Questão Q413888
2012 FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Engenharia Elétrica Princípios de Ciências dos Materiais
Prova: Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC - Analista Administrativo Área Engenharia Elétrica (ETEA - IMPION) - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) do ano 2012 • Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

No processo de implantações de íons, qual deve ser a dose...

No processo de implantações de íons, qual deve ser a dose da implantação de íons para se obter em junções rasas (com profundidade menor que 10 nm e concentração de dopantes em torno de 1020 cm-3) em lâmina de Si?

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