Questões de Concurso de Engenharia Eletrônica - Página 11

101 Q424082

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: EXATUS / EXATUSPR Promotores de Eventos e Consultorias

A temperatura é uma das principais variáveis de processo, sua medição e controle são de fundamental importância numa ampla gama de aplicações industriais. Quase todos os materiais condutores elétricos apresentam uma dependência entre a resistência e a temperatura. Este fenômeno permite seu emprego como sensores. Apesar da crescente aplicação do Pt 100 nas medições de temperaturas, os termopares continuam sendo os sensores mais empregados nas aplicações industriais, devido à combinação de suas características técnicas. Quanto às características técnicas dos termopares, que os tornam vantajosos na maioria das aplicações industriais, assinale a alternativa correta (BEGA et al., 2006):

A sua confiabilidade, baixo custo e padronização, aliadas à precisão, estabilidade e repetibilidade satisfatória. B sua confiabilidade, baixo custo e padronização, aliadas à precisão, robustez e resistência mecânica. C sua confiabilidade, baixo custo e padronização, aliadas à precisão, simplicidade de funcionamento e instalação. D sua confiabilidade, baixo custo e padronização, aliadas à baixa histerese, estabilidade e pouca manutenção.

102 Q424081

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: EXATUS / EXATUSPR Promotores de Eventos e Consultorias

Existe uma ampla variedade de sistemas de mensuração de nível, cada um com suas vantagens e limitações. A seleção do sistema de medição a ser utilizado deverá considerar as características específicas de cada aplicação, o tipo de produto cujo nível deseja-se mensurar dentre outras especificações. Assinale a alternativa para a qual o instrumento de mensuração chave de nível, medição em ponto fixo, do tipo capacitivo não é adequado para:

A mensuração de líquidos limpos. B medição de líquidos com espuma. C medição de sólidos. D medição de polpas.

103 Q424080

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: EXATUS / EXATUSPR Promotores de Eventos e Consultorias

Os medidores volumétricos são essencialmente destinados à medição de volumes, em litros ou metros cúbicos, ao invés de vazão, em litros por minuto ou metros cúbicos por hora. A vazão pode ser calculada por meio de dispositivos auxiliares mecânicos ou eletrônicos, derivando matematicamente o volume no tempo. Existem diferentes tipos de realização construtiva de medidores volumétricos, dependendo do fluído a ser medido, mas o princípio geral de funcionamento consiste em forçar o líquido a ser medido a passar por câmaras de volume conhecido. É possível caracterizar três fases, que ocorrem de forma contínua durante a mensuração, assim assinale a alternativa que não corresponde a uma dessas três fases (BEGA et al., 2006):

A a fase de filtragem, na qual o fluído é selecionado para mensuração. B a fase de admissão em que o fluido passa por uma abertura e preenche a câmara de medição. C a fase de isolamento da câmara de medição. D a fase de escape, na qual o fluido sai da câmara de medição para a saída.

104 Q424079

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: EXATUS / EXATUSPR Promotores de Eventos e Consultorias

Os instrumentos transmissores de pressão podem ser classificados em pneumáticos e eletrônicos. Os transmissores eletrônicos de pressão utilizam um elemento primário mecânico elástico, combinado com um transdutor elétrico, que gera um sinal elétrico padronizado, correspondente à pressão medida (BEGA et al., 2006). Considere os transmissores eletrônicos de Pressão Tipo Capacitivos e assinale a alternativa correta quanto ao seu funcionamento:

A baseado na variação do coeficiente elástico das placas do capacitor em consequência da aplicação de pressão. B baseado na variação de capacitância que se introduz em um capacitor quando se desloca ambas as placas em consequência de aplicação de pressão. C baseado na variação de capacitância que se introduz em um capacitor quando se desloca uma de suas placas em consequência de aplicação de pressão. D baseado na variação da densidade de campo que se introduz em um capacitor quando se desloca uma de suas placas em consequência de aplicação de pressão.

105 Q424078

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: EXATUS / EXATUSPR Promotores de Eventos e Consultorias

Considere a planta industrial apresentada na figura 01, a qual se refere a um sistema de geração de energia elétrica. O engenheiro responsável pela planta citada deve conhecer a simbologia/codificação padronizada pela ISA (Systems and Automation Society), sendo assim assinale a alternativa correta:

A a codificação FIC representa um controlador e indicador de frequência. B a codificação FT representa um transmissor de vazão. C a codificação TT representa um temporizador de temperatura. D a codificação ST representa um sensor de torque.

