se, portanto, de um circuito comparador.

749834 Q482731
Física
Ano: 2009
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Com relação ao circuito lógico mostrado na figura acima, que é formado pela interconexão de duas portas inversoras, duas portas E e uma porta OU, julgue os itens que se seguem.

749835 Q482729
Física
Ano: 2009
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

O circuito lógico ilustrado na figura acima é sintetizado com três diodos idênticos. Cada diodo pode ser alimentado com uma fonte de 5 V ou aterrado. O nível lógico 1 é definido como a tensão analógica compreendida entre 4 e 5 volts, e o nível lógico 0, como a tensão analógica compreendida entre 0 e 1 volt. Sabendo que a queda de tensão sobre os diodos em condução é de 0,7 volt, julgue os itens a seguir.

Durante operação, a máxima potência dissipada pelo circuito em questão é de 2,15 miliwatts.

749836 Q482727
Física
Ano: 2009
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

O circuito lógico ilustrado na figura acima é sintetizado com três diodos idênticos. Cada diodo pode ser alimentado com uma fonte de 5 V ou aterrado. O nível lógico 1 é definido como a tensão analógica compreendida entre 4 e 5 volts, e o nível lógico 0, como a tensão analógica compreendida entre 0 e 1 volt. Sabendo que a queda de tensão sobre os diodos em condução é de 0,7 volt, julgue os itens a seguir.

O circuito lógico mostrado desempenha a função de uma porta E.

749837 Q482725
Física
Ano: 2009
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Acerca de um osciloscópio digital construído com uma placa de aquisição com taxa de amostragem de 100 Msamples/s, ou seja, 100 mega amostras por segundo, cujo monitor (tela) exiba dez divisões na escala de tempo, julgue os seguintes itens.

Para que pelo menos um ciclo completo de um sinal senoidal de 5 MHz seja capturado na tela do referido osciloscópio, o botão de controle da escala de tempo deverá ser ajustado para 20 ns por divisão.

749838 Q482723
Física
Ano: 2009
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Acerca de um osciloscópio digital construído com uma placa de aquisição com taxa de amostragem de 100 Msamples/s, ou seja, 100 mega amostras por segundo, cujo monitor (tela) exiba dez divisões na escala de tempo, julgue os seguintes itens.

Sinais senoidais de frequência até 100 MHz podem ser devidamente amostrados e reconstruídos pelo osciloscópio em questão.

749839 Q482722
Língua Inglesa
Ano: 2009
Banca: Escola de Administração Fazendária (ESAF)

In paragraph 1, growth in the new order is defined as

749840 Q482721
Física
Ano: 2009
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

O amplificador de sinal é um circuito fundamental para processamento de informação. Para que a amplificação seja eficiente, um amplificador de sinal deve exibir resposta linear dentro de sua faixa dinâmica de operação, alta impedância de entrada, baixa impedância de saída e ganho elevado. Na prática atual, transistores dos tipos MOSFET e TBJ são amplamente empregados na síntese desses amplificadores. Com respeito às propriedades de MOSFET e TBJ como elementos de circuitos amplificadores de sinal, julgue os próximos itens.

Sob condições semelhantes de operação (polarização), o ganho de tensão de um amplificador de sinal implementado com um TBJ tende a ser superior àquele implementado com um MOSFET.