As radiações tanto corpusculares quanto eletromagnéticas, quando têm energia suficiente, atravessam a matéria, ionizando átomos e moléculas produzindo modificações químicas com conseqüências tanto construtivas quanto destrutivas. Assinale a opção correta, acerca das radiações.
A figura acima representa uma escada de madeira apoiada em um plano horizontal e em uma parede vertical. As setas representam as forças que atuam na escada (as reações nos apoios e a força-peso P).
Considerando essas informações e a respeito das condições de equilíbrio de forças, assinale a opção correta.
Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.
A difração de raios X é uma ferramenta muito usada para a observação da superfície de um material, pois, como não possuem carga elétrica, os raios X podem interagir mais facilmente com o mesmo.
Julgue os itens subseqüentes, relacionados à remoção de camadas de metais, isolantes e semicondutores.
O ataque químico úmido é geralmente usado para a limpeza inicial do substrato, retirando certa quantidade de material por meio de oxidação e remoção do óxido.
Acerca da caracterização óptica e química de semicondutores, julgue os próximos itens.
A fotoluminescência pode ser de dois tipos: fluorescente ou fosforescente, sendo que a primeira é um processo muito rápido e a segunda é um processo mais lento.
Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.
A adsorção física é caracterizada por um estado precursor fracamente ligado e móvel.
O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.
Das técnicas de epitaxia mais usadas, a técnica de epitaxia por feixe molecular é a que oferece um melhor controle na concentração dos dopantes e também é a que fornece interfaces das junções p-n mais abruptas.
Acerca de sistemas de vácuo, julgue os itens que se seguem.
A seqüência correta de bombeamento para se conseguir o ultra-alto vácuo (aproximadamente 10-11 torr) é a seguinte: bombas de sorção; bombas iônicas; sublimação de titânio associado a um painel criogênico de nitrogênio líquido; bomba turbomolecular.
Em um experimento, foram colocados em um pequeno forno, durante o mesmo tempo, um disco de ferro e uma quantidade equivalente de água, que, a princípio, estavam à mesma temperatura. A quantidade de calor recebida por ambos foi a mesma, contudo, após o aquecimento, o ferro apresentou temperatura superior à da água.
Considerando conceitos de energia e termodinâmica, julgue os itens a seguir, referentes ao experimento acima descrito.
O fato de as temperaturas finais dos dois materiais terem sido diferentes está relacionado a uma propriedade intrínseca dos mesmos, chamada calor específico.