106 Q422844

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

Supondo-se que um engenheiro esteja diante de uma possibilidade de manter a lucratividade de sua empresa, por meio da elaboração de um projeto que envolva a utilização de solda Pb-Sb, na soldagem dos componentes eletrônicos nas placas de circuitos impressos. Tendo em vista que a solda de Ag (prata) minora os impactos ambientais, apesar de ter custo muito mais elevado, qual das opções abaixo o engenheiro deve selecionar:

A Manter o uso do Pb-Sb, visto que o engenheiro eletrônico não é especializado em meio ambiente e, assim, não pode ser responsabilidade por isso. B Manter a solda de Pb-Sb, já que no almoxarifado da fábrica há muita solda desse tipo e o engenheiro deve “vestir a camisa da empresa em que trabalha”. C Substituir pela solda de Ag, que reduz o impacto ambiental apesar de diminuir a lucratividade. D Manter o uso da solda de Pb-Sb porque a equação custo x impacto ambiental deve ser considerada pelo engenheiro, quando a situação financeira da empresa estiver difícil. E Optar por não implementar a montagem dos circuitos impressos, aconselhando o gerente a comprá-los no exterior, mesmo porque são mais baratos, uma vez que, no exterior, é usada a solda de Pb-Sb.

107 Q422843

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

A Meio somador (half-Addser) B Somador Completo (Full-Adder) C Memória do sinal "A" D Medidor da diferença de fase entre "A" e "B" E Temporizador (Timmer) com comando por "A" ou "B".

108 Q422842

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

A PID B Discreto C Numérico D Adaptativo E High Slop (Alta Inclinação)

109 Q422841

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

A modulador de amplitude com entrada de áudio no ponto P B temporizador comandado por um pulso no ponto P C modulador PWM (Pulse Width Modulation) D biestável (F-F) tipo T com clock em P E gerador de pulsos retangulares.

110 Q422840

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

A Ou B Não-Ou C E D Não- E E Ou- Exclusivo.

111 Q422839

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

A 4 pulsos B 5 pulsos C 6 pulsos D 7 pulsos E 8 pulsos

112 Q422838

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

A será acionado durante um determinado tempo. B será acionado permanentemente. C que estava funcionando, será desligado durante um determinado tempo. D não será acionado devido ao acoplamento pelo capacitor C. E será acionado enquanto a chave estiver fechada.

113 Q422837

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

A da esquerda para a direita (L-W). B saindo do papel. C de baixo para cima. D de cima para baixo. E da .direita para a esquerda.

114 Q422836

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

A 20 W B 45 W C 70 W D 85 W E 100 W

115 Q422835

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

A na carga RL = + 11,0 Volts ; na base de T3 = + 22,0 volts; na base de T4 = - 22,0 Volts. B na carga RL= 0,0 Volts; na base de T3 = + 1,4 Volts; na base de T4 = - 1,4 Volts. C na carga RL = + 2, 8 Volts; na base de T3 = + 5,6 Volts; na base de T4 = - 5,6 Volts. D na carga RL = 0,0 Volts; na base de T3 = + 2,8 Volts; na base de T4 = -2,8 Volts. E na carga RL = +1,4 Volts; na base de T3 = - 2,8 Volts; na base de T4 = = 2,8 Volts.

116 Q422834

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

A de Johnsson B em anel C decádico D Gray E BCD

117 Q422833

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

A Não E B Não Ou C E D Ou E Ou Exclusivo.

118 Q422832

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

Em relação a esse circuito, o engenheiro teve uma dúvida: para que serve o diodo D1?

Após uma análise mais apurada, ele concluiu que o diodo D1:

A não tem nenhuma função porque está polarizado inversamente. B tem a função de proteger o transistor T2 contra sobre tensões quando da abertura do relé S. C tem a função de proteger a bobina do relé contra sobre correntes quando do fechamento do relé S. D tem a função de proteger a fonte Vcc quando do fechamento do relé S. E tem a função de proteger os componente do circuito se ele for alimentado com a tensão Vcc invertida.

119 Q422831

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

Após análise, o engenheiro concluiu que um circuito com essa topologia poderia funcionar:

A se substituísse T1 por um fototransistor PNP. B se polarizasse a base de T1. C se substituísse T2 por um fototransistor PNP. D perfeitamente. E se retirasse R1 do emissor do fototransistor e o colocasse no coletor.

120 Q422830

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

A menor que - 10,0 Volts B menor que - 5,0 Volts C maior que + 5,0 Volts D maior que +10,0 Volts E igual a +10,0 Volts.

