Julgue os itens subseqüentes, relacionados à remoção de camadas de metais, isolantes e semicondutores.

A litografia por feixe de íons focados e o ataque químico seco podem ser acoplados diretamente à câmara de crescimento do sistema de epitaxia por feixe molecular, a fim de reduzir a grande densidade de defeitos na interface durante um recrescimento convencional.

Acerca da caracterização óptica e química de semicondutores, julgue os próximos itens.

A composição química e estrutural de materiais orgânicos ou inorgânicos pode ser determinada por medidas Raman.

Acerca da caracterização óptica e química de semicondutores, julgue os próximos itens.

Um sistema para medidas de fotoluminescência deve consistir basicamente de: fonte de excitação, criostato com temperatura variável com prendedor de amostra acoplado, espectrômetro de varredura de alta resolução e sistema de detecção.

Acerca da caracterização óptica e química de semicondutores, julgue os próximos itens.

Fotoluminescência é uma poderosa ferramenta para a caracterização óptica de materiais semicondutores. Utilizando-a, é possível obter-se características de materiais semicondutores, tais como valor da energia da banda proibida, impurezas não-intencionais durante o crescimento do semicondutor e transições entre diferentes níveis de energia.

Acerca da caracterização óptica e química de semicondutores, julgue os próximos itens.

O processo de luminescência é chamado de: fotoluminescência, quando o par elétron-buraco é gerado a partir da injeção de fótons; eletroluminescência, quando o par elétron-buraco é gerado por elétrons energéticos.

Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.

A adsorção química é realizada por meio de interações de Van der Waals e não forma ligação química.

Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.

São exemplos de processos de deposição por vapor físico: sublimação, epitaxia por feixe molecular, sputtering e epitaxia por fase vapor.

Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.

O fato de ânions e cátions possuírem diferentes dinâmicas de adsorção sobre o mesmo substrato é devido à temperatura do mesmo.

Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.

As temperaturas dos substratos durante o crescimento por epitaxia por feixe molecular devem ser mantidas abaixo da temperatura de evaporação congruente do composto que se deseja crescer.

Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.

O processo de crescimento cristalino por epitaxia por feixe molecular consiste da adsorção dos átomos constituintes, da sua dissociação e migração na superfície e, finalmente, da sua incorporação, resultando no crescimento.