111 Q413975
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Para um determinado circuito integrado de sinais mistos (analógico e digital) VLSI, seu plano de teste prescreve de 108 vetores de teste a serem aplicados para teste da parte digital. Para o teste dos blocos analógicos é gasto 3 segundos. Empregase um equipamento de teste com capacidade de aplicação de 50 Mega (50x106) vetores de teste por segundo. O custo operacional do ATE (equipamento automático de teste) é de R$0,02 por segundo de uso. Estima-se que o yeild do processo de fabricação circuito integrado em questão é de 80%. Qual o custo estimado do teste por chip bom?
112 Q413973
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
O processo de teste a que um sistema VLSI é submetido após a fabricação tem por objetivo:
113 Q413965
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Na sintaxe da linguagem VerilogAMS, a rotina padrão vpi_chk_error( ) deve retornar uma constante inteira representando um nível de severidade de erro se a chamada anterior a uma rotina VPI (Verilog Procedural Interface) resultou em erro. Considerando as constantes de retorno de erro para a rotina vpi_chk_error( ), a que possui maior severidade é:
114 Q413963
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
A partir da tela inicial do software Virutoso Layout Editor, é possível acessar a interface gráfica Dracula DRC (Design Rule Checking). Nesta interface, é possível visualizar erros de DRC e investigar suas causas. Para verificar as regras de DRC a partir da interface gráfica Dracula DRC, deve-se executar o seguinte procedimento:
115 Q413962
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Alguns anéis de pad existentes nas entradas de dispositivos CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar) contêm implementações de Schmitt triggers, cuja histerese eleva o ponto de chaveamento quando o sinal de entrada é baixo e o reduz quando o sinal de entrada é alto. A função desse circuito nessas estruturas é
116 Q413960
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
O software Virtuoso Hierarchy Editor permite ao usuário visualizar vários níveis de um único projeto usando uma tabela ou uma vista em árvore. Assinale uma alternativa que NÃO é passível de ser executada pelo Virtuoso Hierarchy:
117 Q413953
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Um mecanismo de falha de inversores CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar) caracteriza-se pela formação de um retificador controlado de silício (SCR) biestável a partir do acoplamento cruzado de transistores “npn” e “pnp” parasitas, desenvolvendo caminhos de baixa resistência entre o dreno e o corpo dos inversores que normalmente são aterrados. É, então, estabelecida uma malha de realimentação que faz circular uma corrente elevada entre o dreno e o corpo, resultando no desligamento da fonte de alimentação ou no derretimento dos terminais de alimentação. Tal mecanismo de falha denominase:
118 Q413948
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Sobre a fabricação de um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”), pode-se afirmar que a seguinte etapa desse processo é dita auto-alinhada:
119 Q413947
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Cada fio de um par de interconexões de 1 mm tem distribuição linear de capacitância de 2,5 fF/μm em relação ao plano de terra representado pelo substrato e 2,5 fF/μm em relação ao fio adjacente. Cada interconexão é ligada a um inversor CMOS com resistência de 20 kΩ. Pode-se afirmar que os retardos de contaminação e de propagação ao longo do caminho das interconexões serão, respectivamente, iguais a: (despreze a capacitância parasita do inversor CMOS e a resistência dos fios)
120 Q413905
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Um transistor de potência, para o qual a temperatura máxima da junção TJmáx = 150 ºC, é capaz de dissipar 50 W à temperatura de 50 ºC. Considerando que o transistor foi conectado a um dissipador de calor usando uma arruela com resistência térmica igual a 0,5 ºC/W, a temperatura no dissipador necessária para assegurar a operação segura a 30 W e o comprimento do dissipador são, respectivamente, iguais a: (considere a resistência térmica do ar ambiente em repouso igual a 4 °C/W e a temperatura ambiente igual a 15 °C)
121 Q413843
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Durante o projeto e layout de uma placa de circuito impresso (PCI), alguns arquivos são gerados durante o processo. Ao finalizar o esquemático de um circuito, o programa de projeto gera um arquivo que contem informações acerca dos componentes, alguns de seus atributos e as conexões realizadas entre eles, ou seja, define como os componentes de um circuito se conectam. Este arquivo é conhecido como:
122 Q413840
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Ao projetar uma placa de circuito impresso (PCI), devem ser utilizadas algumas técnicas para garantir a minimização de efeitos indesejáveis, tais como: crosstalk, efeitos parasitas, dentre outros. Para circuitos que utilizam sinais de alta frequência, uma técnica permite a elaboração de guias de transmissão em PCIs. O nome dado a este tipo de linha de transmissão é:
123 Q413838
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
O formato de arquivo adotado como padrão pela indústria de fabricação de circuito impresso que descreve as imagens de todas as camadas (layers) de uma placa de circuito impresso, como por exemplo, camadas de cobre, máscaras de solda, máscaras de furação, dentre outras, é conhecido como:
124 Q413833
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Assinale a alternativa que identifique corretamente o método com as seguintes características:

I) Este método pode ser utilizado para realizar a conexão entre terminais de um chip e uma placa de circuito impresso diretamente, sem a necessidade de encapsulamento do chip.