121 Q422829

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

A temporizador (Timmer), com tempo para o acendimento da lâmpada controlado pela constante de tempo (RI + P). C1 que dispara o Triac. B controlador da potência na lâmpada, pelo ângulo de disparo do Triac. C minuteria, com tempo para o apagamento da lâmpada controlado pela constante de tempo (RI + P). C1, que dispara o Triac. D oscilador pisca-pisca da lâmpada, usada como sinalização. E controlador da potência na lâmpada, pela variação do ângulo de condução do Triac, controlada pelo potenciômetro P.

122 Q422828

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

A pulsante de 100 Volts de pico. B contínua de 200 Volts negativos. C contínua de 100 Volts. D senoidal de 200 Volts de pico. E contínua, de 100 Volts negativos, somada a uma tensão senoidal de 100 Volts de pico.

123 Q422827

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

O Fator de Potência (FP) é o cosseno do ângulo entre os fasores correspondentes à potência total e a potência ativa, consumida por uma instalação elétrica. O Fator de Potência deve ser o mais próximo de “1”. Uma resolução da Anatel dá, como o limite máximo de uma instalação, um Fator de Potência de 0, 92. Se o FP for menor que 0,92 será cobrado um acréscimo na conta do consumidor de energia elétrica e, assim, há, nesse caso, a necessidade da correção do FP. Se desejamos aumentar o FP de um motor elétrico devemos colocar um:

A banco de capacitores em paralelo com o motor. B banco de indutores em paralelo com o motor. C circuito LC em paralelo com o motor. D banco de indutores em série com o motor. E circuito LC em série com o motor.

124 Q422826

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

A Latec B Cobol C Ladder D Fortran 77 E Jawa

125 Q422825

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

Um motor síncrono de 10 polos é ligado a uma rede de 127 V AC com uma frequência de 60 Hz. O Número de Rotações por Minuto (rpm) do motor será de:

A 120 rpm B 240 rpm C 480 rpm D 720 rpm E 940 rpm.

126 Q422824

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

A R2 e R3. B R1 e R2. C R1 e R3. D R1, R2 e R3. E R1.

127 Q422823

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

Os Motores CC isto é, motores alimentados com tensão contínua, são usados se desejamos:

A uma variação fina da velocidade de rotação B um maior torque C maior velocidade de rotação D menor corrente de partida E corrigir o fator de potência

128 Q422822

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

A 1,0 Mbps. B 2,0 Mbps. C 200 kbps. D 100 kbps. E 20 kbps.

129 Q422821

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

Considere duas funções ortogonais de tensão em Volts: ec1(t) = sen wt e ec2(t) = cos wt. A resultante da soma ec(t) = ec1(t) + ec2(t) é um sinal senoidal de:

A 1/2 Volt de amplitude e fase ð B

C 2 Volts de amplitude e fase ð/2 D

E

130 Q422820

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

A a lâmpada “1”. B a lãmpada “2”. C a lâmpada “3”. D o conjunto formado pelas lâmpadas “1” e “2” em série. E o conjunto formado pelas lâmpadas ”2” e “3” em série.

131 Q422819

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

A 6,5 Volts B 12,5 Volts C 25,0 Volts D 35,5 Volts E 50,0 Volts

132 Q422818

Engenharia Eletrônica

Ano: 2014

Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)

A 50 ìF x 100 V. B 50 ìF x 400 V. C 100 ìF x 100 V. D 100 ìF x 400 V. E 400 ìF x 100 V.

133 Q568660

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

O número de entradas padrão TTL que uma saída TTL padrão pode alimentar, tipicamente, é:

A

1.

B

2.

C

5.

D

10.

E

100.

134 Q568659

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Supondo que V=10 V e 1 000 Hz, L=0,5 mH e R=10 Ω, a reatância indutiva XL do circuito, em Ω, está na faixa:

A

0,1 ≤ XL < 0,5.

B

0,5 ≤ XL < 1.

C

1 ≤ XL < 3.

D

3 ≤ XL < 5.

E

5 ≤ XL ≤ 10.

135 Q568658

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A curva característica de um diodo túnel é:

A

B

C

D

E

136 Q568657

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Suponha que um equipamento possua uma memória do tipo ROM com capacidade para 41 943 040 bits. Assinale a alternativa que apresenta uma possível característica de capacidade dessa memória.

