Questões de Concurso de Engenharia Elétrica - Página 577

1 Q413578

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

A simulação de um processo de oxidação térmica sobre uma lâmina de Si apresentou uma espessura total de 1000 nm do óxido de Si obtido. Qual a espessura da camada superficial de Si que foi consumida durante o processo de oxidação?

A Cerca de 660 nm B Cerca de 330 nm C Cerca de 550 nm D Cerca de 440 nm E Cerca de 220 nm

2 Q413576

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Para simular o valor de transcondutância de um determinado transistor nMOS, polarizado na região tríodo para tensão entre fonte e dreno de 100 mV, que parâmetros são necessários?

A Mobilidade de portadores no canal, espessura do óxido de porta, largura e comprimento da porta. B Somente a Mobilidade de portadores no canal. C Somente a espessura do óxido de porta. D Espessura do óxido de porta, largura e comprimento da porta. E Mobilidade de portadores no canal, largura e comprimento da porta.

3 Q413574

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

No escalamento da tecnologia CMOS, que dimensões dos transistores MOS seguem a tendência de redução?

A A largura da base, a profundida do emissor e a área do coletor. B A espessura do óxido de porta, o comprimento e a largura da porta e a profundidade das junções de dreno e de fonte. C A espessura do óxido de porta, o comprimento e a largura da base e a área do coletor. D A largura da base, a profundida do emissor e a espessura do óxido de porta. E A área do coletor, o comprimento e a largura da porta e a profundidade das junções de dreno e de fonte.

4 Q413573

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

São características extraídas dos transistores MOS:

A Curva de corrente versus tensão e curva de capacitância versus tensão entre catodo e anodo. B Curva de corrente de coletor versus tensão entre coletor e emissor e curva de corrente de base versus tensão entre base e emissor. C Curva de corrente de coletor versus tensão entre coletor e emissor e curva de corrente de dreno versus tensão entre dreno e fonte. D Curva de corrente de dreno versus tensão entre porta e fonte e curva de corrente de base versus tensão entre base e emissor. E Curva de corrente de dreno versus tensão entre porta e fonte e curva de corrente de dreno versus tensão entre dreno e fonte.

5 Q413571

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Assinale a alternativa que apresenta somente técnicas de isolação entre dispositivos na tecnologia CMOS.

A Ajuste de tensão de limiar por implantação de íons e LOCOS. B Corrosão úmida e STI. C LOCOS e STI. D Corrosão seca e corrosão úmida. E Ajuste de tensão de limiar por implantação de íons e STI.

6 Q413569

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Quais são as principais vantagens da tecnologia CMOS?

A Baixo consumo de energia, mas não permite alta densidade de integração dos dispositivos. B Alto consumo de energia e permite alta densidade de integração dos dispositivos. C Baixo consumo de energia e a densidade de integração dos dispositivos é muito baixa. D Não apresenta vantagens quando comparada com a tecnologia TTL. E Baixo consumo de energia e permite alta densidade de integração dos dispositivos.

7 Q413568

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Os valores das energias de band gap de materiais semicondutores estão entre 0,1 eV e 3,0 eV, enquanto para materiais isolantes, os valores são maiores que 3,0 eV. Assim, quais os valores das energias de band gap dos materiais Si e SiO2, em temperatura ambiente, respectivamente, que são usados na tecnologia MOS?

A São 1,1 eV e 9,0 eV. B São 1,1 eV e 2,0 eV. C São 6,0 eV e 9,0 eV. D São 9,0 eV e 1,1 eV. E São 9,0 eV e 2,0 eV.

8 Q413566

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Qual a definição da energia de band gap de materiais semicondutores ou isolantes?

A É a variação de energia entre o limite máximo da banda de condução e o limite máximo da banda de valência. B É a energia da banda de condução. C É a variação de energia entre o limite mínimo da banda de condução e o limite mínimo da banda de valência. D É a variação de energia entre o limite mínimo da banda de condução e o limite máximo da banda de valência. E É a variação de energia entre o limite máximo da banda de condução e o limite mínimo da banda de valência.

9 Q413565

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Qual o principal motivo da substituição de corrosão úmida pela corrosão seca que aconteceu na microeletrônica nos anos 80- 90?

A Necessidade de aumentar a taxa de corrosão. B Necessidade de aumentar a anisotropia de corrosão. C Menores danos ambientais. D Maior uniformidade do processo. E Menor custo do processo.

10 Q413563

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Quais os principais produtos voláteis formados durante processo de corrosão de Si em plasmas fluorados?

A SiF4 B SiF2 C SiF3 D SiF E SiF6

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