Questões de Concurso - Estude Grátis

626921 Q113419

Química

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Que fenômenos podem ocorrer no fotorresiste negativo após a exposição?

A Ativação do foto-ácido, cross-link, dissolução do polímero. B Cross-link, polimerização, formação de grupos polares ou apolares, mudança do estado de oxidação dos íons. C Ativação do foto-ácido, polimerização, mobilização das cadeias poliméricas. D Dissolução do polímero, foto-ativação, difusão de íons. E Inibição do foto-ácido, estabilização térmica, cross-link.

626922 Q113417

Química

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Quais as principais causas das ondas estacionárias nos fotorresistes?

A Pouca mobilidade das cadeias poliméricas no fotorresiste. B Pouca difusão do foto-ácido. C Espessura do fotorresiste. D A difração nos limites das lentes e nas bordas das estruturas nas máscaras. E Comprimento de onda utilizado.

626923 Q113416

Química

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Defina o termo stripping para litografia.

A Revelação do fotorresiste. B Estabilização do fotorresiste. C Completa remoção do fotorresiste. D Etapa posterior à litografia para corrosão do substrato. E Limpeza do substrato antes do spinning.

626924 Q113414

Química

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

O que significa CD (Critical Dimension) in microlitografia?

A A menor linha da máscara litográfica. B A menor dimensão para fabricar um transistor MOS. C A menor dimensão definida por processo litográfico. D A menor espessura do fotorresiste. E A maior espessura do fotorresiste.

626925 Q113413

Química

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

As coberturas antirrefletoras (ARC) em fotolitografia são utilizadas para

A reduzir as ondas estacionárias em fotorresistes. B reduzir a dose do UV nos fotorresistes. C diminuir a espessura dos fotorresistes. D reduzir a sensibilidade dos fotorresistes. E atuar como filtros de UV em fotorresistes.

626926 Q113411

Química

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Como pode ser definida a sensibilidade em fotorresistes negativos?

A É definida como a quantidade de UV necessária a formação de imagem no fotorresiste. B É a medição da intensidade de luz UV pelo tempo de exposição. C É a medida da energia da fonte de UV. D É a energia efetiva da linha g da lâmpada de UV. E É a energia total da fonte de luz UV.

626927 Q113410

Química

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

O que é a litografia de três camadas?

A Litografia composta de camada de planarização, camada de barreira e camada fotossensível. B Litografia composta de três camadas de fotorresiste depositadas sequencialmente. C Processo litográfico para o desenvolvimento de dispositivos de três camadas tipo MOS. D Litografia utilizada na fabricação de máscaras litográficas. E Processo alternativo a fotolitografia com resistes não sensíveis à luz.

626928 Q113408

Química

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

O que é o processo lift-off ?

A É a corrosão da camada sob o fotorresiste utilizando técnicas de redução de tensão superficial. B É o processo de remoção do fotorresiste após a corrosão de metais. C É um processo litográfico aditivo, em que uma camada de metal é depositada de forma a ser utilizada como máscara litográfica invertida sobre uma camada espessa de fotorresiste. D É o processo de limpeza do promotor de aderência do substrato de silício. E É a completa remoção por processos químicos do fotorresiste após o hard-bake.

626929 Q113407

Química

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Quais as fontes de UV para os comprimentos de onda: 436 nm, 405 nm, 365 nm, 193 nm e 249 nm respectivamente?

A h-line Hg, i-line Hg, g-line Hg, laser de ArF e laser de KrF. B g-line Hg, h-line Hg, i-line Hg, laser de ArF e laser de KrF. C laser de ArF e laser de KrF, h-line Hg, i-line Hg, laser de Xe. D Xe flash, h-line Hg, i-line Hg, laser de ArF e laser de KrF. E g-line Hg, Xe flash, i-line Hg, laser de ArF e laser de KrF.

626930 Q113405

Química

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Quais as reações que ocorrem durante o Prebake ?

A O endurecimento do fotorresiste para resistir as corrosões por plasma. B A homogenização do fotorresiste e o aumento da sensibilidade. C A degradação do fotorresiste e sua posterior remoção. D A remoção do solvente, a adesão do fotorresiste e a ativação do foto-ácido. E A transição vítrea do polímero.

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