A

1M x 8

B

2M x 8

C

3M x 8

D

4M x 8

E

5M x 8

137 Q568619

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Acerca da estabilidade de sistemas dinâmicos e suas características nos domínios do tempo e da frequência, julgue os itens a seguir.

138 Q568606

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Considerando o seguinte trecho do texto: “most of the modem control is already accomplished by these devices”, uma tradução possível para accomplished, no contexto, é:

A

acondicionado.

B

armazenado.

C

eliminado.

D

priorizado.

E

realizado.

139 Q568605

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Um dos circuitos utilizados para a demodulação FM é o

A

Diferenciador.

B

Detector de envoltória.

C

Filtro passa-alta.

D

Filtro passa-baixa.

E

Filtro passa-faixa.

140 Q568604

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Em relação às características típicas de um diodo Zener, sabendo-se que Pz é a sua potência e Vz é a sua tensão, ambas fornecidas pelo seu fabricante, é correto afirmar que

A

a determinação da corrente máxima que o diodo Zener pode suportar é dada por Pz/Vz.

B

a tensão Zener é característica específica de cada diodo, sendo 12 V o máximo disponível comercialmente.

C

caso a corrente Zener máxima seja excedida, o diodo passa a operar como um diodo comum.

D

o valor da corrente Zener mínima é calculada como cerca de 50% do valor da corrente Zener máxima.

E

quando ele se encontra polarizado diretamente, funciona como um diodo comum, com tensão de condução de cerca de 0,1 V.

141 Q425192

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Considere a seguinte instrução, presente em um microprocessador hipotético.

MOV R2, 34h

Essa instrução move o valor 34h (em hexadecimal) para o registrador R2. O carregamento do valor 34h representa uma forma de endereçamento

A

imediato.

B

indexado.

C

monobase.

D

multibase.

E

numérico.

142 Q425190

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Grande parte dos microprocessadores ou microcontroladores possuem um registrador no qual é armazenada a maioria dos resultados decorrentes de alguma operação lógica ou aritmética. Esse registrador é conhecido como

A

Acumulador.

B

Stack Pointer.

C

Program Counter.

D

Registrador de Base.

E

Registrador de Endereço.

143 Q425188

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

O ganho de potência (G) de uma antena é calculado de acordo com a seguinte expressão (sendo Pm a intensidade de radiação máxima da antena sob consideração e P0 a intensidade de radiação máxima de uma antena de referência com a mesma potência de entrada considerada):

A

B

C

D

E

144 Q425186

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A velocidade de fase de uma onda eletromagnética é dada pela seguinte expressão (sendo μ a permeabilidade e ε a permissividade do meio):

A

B

C

D

E

145 Q425184

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Quando um circuito lógico composto por portas da família CMOS está em funcionamento estático, ou seja, não está oscilando,

A

sua dissipação de energia é muito alta.

B

sua dissipação de energia é muito baixa.

C

sua dissipação de energia dobra.

D

suas saídas ficam em nível lógico 0.

E

suas saídas ficam em nível lógico 1.

146 Q425182

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

DIP.

B

AHDL.

C

VHDL.

D

BiC MOS.

E

tristate.

147 Q425180

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

O tempo de acesso a uma posição de memória do tipo RAM

A

é o mesmo para qualquer endereço acessado.

B

é proporcional ao valor do endereço acessado.

C

é inversamente proporcional ao valor do endereço acessado.

D

depende do conteúdo do endereço a ser acessado.

E

depende do conteúdo dos endereços vizinhos ao do endereço a ser acessado.

148 Q425178

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

J-K.

B

FIFO.

C

LIFO.

D

Toggle.

E

Master-Slave.

149 Q425176

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Considere um demultiplexador cujas entradas de seleção são A0, A1 e A2, e cujas saídas são O1, O2, … e O7, sendo A0 a entrada de seleção menos significativa, e O0 a saída menos significativa. Supondo I o dado de entrada, assinale a alternativa que apresenta uma combinação coerente de valor de entrada de seleção (em binário) / saída ou saídas ativadas, para qualquer valor de I (0 ou 1).

A

001 / O0 = I

B

010 / O2 = I

C 100 / O3 = I D

101 / O0 = I e O2 = I

E

110 / O1 = I e O2 = I

150 Q425174

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

X + Y + K

B

X Y + X K + Y K

C

D

E

151 Q425172

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

B

ABC

C

D

AB + AC

E

152 Q425170

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

a saída 3 estará com nível lógico 0, e a saída 6, com nível lógico 1.

B

a saída 3 estará com Vcc, e a saída 6, com nível lógico 0.