II) É um método de baixo custo que consiste na conexão de fios, usualmente ouro, alumínio ou cobre, aos terminais de um chip, permitindo a ligação a um encapsulamento que facilite o manuseio e a utilização em circuito mais complexo.
125 Q413832
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Um possível método de conexão entre um dispositivo semicondutor e um circuito externo consiste em realizar a conexão do primeiro diretamente ao segundo. Neste método, os terminais do chip recebem deposições de porções de solda, antes mesmo de sua separação do wafer. Posteriormente, o chip é virado com seus terminais sobre o circuito externo e a soldagem é realizada pelo derretimento da solda, normalmente através de ar quente. Tal método é conhecido como:
126 Q413830
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
O processo de teste de circuitos integrados em uma linha de produção é um passo que consome grande parte do tempo de fabricação. Além disso, é fundamental para a qualidade dos circuitos produzidos. Várias técnicas foram desenvolvidas para permitir um melhor desempenho neste quesito. Quanto a estas técnicas, analise as seguintes sentenças:

I) Um dos métodos para contornar alguns problemas encontrados na etapa de testes é o DFT (Design For Testing), aplicado ainda na fase de projeto do produto.

II) No método DFT, o produto é projetado de forma que suas arquiteturas permitam um teste de parâmetros realizado em condições de fábrica em vez de testar sua forma real de operação.

Em relação a estas sentenças, pode-se afirmar que:
127 Q413829
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Analise as sentenças abaixo sobre testes na fabricação de circuitos integrados:

I) Durante a fase conhecida como “Wafer Testing”, os circuitos integrados que não forem aprovados em todos os padrões de teste são descartados.

II) Os testes realizados em chips, ainda no wafer, são realizados por amostragem, de acordo com teorias estatísticas permitindo uma avaliação média de cada lote.

III) Um probe card é um meio de conexão física entre os circuitos integrados fabricados em um wafer e um sistema eletrônico de teste.

Estão corretas as sentenças:
128 Q413776
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Com relação às portas utilizadas nos transistores de efeito de campo (MOSFETs) em tecnologias CMOS padrão de vanguarda, pode-se dizer que
129 Q413774
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Circuitos integrados são fabricados em salas limpas, também denominadas salas brancas. Qual das afirmativas abaixo é incorreta?
130 Q413761
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
A iniciativa RoHS / WEEE, que determina a eliminação do uso de materiais nocivos ao meio ambiente, teve um impacto significativo na indústria de semicondutores, pois ela requer o banimento de qual elemento?
131 Q413760
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Qual dos processos abaixo não é utilizado na fabricação de placas de circuito impresso com tecnologia SMT (Surface Mount Technology)?
132 Q413754
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Instrumentos de medida devem ser construídos e conectados no circuito de modo a não afetarem o sinal a ser medido. Qual das alternativas abaixo descreve como um multímetro digital deve ser construído e montado em um circuito de modo a medir a corrente que está passando?
133 Q413752
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
O diodo semicondutor de junção pn é um dos elementos básicos na fabricação de circuitos integrados. Qual é o efeito do diodo numa corrente alternada de radiofrequência (RF) que o atravessa?
134 Q413751
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Qual medida elétrica permite avaliar a presença de defeitos e cargas no dielétrico de porta de estruturas Metal-isolantesemicondutor (MIS)?
135 Q413745
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Um módulo Multi-chip-module (MCM) formado por 4 circuitos integrados pré-testados (Known-good-dies) devem seguir qual protocolo de teste após o encapsulamento?
136 Q413742
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Qual estilo de projeto de circuitos integrados é caracterizado pelo uso de uma matriz pré-definida sobre a qual o circuito é implementado através da definição das interconexões entre os elementos da matriz?
137 Q413740
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Como é denominada a metodologia de projeto de circuitos integrados que partindo de uma descrição abstrata da operação do circuito, se utiliza de refinamentos sucessivos da descrição do circuito até que se obtenha uma descrição física do circuito?
138 Q413735
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Softwares como o Matlab e o Labview são corriqueiramente utilizados em laboratórios de microeletrônica. Esses softwares são primordialmente utilizados respectivamente para
139 Q413733
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
As técnicas de planejamento de experimentos (DoE) são utilizadas para melhorar a qualidade de processos de fabricação e do produto final. Qual das alternativas não apresenta uma vantagem do uso de DoE?
140 Q413731
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
As conexões internas de um circuito integrado definem qual nível de empacotamento?
141 Q413728
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
A técnica de montagem de chips (dies) por Solda de Fios (Wire Bonding) apresenta a seguinte vantagem quando comparada com a técnica de flip-chip:
142 Q413721
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Uma característica muito importante de um processo de fabricação de circuitos integrados é a resistência de folha. Com relação a esta característica, assinale a alternativa correta:
143 Q413716
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Avalie as assertivas a seguir sobre estruturas de teste para avaliação de processos de fabricação de circuitos integrados:

I) Um exemplo de estrutura de inspeção visual é o conjunto de linhas.

