91 Q418292
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Um transformador monofásico tem a especificação seguinte: 220 V × 110 + 110 V − 880 VA. O ensaio em curtocircuito determinou a tensão de curto-circuito para que o transformador atinja a corrente nominal no primário, cujo valor medido foi 18 V. A impedância percentual e a corrente de curto-circuito do transformador valem, respectiva e aproximadamente,

92 Q418291
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Sendo IB a corrente de projeto do circuito de uma instalação elétrica e IZ a capacidade de condução de corrente dos seus condutores, um disjuntor com corrente nominal de 40 A se enquadra em:

93 Q418290
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

94 Q418259
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

95 Q418258
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

96 Q418135
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

97 Q418133
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

Um alimentador trifásico de 200 V de tensão de linha alimenta uma carga trifásica resistiva de 3.000 W.

A corrente nominal, em ampères, nesse alimentador é de

98 Q417980
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Energia Essencial

A intensidade da corrente é dada pela quantidade de carga elétrica por unidade de tempo. Então temos Onde:

I – Q = carga elétrica > Joule (J);

II – Delta t = intervalo de tempo > hora (h);

III – i = intensidade de corrente elétrica > Coulomb por segundo (C/s) = Ampere (A).

Quais afirmativas acima estão corretas?

99 Q417979
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação de Apoio ao Desenvolvimento da UEL (FAUEL)

Para se conhecer a corrente elétrica e consequentemente definir a bitola do condutor a ser utilizado é necessário:

100 Q417974
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de campo MOS (metal-óxido silício), com canal N e substrato formado por semicondutor P. Essa aplicação depende do controle da tensão porta-fonte do transistor. Assinale a opção correspondente ao fato que ocorre quando se aplica tensão porta-fonte positiva no transistor.