31 Q760083
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Considere que, no circuito precedente, que representa uma fonte de alimentação não regulada, os componentes sejam componentes típicos para esse tipo de fonte. Considere também que o valor do capacitor seja de 2.000 microfarads, que RL=100 ohms e que a tensão RMS no secundário seja de 12 volts RMS.

Com relação a esse circuito, julgue os itens a seguir.

A tensão média sobre o resistor de carga RL é menor do que 12 volts.
32 Q760082
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

No circuito anterior, em que todos os componentes são considerados ideais, as transformadas de Laplace das tensões de entrada e de saída do circuito, vi(t) e vo(t), respectivamente, são dadas por Vi(s) e Vo(s). Acerca desse circuito, julgue os próximos itens.

33 Q760081
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Considere que todos os componentes do circuito precedente sejam ideais e que E1 = 10 V, E2 = 2 V, R1 = R2 = 4 kΩ, R 3 = R4 = 2 kΩ. Com relação a esse circuito, julgue os itens seguintes.

A corrente I2 é igual a 0,5 mA.
34 Q760080
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Considere que todos os componentes do circuito precedente sejam ideais e que E1 = 10 V, E2 = 2 V, R1 = R2 = 4 kΩ, R 3 = R4 = 2 kΩ. Com relação a esse circuito, julgue os itens seguintes.

35 Q760079
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes. Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício do tipo N consiste em dopar um material semicondutor intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam substituídos por átomos de elementos químicos adequados para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse processo de modificação do semicondutor intrínseco permite gerar um material em que os portadores majoritários são os elétrons.
36 Q760078
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes. Para que o diodo semicondutor retificador contendo uma junção PN esteja em polarização reversa, é necessário que o potencial elétrico no catodo seja maior que o do anodo.
37 Q760077
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes. No transistor de efeito de campo NMOS do tipo depleção, o substrato usado para a fabricação é um semicondutor do tipo N, e as regiões da fonte e do dreno são implementados como semicondutores do tipo P.
38 Q760076
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes. Nos transistores do tipo PNP, os portadores majoritários no emissor e no coletor são as lacunas e, na base, são os elétrons.
39 Q760075
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes. Nos transistores de uso geral do tipo NPN, a base, que deve ser fabricada com a maior largura possível, apresenta um grau de dopagem bem mais alto do que o coletor, característica essa importante por favorecer a minimização da recombinação dos portadores majoritários e minoritários na base.
40 Q760074
Engenharia Eletrônica
Ano: 2018
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes. Para que transistores bipolares do tipo NPN operem na região ativa, é necessário que a junção entre o coletor e a base seja submetida à polarização reversa, e a junção entre base e emissor seja polarizada diretamente.