C

as saída 3 e 6 estarão com nível lógico 0.

D

as saída 3 e 6 estarão com nível lógico 1.

E

as saídas 3 e 6 terão valores lógicos indefinidos.

153 Q425169

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Considere dois números, representados na base hexadecimal, sobre os quais se deseja realizar a seguinte operação:

AAEEh − 1111h

Considerando somente a representação de números positivos, o resultado, na base decimal, dessa subtração é:

A

19903

B

27845

C

39389

D

42276

E

49921

154 Q425167

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

filtro passa-faixa.

B

filtro rejeita-faixa.

C

módulo de resistência negativa.

D

oscilador de bloqueio.

E

transformador de pulsos.

155 Q425165

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

a.

B

b.

C

c.

D

d, e.

E

a, b, c.

156 Q425163

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

10 ¡Ü Wr < 40.

B

40 ¡Ü Wr < 80.

C 80 ¡Ü Wr < 120. D

120 ¡Ü Wr < 160.

E

160 ¡Ü Wr ¡Ü 200.

157 Q425161

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Caso o indutor seja substituído por um capacitor de valor 5 μF, o valor da reatância capacitiva do circuito XC/π, em Ω, está na faixa:

A

0,01 ≤ XC < 0,1.

B 0,01 ≤ XC < 1. C

1 ≤ XC < 10.

D

10 ≤ XC < 100.

E

100 ≤ XC < 1000.

158 Q425159

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Em relação aos diodos D1 e Dz, é correto afirmar que

A

a função de D1 é conduzir durante a condução do transistor.

B

a função de Dz é desmagnetizar o núcleo do transformador nos instantes em que o transistor se encontra cortado.

C

a função de Dz é conduzir sempre que o transistor estiver conduzindo.

D

eles limitam a amplitude do pulso de acionamento do SCR.

E

eles limitam a largura do pulso de acionamento do SCR.

159 Q425157

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Sobre o dispositivo T, é correto afirmar que ele

A

isola eletricamente o circuito de comando e do SCR.

B

implementa um oscilador para garantir um trem de pulsos para acionar o SCR.

C

transforma um sinal de comando de baixa amplitude (poucos volts) para um sinal de alta tensão (em torno de 600 V) para comandar o transistor.

D

deve possuir altas indutâncias de dispersão para assegurar uma boa reprodução da tensão de entrada.

E

é um transformador de pulsos, destinado a alargar o pulso de comando, que é muito estreito.

160 Q425156

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

Gerador de Onda Quadrada.

B

Gerador Senoidal.

C

Multivibrador Astável.

D

Oscilador de Relaxação.

E

Oscilador Hartley.

161 Q425154

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

a frequ¨ºncia do sinal gerado em Vo pode atingir valores muito altos (acima de 100 GHz).

B

a frequ¨ºncia do sinal Vo ¨¦ igual a 1/(2¦ÐRC).

C

ele fornece um sinal com forma de onda quadrada em Vo.

D

o sinal em Vo apresenta, necessariamente, alta distorção.

E

para que o circuito oscile, o seu ganho deve ser alto (acima de 100).

162 Q425152

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Sabendo-se que o valor eficaz da tensão Vi é Vef, o valor da tensão Vo é:

A

B

C

D

E

163 Q425150

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Deseja-se implementar um circuito dobrador de tensão, que recebe como tensão de entrada um sinal senoidal, e fornece como saída um sinal retificado e filtrado, com valor igual ao dobro do valor de pico do sinal senoidal. Um circuito que poderia ser implementado para atender ao especificado é:

A

B

C

D

E

164 Q425148

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

10.

B

20.

C

30.

D

40.

E

50.

165 Q425147

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

–1.

B

–2.

C

–3.

D

–4.

E

–5.

166 Q425145

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Deseja-se ter a máxima potência na carga sem distorção, de forma que o ponto de operação mais adequado que pode ser escolhido na curva característica do transistor é o

A

1.

B

2.

C

3.

D

4.

E

5.

167 Q425143

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Sobre o circuito, é correto afirmar que, em condições normais de polarização,

A

ele apresenta a forma de onda na saída sem a parte negativa da forma da onda de entrada.

B

nele não se consegue boa linearidade.

C

ele é um amplificador Classe B.

D

ele é um amplificador ineficiente: caso Vin seja nulo, a corrente no coletor não será nula.

E

o transistor atua sempre próximo à saturação.

168 Q425141

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A tensão no ponto 1, em V, encontra-se na faixa:

A

0 ¡Ü V1 < 2.

B

2 ¡Ü V1 < 4.

C

4 ¡Ü V1 < 6.

D

6 ¡Ü V1 < 8.

E

8 ¡Ü V1 ¡Ü 10.

169 Q425139

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

O valor de RB, em Ù, encontra-se na faixa:

A

0 ¡Ü RB < 100.

B

100 ¡Ü RB < 1 k.

C

1 k ¡Ü RB < 10 k.

D

10 k ¡Ü RB < 100 k.

E

100 k ¡Ü RB ¡Ü 1 M.

170 Q425137

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

+3 V e –6 V.

B

+3,7 V e –6,7 V.

C

+6,7 V e –3,7 V.

D

+8,3 V e –5,3 V.

E

+12 V e –12 V.

171 Q425135

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

(a) diodo bilateral, (b) SCR e (c) varicap.

B

(a) diodo Schottky, (b) DIAC e (c) diodo túnel.

C

(a) SCR, (b) TRIAC e (c) DIAC.

D

(a) TRIAC, (b) diodo Schottky e (c) diodo Zener.

E

(a) diodo bilateral, (b) varicap e (c) SCR.

172 Q425133

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Em um diodo Zener, um dos mecanismos que ocorrem para que se obtenha a tensão reversa é por meio de colisões de um portador minoritário, gerando energia para quebrar ligações covalentes. Esse mecanismo recebe a denominação de

A

avalanche.

B

chaveamento.

C

compensação.

D

distorção.

E

histerese.

173 Q425131

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Os símbolos do transistor MOSFET do tipo intensificação(enhancement) canal n e canal p são, respectivamente,

A

B

C

D

E

174 Q425129

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Considerando um material condutor (metal) e que ¦Ì seja a mobilidade desse material e ¦Ñ sua densidade de cargas, sua condutividade (¦Ò) ¨¦ calculada por:

A

B

C

D

E

175 Q425127

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A lei da continuidade, utilizada para representar o fluxo de cargas em materiais semicondutores, estabelece o princípio de que

A

cargas positivas eliminam cargas negativas.

B

cargas negativas não sofrem movimentação nesses materiais.

C

cargas não podem ser criadas ou destruídas.

D

o número de cargas negativas duplica em um processo de condução.

E

o número de cargas positivas duplica em um processo de condução.

176 Q425125

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Considerando a estrutura de bandas de energia, assinale a característica básica de um material isolante.

A

Sua banda proibida tem largura grande o suficiente para impedir o acesso entre a banda de valência e a banda de condução.

B

Sua banda proibida é estreita o suficiente para que haja o acesso entre a banda de valência e a banda de condução.

C

Não possui banda proibida, pois não suporta temperaturas superiores a 40 ºC.

D

Não possui banda de valência, pois os elétrons livres ficam todos concentrados na banda proibida.

E

Não possui banda de condução, tendo em vista que não possui elétrons em sua composição.

177 Q425124

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Um material semicondutor intrínseco é transformado em extrínseco por meio

A

da retirada total de seus elétrons.

B

da adição de átomos considerados como impurezas.

C

de seu congelamento permanente.

D

de sua fusão com fios de cobre.

E

de sua transformação em átomos de hidrogênio.

178 Q425122

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Um microprocessador permite que uma forma de endereçamento à memória se utilize de um registrador para armazenar o endereço da posição de memória a ser acessada. Quando um operando na memória é acessado a partir de um endereço contido em um registrador, tem-se uma forma de acesso ao operando denominada endereçamento

A

completo.

B

direto.

C

direto.

D

indexado em registrador.

E

indireto por registrador.

179 Q425120

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Nas diversas arquiteturas de microprocessadores e microcontroladores, é comum a existência do Stack Pointer, cujo funcionamento pode variar ligeiramente de acordo com o componente analisado. De uma forma geral, trata-se de um

A

registrador que aponta para a primeira posição livre ou para a última posição ocupada da pilha.

B

registrador que armazena o código da instrução corrente que está sendo executada.

C

registrador que armazena o código da próxima instrução a ser executada.

D

espaço de armazenamento que contém as principais configurações do processador.

E

espaço de armazenamento que armazena as últimas instruções executadas e os últimos dados acessados.

180 Q425118

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

As equações que definem o campo elétrico de uma onda circularmente polarizada (em z = 0) são:

A

Ex(t) = A sen (wt)

Ey(t) = A sen (wt)

B

Ex(t) = A cos (wt)

Ey(t) = A cos (wt)

C

Ex(t) = A cos (wt)

Ey(t) = A cos (wt ± ð)

D

Ex(t) = A cos (wt)

Ey(t) = A cos (wt ± ð/2)

E

Ex(t) = A cos (wt)

Ey(t) = A cos (wt ± ð/4)

181 Q425116

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

B

C

D

Se E2 = 0, então B2 = A2.

E

Se E2 = 1, então B2 = alta impedância.

182 Q425114

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

FG + FH +GH

B

C

D

E

183 Q425112

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

+ 6 V e – 6 V.

B

+ 6,7 V e – 10 V.

C

+ 6,7 V e – 6,7 V.

D

+10 V e – 6,7 V.

E

+10 V e – 10 V.

184 Q425110

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

a lâmpada 1 acende com risco de dano, enquanto que as lâmpadas 4 e 5 acendem sem risco.

B

a lâmpada 3 acende com risco de dano, pois é alimentada com 10,6 V.

C

a lâmpada 5 acende, pois é alimentada com 5,65 V.

D

apenas as lâmpadas 5 e 6 não acendem.

E

todas as lâmpadas são alimentadas com mais de 6 V.

185 Q425108

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A classe de amplificador que se caracteriza por não utilizar corrente de polarização nos transistores de sua saída, aumentando o seu rendimento (teórico) para até 78,5%, é:

A

A.

B

B.

C

AB.

D

D.

E

G.

186 Q425107

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

10 e 500.

B

100 e 150.

C

100 e 1 000.

D

150 e 500.

E

500 e 1 000.

187 Q425105

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

B

C

D

E

188 Q425103

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

No que tange à estrutura de bandas de energia de um material semicondutor, é correto afirmar que

A

não possui banda de val¨ºncia.

B

não possui banda de condução.

C

sua banda proibida tem largura grande (¡Ö 6 eV).

D

sua banda proibida tem largura pequena (¡Ö 1eV).

E

sua banda proibida tem temperatura constante de 25 ºC, independentemente da temperatura externa.

189 Q425101

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Sobre os materiais semicondutores intrínsecos, é correto afirmar que

A

somente existem à temperatura de 0 ºK.

B

não possuem nem lacunas nem elétrons livres.

C

o número de lacunas é igual ao número de elétrons livres.

D

o número de lacunas é bem maior do que o número de elétrons livres.

E

o número de elétrons livres é bem maior do que o número de lacunas.

190 Q425100

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Considere um material semicondutor, no qual q é a carga; Dp, a constante de difusão; e dp/dx, o gradiente de densidade de lacunas. A corrente de difusão (Jp) devida às lacunas é calculada por:

A

B

C

D

E

191 Q425098

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Na automação e controle de processos industriais, diversos padrões e protocolos de rede de comunicação vêm sendo utilizados. O protocolo que permite que os sinais analógicos de 4-20 mA sejam sobrepostos ao sinal de comunicação digital é o

A

CAN (Controller Area Network).

B

DeviceNet.

C

HART (Highway Addressable Remote Transducer).

D

Modbus.

E

PROFIBUS.

192 Q425096

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

No padrão Ethernet IEEE 802.3, desde a versão 10Base, é utilizado um esquema de codificação de dados de transmissão para eliminar o nível DC da linha de transmissão. Essa codificação é denominada

A

QPSK.

B

QPSK.

C

Kasami.

D

Hamming.

E

Manchester.

193 Q425094

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

As instalações atuais de redes locais de computadores utilizam o cabo de pares trançados contendo 8 fios para o cabeamento. Nesse tipo de cabo, cuja máxima velocidade de transmissão é de 100 Mbps, a forma de transmissão de dados é conhecida como

A

híbrida.

B

indexada.

C

paralela.

D

referenciada.

E

serial.

194 Q425093

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Em uma arquitetura de computador, um dos elementos presentes no seu microprocessador é a Unidade de Controle, que realiza

A

a execução de operações aritméticas e lógicas.

B

a busca de instruções na memória principal e determina o tipo de cada instrução.

C

a análise da quantidade de memória disponível para o programa em execução.

D

o gerenciamento de troca de informações entre o processador e periféricos, como o disco rígido.

E

o controle de temperatura da CPU, evitando um aquecimento além do suportado pelo hardware.

195 Q425091

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Em diversas arquiteturas de computadores, as interrupções de hardware desempenham um papel importante no processo de comunicação com periféricos. Conceitualmente, uma interrupção de hardware não mascarável (NMI – Non-Maskable Interrupt)

A

nunca será ignorada pelo processador.

