Questões de Concurso de Engenharia Elétrica - Página 576

1 Q413594

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Para o processo de corrosão química de um filme de SiO2 sobre o substrato de Si, qual solução deve ser usada?

A Solução de ácido nítrico (HNO3). B Solução básica de amoníaco (NH4OH). C Solução de ácido fosfórico (H3PO4). D Solução de ácido fluorídrico (HF). E As soluções de ácido nítrico (HNO3) e ácido fosfórico (H3PO4) podem ser usadas para a corrosão do SiO2.

2 Q413592

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Quais os principais dopantes usados para a obtenção de regiões dos tipos p e n em substratos de Si?

A Do tipo p, boro, e do tipo n, arsênio e fósforo. B Do tipo p, gálio, e do tipo n, antimônio e índio. C Do tipo p, gálio e índio, e do tipo n, antimônio. D Do tipo p, fósforo, e do tipo n, boro e arsênio. E Do tipo p, arsênio e fósforo, e do tipo n, boro.

3 Q413591

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

O que é a técnica de fotolitografia?

A É a técnica que faz a oxidação da camada do substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos. B É a técnica empregada para imprimir padrões geométricos e abrir janelas em camadas na superfície do substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos. C É a técnica que faz a difusão de dopantes no substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos. D É a técnica que faz a implantação de dopantes no substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos. E É a técnica que faz a limpeza do substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.

4 Q413589

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Quais são os mecanismos de crescimento de óxido de Si sobre substrato de Si no processo de oxidação térmica?

A Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si. B Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato. C Somente mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si. D Somente mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si. E Mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.

5 Q413587

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Por que devemos realizar etapa de recozimento térmico após uma etapa de implantação de íons na obtenção de uma junção?

1 – Para corrigir os defeitos causados pela implantação de íons.

2 - Para a ativação elétrica dos dopantes implantados.

3 - Para oxidar a lâmina.

4 - Para definir a profundidade e o perfil de dopagem.

Está (ão) correta (s) apenas a (s) afirmativa (s):

A 1 e 2. B 2 e 3. C 2, 3 e 4. D 1, 2 e 3. E 1, 3 e 4.

6 Q413586

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Quais as motivações para o emprego da implantação de íons em substituição à difusão em forno térmico?

1- Controle preciso da profundidade de junção através da energia de aceleração do feixe de íons.

2- Controle preciso da concentração de dopantes na junção através da dose de implantação de íons.

3- Permite o uso de máscara de fotoresiste, pois, normalmente, é um processo executado em temperatura ambiente.

Está (ão) correta(s) apenas a(s) afirmativa(s):

A 1. B 1, 2 e 3. C 2. D 1 e 2. E 2 e 3.

7 Q413584

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

O processamento térmico rápido (RTP) é usado para:

A A obtenção de junções rasas. B A ativação de dopantes em porta de Si –policristalino. C A silicetação. D A obtenção de óxido de porta ultra-fino. E Todos os processos citados nas alternativas acima podem ser executados com o processamento térmico rápido.

8 Q413582

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Assinale a alternativa que contém somente processos que retirem o fotorresiste.

A Limpeza piranha (solução H2SO4/H2O2) e processo com plasma de oxigênio. B Limpeza RCA e corrosão com HCl. C Limpeza piranha (solução H2SO4/H2O2) e limpeza RCA. D Processo com plasma de oxigênio e limpeza RCA. E Limpeza piranha (solução H2SO4/H2O2) e corrosão com solução de HCl.

9 Q413581

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Quais das alternativas a seguir apresenta as etapas sequenciais do método padrão RCA para limpeza de lâminas de Si?

A 1ª etapa com solução:NH4OH:H2O, enxague em H2O; 2ª etapa com solução: HCl:H2O, enxague em H2O. B 1ª etapa com solução: HCl:H2O2:H2O, enxague em H2O; 2ª etapa com solução: NH4OH:H2O2:H2O, enxague em H2O. C 1ª etapa com solução:NH4OH:H2O2:H2O, enxague em H2O; 2ª etapa com solução: HCl:H2O2:H2O, enxague em H2O. D 1ª etapa com solução: HCl:H2O, enxague em H2O; 2ª etapa com solução: NH4OH:H2O, enxague em H2O. E 1ª etapa com solução:NH4OH:H2O, enxague em H2O; 2ª etapa com solução: H2O2:H2O, enxague em H2O.

10 Q413579

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Por que se utiliza a lâmina de Si com orientação cristalina (100) para a fabricação de dispositivos para a tecnologia CMOS?

A Quando crescido o óxido de Si sobre a lâmina, apresenta a maior densidade de defeitos na interface entre SiO2/Si. B Não se utiliza a orientação (100) para a fabricação de dispositivos para a tecnologia CMOS e sim a orientação (110). C Quando crescido o óxido de Si sobre a lâmina, apresenta a menor densidade de defeitos na interface entre SiO2/Si. D Quando crescido o óxido de Si sobre a lâmina, apresenta a menor densidade de defeitos na interface entre Si3N4/Si. E Não se utiliza a orientação (100) para a fabricação de dispositivos para a tecnologia CMOS e sim a orientação (111).

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