1 Q413895
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Qual o mecanismo de frenagem do íon implantado dentro do alvo (lâmina) que é predominante para baixas energias do feixe iônico incidente?
2 Q413894
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Qual o mecanismo de frenagem do íon implantado dentro do alvo (lâmina) que é predominante para altas energias do feixe iônico incidente?
3 Q413892
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Dentro do alvo (lâmina), os íons implantados sofrem colisões múltiplas com os elétrons e com os núcleos dos átomos da estrutura do substrato (lâmina). Essas colisões reduzem gradualmente a energia dos íons até freá-los totalmente. As reduções da energia dos íons incidentes devido às colisões com os elétrons e com os núcleos são denominadas, respectivamente:
4 Q413890
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
O implantador de íons é do tipo:
5 Q413888
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
No processo de implantações de íons, qual deve ser a dose da implantação de íons para se obter em junções rasas (com profundidade menor que 10 nm e concentração de dopantes em torno de 1020 cm-3) em lâmina de Si?
6 Q413886
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Qual deve ser a energia de aceleração do feixe de íons no processo de implantação para se obter em junções rasas (com profundidade menor que 10 nm) em lâmina de Si?
7 Q413885
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Para evitar ou reduzir o efeito de canalização de íons numa lâmina de Si com orientação cristalina (100) durante a implantação de íons, a lâmina deve ser posicionada no implantador com inclinação e rotação?
8 Q413883
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Para que servem as lentes eletrostáticas no sistema de implantações de íons?
9 Q413881
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Executando-se a espectroscopia de massa do íon secundário (SIMS) de uma estrutura implantada, consegue-se obter
10 Q413879
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Executando-se a medida de quatro pontas sobre uma camada implantada e recozida, consegue-se obter