161 Q425154
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

162 Q425152
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Sabendo-se que o valor eficaz da tensão Vi é Vef, o valor da tensão Vo é:

163 Q425150
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Deseja-se implementar um circuito dobrador de tensão, que recebe como tensão de entrada um sinal senoidal, e fornece como saída um sinal retificado e filtrado, com valor igual ao dobro do valor de pico do sinal senoidal. Um circuito que poderia ser implementado para atender ao especificado é:

164 Q425148
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

165 Q425147
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

166 Q425145
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Deseja-se ter a máxima potência na carga sem distorção, de forma que o ponto de operação mais adequado que pode ser escolhido na curva característica do transistor é o

167 Q425143
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Sobre o circuito, é correto afirmar que, em condições normais de polarização,

168 Q425141
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A tensão no ponto 1, em V, encontra-se na faixa:

169 Q425139
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

O valor de RB, em Ù, encontra-se na faixa:

170 Q425137
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)