181 Q425116
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

182 Q425114
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

183 Q425112
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

184 Q425110
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

185 Q425108
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A classe de amplificador que se caracteriza por não utilizar corrente de polarização nos transistores de sua saída, aumentando o seu rendimento (teórico) para até 78,5%, é:

186 Q425107
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

187 Q425105
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

188 Q425103
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

No que tange à estrutura de bandas de energia de um material semicondutor, é correto afirmar que

189 Q425101
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Sobre os materiais semicondutores intrínsecos, é correto afirmar que

190 Q425100
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Considere um material semicondutor, no qual q é a carga; Dp, a constante de difusão; e dp/dx, o gradiente de densidade de lacunas. A corrente de difusão (Jp) devida às lacunas é calculada por: