91 Q424092
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: EXATUS / EXATUSPR Promotores de Eventos e Consultorias
Fator de potência é definido como a relação entre a potência ativa e a potência aparente consumidas por um dispositivo ou equipamento, independentemente das formas que as ondas de tensão e corrente apresentem. Sobre fator de potência assinale a alternativa correta:
92 Q424091
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: EXATUS / EXATUSPR Promotores de Eventos e Consultorias
O voltímetro é um aparelho que realiza medições de tensão elétrica em um circuito, geralmente usando a unidade volt, enquanto o amperímetro é um instrumento utilizado para fazer a medida da intensidade da corrente elétrica que passa através da sessão transversal de um condutor, a unidade de medida usada é o Ampère. Com relação ao funcionamento de voltímetros e amperímetros, assinale a alternativa correta:
93 Q424090
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: EXATUS / EXATUSPR Promotores de Eventos e Consultorias
O wattímetro é um instrumento que permite medir a potência elétrica fornecida ou dissipada por um elemento. Com relação aos wattímetros, assinale a alternativa incorreta:
94 Q424089
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: EXATUS / EXATUSPR Promotores de Eventos e Consultorias

A figura abaixo apresenta um modelo simplificado da distribuição resistiva do corpo humano. Considere que durante o choque elétrico uma corrente acima de 5 mA provoca um leve desconforto, que acima de 50 mA pode provocar paralisia muscular e que acima de 500 mA pode ocasionar parada cardíaca. Neste contexto, se uma tensão de 220 V for aplicada entre um pé e as duas mãos juntas, o indivíduo apresentará como sintoma mais grave:

95 Q424088
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: EXATUS / EXATUSPR Promotores de Eventos e Consultorias

No circuito capacitivo dado a seguir, inicialmente as chaves S1 e S2 estão abertas e os capacitores C1, C2 e C3 totalmente descarregados. No instante t = 0 apenas a chave S1 é fechada até o capacitor C1 atingir a carga total, quando então a chave S1 é aberta e S2 fechada, para esta condição o valor da tensão nos capacitores após atingirem a condição de equilíbrio será:

96 Q424087
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: EXATUS / EXATUSPR Promotores de Eventos e Consultorias
Os sistemas DeviceNet oferecem vários pontos de conexão para configuração e controle, suportando I/O e explicit messaging.10 ocorrência de um determinado tipo de evento, respondendo a esse evento de uma única forma, dizse que o relé é monofunção. Outros relés são fabricados para atuar na ocorrência de vários tipos de eventos, respondendo a esses eventos de duas ou mais formas, nesse caso, diz-se que o relé é multifunção. Para padronizar e universalizar os vários tipos de funções foi elaborada uma tabela pela ANSI (American National Standards Institute) com a descrição da função de proteção e do código numérico correspondente. Considere a tabela citada e marque a função correspondente ao código 49 (MAMEDE FILHO e MAMEDE, 2011):
97 Q424086
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: EXATUS / EXATUSPR Promotores de Eventos e Consultorias
A DeviceNet é uma rede de baixo nível com base no protocolo CAN, que permite equipamentos desde os mais simples como módulo de I/O, sensores e atuadores, até os mais complexos como controladores lógicos programáveis e microcomputadores. Considere a rede DeviceNet e assinale a alternativa falsa (LUGLI e SANTOS, 2009):
98 Q424085
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: EXATUS / EXATUSPR Promotores de Eventos e Consultorias
Atualmente o mercado oferece produtos que contêm um amplo conjunto de sensores e atuadores, como automóveis, sistemas de segurança ou sistemas de telemetria. Integrar as informações desses sensores e atuadores não é uma tarefa trivial, já que inúmeras vezes é exigido um meio físico construído como uma fiação enorme, sem contar o número de conectores. Motivados pelas aplicações intraveiculares, muitas companhias vêm investindo no projeto de controladores que pudessem gerenciar o tráfego de informações com interfaces através de um meio físico reduzido, porém capaz de possibilitar a multiplexação dessas informações. Visando uniformizar os projetos de redes intraveiculares a SAE (Society of Automotive Engineers) definiu três categorias (Classe A, B e C) de redes baseadas nas apl...
99 Q424084
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: EXATUS / EXATUSPR Promotores de Eventos e Consultorias
O padrão CAN (Controller Area Network) possui, basicamente, dois tipos de redes industriais: Devicenet e CANopen. Marque a alternativa que apresenta um conjunto verdadeiro de características da rede CANopen (LUGLI e SANTOS, 2009):
100 Q424083
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: EXATUS / EXATUSPR Promotores de Eventos e Consultorias

Um CLP é definido pelo IEC (International Electrotechnical Commission) como: Sistema eletrônico operando digitalmente, projetado para uso em um ambiente industrial, que usa uma memória programável para a armazenagem interna de instruções orientadas para o usuário para implementar funções específicas, tais como lógica, sequencial, temporização, contagem e aritméticas, para controlar, através de entradas e saídas digitais ou analógicas, vários tipos de máquinas ou processos. O controlador programável e seus periféricos associados são projetados para serem facilmente integráveis em um sistema de controle industrial e facilmente usados em todas suas funções previstas (FRANCHI e CAMARGO, 2008). Visando atender aos diversos segmentos da indústria, incluindo seus usuários, e uniformizar as vár...

101 Q424082
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: EXATUS / EXATUSPR Promotores de Eventos e Consultorias
A temperatura é uma das principais variáveis de processo, sua medição e controle são de fundamental importância numa ampla gama de aplicações industriais. Quase todos os materiais condutores elétricos apresentam uma dependência entre a resistência e a temperatura. Este fenômeno permite seu emprego como sensores. Apesar da crescente aplicação do Pt 100 nas medições de temperaturas, os termopares continuam sendo os sensores mais empregados nas aplicações industriais, devido à combinação de suas características técnicas. Quanto às características técnicas dos termopares, que os tornam vantajosos na maioria das aplicações industriais, assinale a alternativa correta (BEGA et al., 2006):
102 Q424081
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: EXATUS / EXATUSPR Promotores de Eventos e Consultorias
Existe uma ampla variedade de sistemas de mensuração de nível, cada um com suas vantagens e limitações. A seleção do sistema de medição a ser utilizado deverá considerar as características específicas de cada aplicação, o tipo de produto cujo nível deseja-se mensurar dentre outras especificações. Assinale a alternativa para a qual o instrumento de mensuração chave de nível, medição em ponto fixo, do tipo capacitivo não é adequado para:
103 Q424080
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: EXATUS / EXATUSPR Promotores de Eventos e Consultorias
Os medidores volumétricos são essencialmente destinados à medição de volumes, em litros ou metros cúbicos, ao invés de vazão, em litros por minuto ou metros cúbicos por hora. A vazão pode ser calculada por meio de dispositivos auxiliares mecânicos ou eletrônicos, derivando matematicamente o volume no tempo. Existem diferentes tipos de realização construtiva de medidores volumétricos, dependendo do fluído a ser medido, mas o princípio geral de funcionamento consiste em forçar o líquido a ser medido a passar por câmaras de volume conhecido. É possível caracterizar três fases, que ocorrem de forma contínua durante a mensuração, assim assinale a alternativa que não corresponde a uma dessas três fases (BEGA et al., 2006):
104 Q424079
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: EXATUS / EXATUSPR Promotores de Eventos e Consultorias

 

Os instrumentos transmissores de pressão podem ser classificados em pneumáticos e eletrônicos. Os transmissores eletrônicos de pressão utilizam um elemento primário mecânico elástico, combinado com um transdutor elétrico, que gera um sinal elétrico padronizado, correspondente à pressão medida (BEGA et al., 2006). Considere os transmissores eletrônicos de Pressão Tipo Capacitivos e assinale a alternativa correta quanto ao seu funcionamento:

105 Q424078
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: EXATUS / EXATUSPR Promotores de Eventos e Consultorias
Considere a planta industrial apresentada na figura 01, a qual se refere a um sistema de geração de energia elétrica. O engenheiro responsável pela planta citada deve conhecer a simbologia/codificação padronizada pela ISA (Systems and Automation Society), sendo assim assinale a alternativa correta:
106 Q422844
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
Supondo-se que um engenheiro esteja diante de uma possibilidade de manter a lucratividade de sua empresa, por meio da elaboração de um projeto que envolva a utilização de solda Pb-Sb, na soldagem dos componentes eletrônicos nas placas de circuitos impressos. Tendo em vista que a solda de Ag (prata) minora os impactos ambientais, apesar de ter custo muito mais elevado, qual das opções abaixo o engenheiro deve selecionar:
107 Q422843
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
108 Q422842
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
109 Q422841
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
110 Q422840
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
111 Q422839
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
112 Q422838
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
113 Q422837
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
114 Q422836
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
115 Q422835
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
116 Q422834
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
117 Q422833
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
118 Q422832
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
Em relação a esse circuito, o engenheiro teve uma dúvida: para que serve o diodo D1?

Após uma análise mais apurada, ele concluiu que o diodo D1:
119 Q422831
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
Após análise, o engenheiro concluiu que um circuito com essa topologia poderia funcionar:
120 Q422830
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
121 Q422829
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
122 Q422828
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
123 Q422827
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
O Fator de Potência (FP) é o cosseno do ângulo entre os fasores correspondentes à potência total e a potência ativa, consumida por uma instalação elétrica. O Fator de Potência deve ser o mais próximo de “1”. Uma resolução da Anatel dá, como o limite máximo de uma instalação, um Fator de Potência de 0, 92. Se o FP for menor que 0,92 será cobrado um acréscimo na conta do consumidor de energia elétrica e, assim, há, nesse caso, a necessidade da correção do FP. Se desejamos aumentar o FP de um motor elétrico devemos colocar um:
124 Q422826
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
125 Q422825
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
Um motor síncrono de 10 polos é ligado a uma rede de 127 V AC com uma frequência de 60 Hz. O Número de Rotações por Minuto (rpm) do motor será de:
126 Q422824
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
127 Q422823
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
Os Motores CC isto é, motores alimentados com tensão contínua, são usados se desejamos:
128 Q422822
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
129 Q422821
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
Considere duas funções ortogonais de tensão em Volts: ec1(t) = sen wt e ec2(t) = cos wt. A resultante da soma ec(t) = ec1(t) + ec2(t) é um sinal senoidal de:
130 Q422820
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
131 Q422819
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
132 Q422818
Engenharia Eletrônica
Ano: 2014
Banca: Pólo de biotecnologia do Rio de Janeiro (BIO RIO)
133 Q568660
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

O número de entradas padrão TTL que uma saída TTL padrão pode alimentar, tipicamente, é:

134 Q568659
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Supondo que V=10 V e 1 000 Hz, L=0,5 mH e R=10 Ω, a reatância indutiva XL do circuito, em Ω, está na faixa:

135 Q568658
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A curva característica de um diodo túnel é:

136 Q568657
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Suponha que um equipamento possua uma memória do tipo ROM com capacidade para 41 943 040 bits. Assinale a alternativa que apresenta uma possível característica de capacidade dessa memória.

137 Q568619
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)
Acerca da estabilidade de sistemas dinâmicos e suas características nos domínios do tempo e da frequência, julgue os itens a seguir.
138 Q568606
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Considerando o seguinte trecho do texto: “most of the modem control is already accomplished by these devices”, uma tradução possível para accomplished, no contexto, é:

139 Q568605
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Um dos circuitos utilizados para a demodulação FM é o

140 Q568604
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Em relação às características típicas de um diodo Zener, sabendo-se que Pz é a sua potência e Vz é a sua tensão, ambas fornecidas pelo seu fabricante, é correto afirmar que

141 Q425192
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Considere a seguinte instrução, presente em um microprocessador hipotético.

MOV R2, 34h

Essa instrução move o valor 34h (em hexadecimal) para o registrador R2. O carregamento do valor 34h representa uma forma de endereçamento

142 Q425190
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Grande parte dos microprocessadores ou microcontroladores possuem um registrador no qual é armazenada a maioria dos resultados decorrentes de alguma operação lógica ou aritmética. Esse registrador é conhecido como

143 Q425188
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

O ganho de potência (G) de uma antena é calculado de acordo com a seguinte expressão (sendo Pm a intensidade de radiação máxima da antena sob consideração e P0 a intensidade de radiação máxima de uma antena de referência com a mesma potência de entrada considerada):

144 Q425186
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A velocidade de fase de uma onda eletromagnética é dada pela seguinte expressão (sendo μ a permeabilidade e ε a permissividade do meio):

145 Q425184
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Quando um circuito lógico composto por portas da família CMOS está em funcionamento estático, ou seja, não está oscilando,

146 Q425182
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

147 Q425180
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

O tempo de acesso a uma posição de memória do tipo RAM

148 Q425178
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

149 Q425176
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Considere um demultiplexador cujas entradas de seleção são  A0, A1 e A2, e cujas saídas são O1, O2, … e O7, sendo A0 a entrada de seleção menos significativa, e O0 a saída menos significativa. Supondo I o dado de entrada, assinale a alternativa que apresenta uma combinação coerente de valor de entrada de seleção (em binário) / saída ou saídas ativadas, para qualquer valor de I (0 ou 1).

150 Q425174
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

151 Q425172
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

152 Q425170
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

153 Q425169
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Considere dois números, representados na base hexadecimal, sobre os quais se deseja realizar a seguinte operação:

AAEEh − 1111h

Considerando somente a representação de números positivos, o resultado, na base decimal, dessa subtração é:

154 Q425167
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

155 Q425165
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

156 Q425163
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

157 Q425161
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Caso o indutor seja substituído por um capacitor de valor 5 μF, o valor da reatância capacitiva do circuito XC/π, em Ω, está na faixa:

158 Q425159
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Em relação aos diodos D1 e Dz, é correto afirmar que

159 Q425157
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Sobre o dispositivo T, é correto afirmar que ele

160 Q425156
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

161 Q425154
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

162 Q425152
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Sabendo-se que o valor eficaz da tensão Vi é Vef, o valor da tensão Vo é:

163 Q425150
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Deseja-se implementar um circuito dobrador de tensão, que recebe como tensão de entrada um sinal senoidal, e fornece como saída um sinal retificado e filtrado, com valor igual ao dobro do valor de pico do sinal senoidal. Um circuito que poderia ser implementado para atender ao especificado é:

164 Q425148
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

165 Q425147
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

166 Q425145
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Deseja-se ter a máxima potência na carga sem distorção, de forma que o ponto de operação mais adequado que pode ser escolhido na curva característica do transistor é o

167 Q425143
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Sobre o circuito, é correto afirmar que, em condições normais de polarização,

168 Q425141
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A tensão no ponto 1, em V, encontra-se na faixa:

169 Q425139
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

O valor de RB, em Ù, encontra-se na faixa:

170 Q425137
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

171 Q425135
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

172 Q425133
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Em um diodo Zener, um dos mecanismos que ocorrem para que se obtenha a tensão reversa é por meio de colisões de um portador minoritário, gerando energia para quebrar ligações covalentes. Esse mecanismo recebe a denominação de

173 Q425131
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Os símbolos do transistor MOSFET do tipo intensificação(enhancement) canal n e canal p são, respectivamente,

174 Q425129
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Considerando um material condutor (metal) e que ¦Ì seja a mobilidade desse material e ¦Ñ sua densidade de cargas, sua condutividade (¦Ò) ¨¦ calculada por:

175 Q425127
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A lei da continuidade, utilizada para representar o fluxo de cargas em materiais semicondutores, estabelece o princípio de que

176 Q425125
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Considerando a estrutura de bandas de energia, assinale a característica básica de um material isolante.

177 Q425124
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Um material semicondutor intrínseco é transformado em extrínseco por meio

178 Q425122
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Um microprocessador permite que uma forma de endereçamento à memória se utilize de um registrador para armazenar o endereço da posição de memória a ser acessada. Quando um operando na memória é acessado a partir de um endereço contido em um registrador, tem-se uma forma de acesso ao operando denominada endereçamento

179 Q425120
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Nas diversas arquiteturas de microprocessadores e microcontroladores, é comum a existência do Stack Pointer, cujo funcionamento pode variar ligeiramente de acordo com o componente analisado. De uma forma geral, trata-se de um

180 Q425118
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

As equações que definem o campo elétrico de uma onda circularmente polarizada (em z = 0) são:

181 Q425116
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

182 Q425114
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

183 Q425112
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

184 Q425110
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

185 Q425108
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

A classe de amplificador que se caracteriza por não utilizar corrente de polarização nos transistores de sua saída, aumentando o seu rendimento (teórico) para até 78,5%, é:

186 Q425107
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

187 Q425105
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

188 Q425103
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

No que tange à estrutura de bandas de energia de um material semicondutor, é correto afirmar que

189 Q425101
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Sobre os materiais semicondutores intrínsecos, é correto afirmar que

190 Q425100
Engenharia Eletrônica
Ano: 2013
Banca: Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

Considere um material semicondutor, no qual q é a carga; Dp, a constante de difusão; e dp/dx, o gradiente de densidade de lacunas. A corrente de difusão (Jp) devida às lacunas é calculada por: