4821 Q480461
Física
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A respeito de células solares de junção p-n, julgue os itens seguintes.

No caso de uma célula solar de junção p-n, é esperado que a corrente de saturação reversa cresça à medida que a célula é iluminada. Isso acontece porque a aplicação de uma polarização reversa diminui a altura da barreira de energia na interface da junção, de modo a facilitar a passagem de corrente.

4822 Q480459
Física
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A respeito de células solares de junção p-n, julgue os itens seguintes.

Ao se examinar a curva corrente-voltagem de uma célula solar, percebe-se que o fator de preenchimento está relacionado diretamente ao valor da resistência em série devida aos contatos ôhmicos finos na superfície da célula. O fator de preenchimento aumenta quando a resistência em série aumenta.

4823 Q480457
Física
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A respeito de células solares de junção p-n, julgue os itens seguintes.

Uma célula solar consiste basicamente de uma junção p-n rasa com contatos ôhmicos finos na superfície. Esses contatos servem para a coleta dos portadores de carga, contudo, eles fornecem uma resistência em série grande, o que, muitas vezes, acarreta diminuição da eficiência da célula.

4824 Q480455
Física
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A respeito de células solares de junção p-n, julgue os itens seguintes.

Apesar de haver uma inclinação nas bandas de energia da junção p-n muito parecida com a inclinação de banda de um diodo polarizado diretamente, os portadores de carga fluem na direção oposta quando a junção é iluminada.

4825 Q480453
Física
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A respeito de células solares de junção p-n, julgue os itens seguintes.

A corrente de um diodo de junção p-n iluminada é composta inteiramente por portadores que se deslocam do lado p para o lado n.

4826 Q480451
Física
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A respeito de células solares de junção p-n, julgue os itens seguintes.

Os requisitos necessários para que um material seja usado para a confecção de células solares de junção p-n são: largura da banda de energia proibida próxima ao valor de energia do espectro solar, portadores de carga com alta mobilidade e baixo tempo de vida.

4827 Q480449
Física
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A respeito de células solares de junção p-n, julgue os itens seguintes.

O valor da tensão de circuito aberto é limitado pelo potencial de contato da junção p-n.

4828 Q480447
Física
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A respeito de células solares de junção p-n, julgue os itens seguintes.

No efeito fotovoltaico, há o aparecimento de uma tensão direta na junção iluminada.

4829 Q480445
Física
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A respeito de células solares de junção p-n, julgue os itens seguintes.

A emissão de luz de uma junção p-n polarizada diretamente é conhecida como efeito fotovoltaico.

4830 Q480443
Física
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

O substrato que foi dopado por implantação iônica normalmente se torna quase amorfo devido aos danos causados pelos íons de alta energia durante a implantação, e não há nada que possa ser feito para restaurar a sua condição cristalina anterior.