251 Q441910
Engenharia Mecatrônica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
252 Q441909
Engenharia Mecatrônica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
253 Q441907
Engenharia Mecatrônica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Para um amplificador de potência classe B alimentado por uma fonte de tensão VCC de 30 V que aciona uma carga de 100 Ω, a máxima potência de entrada, a potência de saída e a dissipação em cada transistor são, respectivamente: (utilize π = 3 nos cálculos)
254 Q441905
Engenharia Mecatrônica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Um transdutor com 5 Vrms de tensão e resistência de 1 MΩ é utilizado para acionar uma carga de 10 Ω. Se um amplificador isolador (buffer) de ganho unitário com resistência de entrada de 1 MΩ for inserido entre o transdutor e a carga, a tensão sobre a carga e o ganho de tensão da fonte até a carga serão, respectivamente, os seguintes:
255 Q441903
Engenharia Mecatrônica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Considere um circuito com um MOSFET tipo depleção canal n, cujo terminal de dreno encontra-se em série com um varistor RD e uma fonte de tensão VDD de 5 V e cujos terminais de porta e de fonte encontram-se aterrados. Suponha que a corrente através do varistor seja de 1 mA. Se a tensão de limiar do MOSFET, Vt é igual a -1 V e a modulação do comprimento do seu canal é desprezível, a faixa de valores para RD de modo que a corrente permaneça constante em 1 mA é a seguinte:
256 Q441902
Engenharia Mecatrônica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Dispositivos semicondutores de portadores minoritários podem exibir altas tensões de corte com queda de tensão em condução direta relativamente pequena. Contudo, os tempos de chaveamento desses dispositivos são mais longos e são controlados pela inserção ou remoção de cargas minoritárias armazenadas. Assinale a alternativa que mostra exemplos de dispositivos semicondutores de portadores minoritários
257 Q441900
Engenharia Mecatrônica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Na medição de um tom de 1 MHz com um osciloscópio CRT, ao se ajustar a frequência de varredura horizontal desse equipamento para 5 kHz, o número de ciclos do tom visualizados na tela do osciloscópio será o seguinte:
258 Q441898
Engenharia Mecatrônica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Considere um circuito constituído por uma fonte de tensão que fornece 1 V ao circuito, um termistor, um resistor de 100 Ω e um amperímetro ideal conectados em série. Considerando ainda que a leitura do amperímetro é de 5 mA, a resistência do termistor é de
259 Q441896
Engenharia Mecatrônica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Uma fonte de tensão regulada fornece 28 V quando seus terminais de saída estão em circuito aberto. Ao ser conectado um circuito resistivo a essa fonte, observa-se que a tensão fornecida se reduz para 14 V. Pode-se afirmar que houve regulação de tensão de aproximadamente
260 Q441895
Engenharia Mecatrônica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Um circuito retificador de meia onda com resistor R de valor nominal de 1 k opera alimentado por rede AC de 220 Vrms e 50 Hz à qual é acoplado por um transformador rebaixador de 220:1. Além disso, esse circuito utiliza um diodo de silício com queda constante VD0 de 0,5 V, independentemente da intensidade da corrente. Sobre o circuito, considerando-se a resistência interna do diodo desprezível em relação a R, pode-se afirmar que a fração do ciclo na qual há condução do diodo é de aproximadamente