Questões de Concurso de Engenharia Elétrica

161 Q413648

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Qual a alternativa que melhor descreve as diferenças fundamentais entre o fluxo de projeto bottom-up e top-down e sua relação com as ferramentas de EDA/CAD?

A Enquanto o fluxo top-down possui maior ênfase na elaboração do sistema através de modelos e algoritmos, o fluxo bottom-up parte da implementação em nível de transistor dos blocos necessários para a integração do sistema. Na prática, ambos os fluxos ocorrem simultaneamente independentemente dos recursos disponíveis e da maturidade da equipe em relação ao projeto em execução. As mesmas ferramentas utilizadas em um método, são utilizadas para o outro. B Enquanto o fluxo bottom-up possui maior enfase na elaboração do sistema através de modelos e algoritmos, o fluxo topdown parte da implementação em nível de transistor dos blocos necessários para a integração do sistema. Na prática, ambos os fluxos ocorrem simultaneamente, sendo que dependendo dos recursos disponíveis e da maturidade da equipe em relação ao projeto em execução é dada maior ênfase para um ou outro método. As mesmas ferramentas utilizadas para o projeto bottom-up são também utilizadas para o projeto top-down, muito embora a implementação de modelos é em geral facilitada pela utilização de simuladores específicos que interpretam Verilog-A ou Verilog-AMS e a criação de floor-plan por ferramentas, como por exemplo o Preview expert ou similares. C Enquanto o fluxo top-down possui maior enfase na elaboração do sistema através de modelos e algoritmos, o fluxo bottom-up parte da implementação em nível de transistor dos blocos necessários para a integração do sistema. É impossível a execução dos fluxos simultaneamente, dependendo dos recursos disponíveis e da maturidade da equipe em relação ao projeto em execução deve-se optar por um ou outro método. As mesmas ferramentas utilizadas para o projeto bottom-up são também utilizadas para o projeto top-down, muito embora a implementação de modelos é em geral facilitada pela utilização de simuladores específicos que interpretam Verilog-A ou Verilog-AMS e a criação de floorplan por ferramentas, como por exemplo o Preview expert ou similares. D Enquanto o fluxo top-down possui maior ênfase na elaboração do sistema através de modelos e algoritmos, o fluxo bottom-up parte da implementação em nível de transistor dos blocos necessários para a integração do sistema. Na prática, ambos os fluxos ocorrem simultaneamente, sendo que dependendo dos recursos disponíveis e da maturidade da equipe em relação ao projeto em execução é dada maior ênfase para um ou outro método. As mesmas ferramentas utilizadas para o projeto bottom-up são também utilizadas para o projeto top-down, muito embora a implementação de modelos e a criação de floor-plan são em geral facilitada pela utilização de simuladores específicos que interpretam Verilog-A ou Verilog-AMS e por ferramentas, como por exemplo o Preview expert ou similares respectivamente. E O fluxo top-down e o fluxo bottom-up são equivalentes. As mesmas ferramentas utilizadas para o projeto bottom-up são também utilizadas para o projeto top-down.

162 Q413644

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Qual das alternativas abaixo melhor ilustra as etapas básicas do fluxo de projeto analógico, em sua ordem cronológica, considerando a interdependência entre as etapas e as respectivas ferramentas de EDA utilizadas?

A Entrada de esquemático (Virtuoso Schematic Editor), simulação elétrica com parasitas (Spectre), LVS (Assura), extração de parasitas (Assura RCX), simulação elétrica sem parasitas (Spectre), DRC (QRC Extraction). B Concepção, especificação, entrada de esquemático (Virtuoso Schematic Editor), simulação elétrica sem parasitas (Spectre), elaboração de layout (Virtuoso Layout XL) DRC (Assura), LVS (Assura), extração de parasitas (QRC Extraction), simulação elétrica com parasitas (Spectre). C Concepção, especificação, entrada de esquemático (Virtuoso Schematic Editor), simulação elétrica sem parasitas (Spectre), DRC (Calibre), LVS (Assura), extração de parasitas (Assura RCX), simulação elétrica com parasitas (QRC Extraction). D DRC (StarRC), LVS (Assura LVS), entrada de esquemático (Virtuoso Schematic Editor), extração de parasitas (Assura RCX), simulação elétrica sem parasitas (Spectre), simulação elétrica com parasitas (Calibre). E Entrada de esquemático (Virtuoso Schematic Editor), elaboração de layout (Virtuoso Layout XL), LVS (Calibre), simulação elétrica sem parasitas (Spectre), DRC (Assura).

163 Q413602

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Quais as cargas encontradas na estrutura de porta MOS e qual medida as identifica?

A Cargas capturadas na interface, Cargas capturadas no óxido, Cargas fixas e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de quatro pontas. B Cargas de geração e recombinação, Cargas de abaixamento da barreira de potencial e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de quatro pontas. C Cargas de geração e recombinação, Cargas de abaixamento da barreira de potencial e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de Capacitância-Tensão (C-V). D Cargas capturadas na interface, Cargas capturadas no óxido, Cargas fixas e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de Capacitância-Tensão (C-V). E Cargas de geração e recombinação, Cargas de abaixamento da barreira de potencial e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de corrente-tensão (I-V).

164 Q413576

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Para simular o valor de transcondutância de um determinado transistor nMOS, polarizado na região tríodo para tensão entre fonte e dreno de 100 mV, que parâmetros são necessários?

A Mobilidade de portadores no canal, espessura do óxido de porta, largura e comprimento da porta. B Somente a Mobilidade de portadores no canal. C Somente a espessura do óxido de porta. D Espessura do óxido de porta, largura e comprimento da porta. E Mobilidade de portadores no canal, largura e comprimento da porta.

165 Q413530

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Para processos tipo RIE de corrosão de Si em descargas assimétricas, qual dos eletrodos é utilizado para fixar a lâmina?

A De área maior. B De área menor. C Qualquer dos dois. D Depende da potência da descarga. E Depende da pressão do gás.

166 Q412459

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

A 0 B 120 C 127 D

E

167 Q412447

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

A

B

C

D

E

168 Q412441

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

A 0 B

C

D

E

169 Q412440

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

A

B

C

D

E

170 Q412434

Engenharia Elétrica

Ano: 2012

Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

Para gerar o traço horizontal de varredura na tela de um osciloscópio analógico, aplica-se, sobre as placas defletoras horizontais, uma forma de onda de tensão periódica, cujo esboço é

A

B

C

D

E

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