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Q412406
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Q412393
Um conversor analógico-digital de 8 bits, com faixa de entrada de 0 a 10 V, foi utilizado em conjunto com uma célula de carga, cuja saída varia linearmente entre 0 e 5 V para uma faixa de carga compreendida entre 0 e 1.000 N. Qual é, aproximadamente, a resolução desse sistema?
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Q412391
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Q412279
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Q412277
Ao se utilizar o amperímetro para medir correntes contínuas, caso o valor da medida possa ultrapassar a capacidade do instrumento, deve-se fazer uso de resistências auxiliares com o objetivo de ampliar tal capacidade. Dispõe-se de um amperímetro (escala de 0 a 10) com resistência interna igual a 36 ohms, com o qual se devem medir correntes da ordem de 100 A. O valor da resistência (em ohms) a ser ligada ao instrumento, nesse caso, é
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Q412249
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Q408300
Assinale a alternativa incorreta sobre DRC e/ou LVS.
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Q408298
O consumo de potência é uma parte critica no projeto de SoC (System-on-a-Chip), sendo um dos requisitos mais importantes de um chip. Sobre o consumo de potência, é correto afirmar o seguinte:
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Q408271
Um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”) com 100 nm de comprimento tem espessura de óxido na porta de 40 Å. A capacitância linear medida na largura da porta é igual a: (considere a permissividade do vácuo ε0 = 8,85 x 10-12 F/m e a permissividade relativa do óxido εox = 4)
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Q408269
Seja um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”) com contatos de tamanho unitário em um processo de 0,6 μm. Considere as características do transistor: capacitância de junção = 15 fF/μm2; coeficiente de gradação de junção = 0,5; distribuição periférica de capacitância = 5 fF/μm; coeficiente de gradação periférica de junção = 0,5 e potencial elétrico intrínseco à temperatura ambiente = 1 V. Assuma, ainda, que o substrato esteja aterrado e que a tensão de polarização no dreno seja VDD = 8 V. A partir das informações apresentadas, pode-se afirmar que a capacitância parasita de difusão no dreno do transistor é igual a