A operação de quase todos os dispositivos optoeletrônicos baseiase na criação ou aniquilação do par elétron-buraco. A formação desse par resulta da passagem de um elétron da banda de valência para a banda de condução, deixando na banda de valência um estado vazio, chamado de buraco. A partir dessas informações, julgue os itens que se seguem.

O par elétron-buraco pode ser criado, a princípio, por qualquer partícula energética incidente sobre o semicondutor, desde que esta tenha pelo menos energia igual à energia da banda proibida.

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

A microscopia de força atômica oferece a possibilidade de observação da superfície do material em escalas nanométricas somente para materiais condutores e semicondutores, enquanto que a microscopia por tunelamento pode examinar as topografias da superfície de materiais condutores e não-condutores.

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

A difração de elétrons rasantes de alta energia é muito usada para a verificação in situ das condições de crescimento epitaxial de um material semicondutor. É uma medida feita em tempo real e fornece informação sobre a desoxidação do substrato, a velocidade de crescimento e o modo de crescimento.

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

Os portadores de carga em uma junção p-n podem formar dois tipos de corrente elétrica, uma devido à deriva dos portadores (causada pelo campo elétrico aplicado), e outra devido ao gradiente de concentração dos portadores, que é chamada de corrente de difusão.

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

Considerando que a mobilidade do elétron em um semicondutor muito puro é de 200.000 cm2 /V.s à temperatura de 4,2 K, é correto afirmar que a mobilidade desse mesmo elétron à temperatura ambiente será maior que 200.000 cm2 /V.s.

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

As mobilidades dos portadores dependem fortemente de dois tipos de espalhamento que são influenciados pela temperatura. Em altas temperaturas, a mobilidade é limitada pelo espalhamento por impurezas, e em baixas temperaturas ela é limitada pelo espalhamento por fônons ópticos.

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

O experimento de Haynes-Shockley é usado para determinar os parâmetros devido aos portadores minoritários, enquanto que o experimento de efeito Hall determina parâmetros devido aos portadores majoritários.

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

A mobilidade dos portadores pode ser determinada por medida Hall, em que o movimento dos portadores através da amostra é alterado pela força de Lorentz devido a um campo elétrico aplicado.

Julgue os itens subseqüentes, relacionados à remoção de camadas de metais, isolantes e semicondutores.

A técnica de remoção de camadas por fotolitografia consiste basicamente em: oxidação da superfície da amostra; aplicação de fotorresiste sobre a camada de óxido; colocação de máscara sobre o fotorresiste e exposição à luz ultravioleta; e remoção do fotorresiste exposto à luz ultravioleta.