B

é a interrupção de menor prioridade do processador.

C

ocorre sincronamente à execução de uma instrução de programa.

D

permanecerá em estado dormente até uma interrupção mascarável ocorrer.

E

somente é ativada quando o número de tentativas de ocorrência dessa interrupção ultrapassar um valor pré- -configurado.

196 Q425089

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

Y + W

B

C

D

YW + KW + KY

E

197 Q425087

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

B

C

X . Z

D

E

198 Q425086

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

AND e OR.

B

NAND e NOR.

C

XOR e XOR.

D

OR e AND.

E

NOR e NAND.

199 Q425084

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

0.

B

1.

C

W.

D

E

X · Y · Z.

200 Q425082

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Deseja-se realizar a soma de dois números na base hexadecimal, conforme apresentado a seguir:

E3A7h + 00FFh

O resultado dessa soma, na base decimal, considerando somente a existência de números positivos na operação, é igual a

A

25 696

B

38 944

C

45 786

D

58 534

E

62 236

201 Q425081

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

a sua frequ¨ºncia de corte ¨¦ dada por 1/(2¦ÐRC).

B

caso a frequ¨ºncia do sinal Ve >> frequ¨ºncia de corte, o circuito se comportar¨¢ como um amplificador não inversor.

C

o circuito apresentar¨¢ o comportamento de um circuito diferenciador se a frequ¨ºncia de Ve << frequ¨ºncia de corte.

D

o circuito apresentar¨¢ o comportamento de um circuito integrador se a frequ¨ºncia de Ve < frequ¨ºncia de corte.

E

o circuito apresentar¨¢ o comportamento de um circuito integrador se a frequ¨ºncia de Ve >> frequ¨ºncia de corte.

202 Q425079

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

10.

B

50.

C

100.

D

150.

E

200.

203 Q425077

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Um chuveiro elétrico possui potência 4 000 W. Ele é utilizado por 12 minutos por dia, e após 30 dias, ele foi responsável por R$ 6,00 na conta de luz. O custo do kWh é, em R$,

A

0,10.

B

0,15.

C

0,20.

D

0,25.

E

0,30.

204 Q425075

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A

1 000.

B

2 500.

C

5 000.

D

10 000.

E

12 500.

205 Q425073

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Um voltímetro da classe de precisão 2,5, com escala graduada de 0 a 300 V, foi utilizado para a realização de uma medida, obtendo-se o valor de 110 V. Sobre o valor medido por esse instrumento, é correto afirmar que

A

é, no máximo, 115 V.

B

é, no mínimo, 107,5 V.

C

o erro da medição é de ± 2,5 V.

D

se encontra na faixa de 110 ± 5 V.

E

se encontra na faixa de 102,5 a 117,5 V.

206 Q425071

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Em projetos de iluminação, a NBR 5413 recomenda que o nível de iluminação para ambientes em que são realizadas atividades visuais com precisão, por exemplo, trabalhos com desenhos, deve ser, em Lux, de

A

250 a 500.

B

500 a 1 000.

C

1 000 a 2 000.

D

2 000 a 3 000.

E

3 000 a 4 000.

207 Q425070

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Em instalações elétricas de baixa tensão são utilizados os Dispositivos Diferencial-Residual (DR) que podem ser de dois tipos. O DR do tipo interruptor provoca a abertura dos próprios contatos quando ocorre uma

A

corrente de fuga à terra.

B

falta.

C

sobrecarga.

D

sobrecorrente.

E

sobretensão.

208 Q425068

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

De acordo com a NBR 5410, o dimensionamento dos eletrodutos, com três ou mais condutores, deve considerar uma ocupação máxima de

A

31%.

B

40%.

C

53%.

D

63%.

E

71%.

209 Q425066

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

O dimensionamento dos condutores em uma instalação elétrica de baixa tensão deve considerar os critérios de capacidade de corrente e da queda de tensão. De acordo com a NBR 5410, a queda de tensão nos circuitos terminais nunca deve ser superior a

A

1%.

B

2%.

C

3%.

D

4%.

E

5%.

210 Q425065

Engenharia Eletrônica

Ano: 2013

Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

O padrão de cores utilizadas para a identificação dos condutores nas instalações elétricas prediais, de acordo com a NBR 5410, estabelece que os condutores Fases, em uma instalação com duas linhas Fase, devem ser

A

os dois vermelhos.

B

os dois pretos.

C

um preto e outro azul.

D

um vermelho e outro azul.

E

um vermelho e outro preto.

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