II) Para realização de testes com conjunto de linhas, são colocadas linhas nas direções x e y do wafer a ser testado.

III) Os conjuntos de linhas podem ser feitos de forma que o período seja constante, mas a largura da linha seja diminuída; o período seja constante, mas a distância entre linhas seja diminuída; ou tanto linha quanto distância entre linhas são diminuídas alterando assim a periodicidade das linhas.

Estão corretas as assertivas:
144 Q413714
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Na fabricação de circuitos integrados, algumas estruturas de teste podem ser usadas para avaliação do processo. Analise as sentenças a seguir: I) Para a correta avaliação do processo de fabricação de um CI, é sempre necessário realizar a caracterização de um componente eletrônico. II) É possível caracterizar partes de um processo de fabricação de CIs por meio de estruturas de teste visual. III) Estruturas de inspeção visual têm como objetivo a avaliação exclusivamente qualitativa. Estão corretas as sentenças:
145 Q413708
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Um inversor MOS foi construído com MOSFETs casados com tensão de limiar, Vt = 0,5V. Sabendo-se que a tensão de alimentação utilizada é VDD = 5V, assinale a alternativa que apresenta o menor valor de tensão de entrada que será considerado como um nível lógico 1.
146 Q413701
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Um engenheiro realizou alguns testes com um transistor MOSFET de canal N para tentar caracterizá-lo. Ele estudou a variação das tensões entre porta e fonte (VGS), e entre dreno e fonte (VDS). Sendo assim, analise as seguintes asserções feitas:

I) Para uma tensão VGS fixa, acima da tensão de limiar (Vt), variando-se a tensão VDS existe um valor desta última que faz com que o transistor entre na região de saturação.

II) Se VDS = VGS - Vt, a diferença de potencial entre porta e dreno fica igual à tensão de limiar (Vt), e o canal atinge sua largura máxima, ponto a partir do qual mudanças em VDS têm pouco efeito sobre o valor de corrente entre fonte e dreno, e o transistor se diz saturado.

Com relação a estas assertivas, pode-se afirmar que:

147 Q413699
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Uma das características de um transistor MOSFET é a existência de uma tensão de limiar (threshold). Analise as assertivas a seguir, sobre esta tensão:

I) Para tensões entre porta (gate) e fonte (source), VGS, abaixo de uma tensão de limiar (Vt), não haverá ou será muito pequeno o fluxo de corrente entre fonte e dreno.

II) Quando VGS < Vt, a densidade de cargas acumuladas no canal é nula ou muito pequena já que a intensidade de campo elétrico não será suficiente para a formação do canal condutor.

Com relação a essas assertivas, pode-se afirmar que:
148 Q413693
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Um engenheiro realizou diversos testes de caracterização de um capacitor MOS variando a tensão aplicada a seus terminais e medindo a capacitância. Analise as seguintes sentenças:

I) A capacitância varia monotonicamente com a tensão.

II) A variação da capacitância é linear com relação à tensão.

III) A curva CV (Capacitância versus Tensão) apresenta um máximo de capacitância.

Este engenheiro pode concluir que estão corretas as sentenças:
149 Q413682
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Com relação à estrutura dos dados gerados, transmitidos e armazenados durante a execução do fluxo de projeto de circuitos integrados, principalmente utilizando-se as ferramentas comerciais, podemos classificá-los em:
150 Q413680
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
A política de contingência, dentro do contexto de desenvolvimento de circuitos integrados, visa principalmente:
151 Q413679
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Considerando um projeto de CI com sua configuração sob controle de versão, do ponto de vista dos procedimentos de backup, dados de simulação são considerados:
152 Q413677
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Visando a definição de um ambiente computacional otimizado para atender um centro de projetos de Circuitos Integrados de grande porte, qual seria o melhor critério para definir políticas de cotas de uso do disco?
153 Q413675
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Como são, em geral, utilizados dentro do contexto de circuitos integrados, os softwares de gestão de recursos distribuídos?
154 Q413665
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Quais são os arquivos de inicialização utilizados pelo “Design Framework II” fornecido pela Cadence e principal ferramenta utilizada no projeto de circuitos analógicos Virtuoso?
155 Q413660
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
O que é um Vault, o que é uma VOB e o que é um repositório dentro do contexto das ferramentas de controle de versão utilizadas para o projeto de circuitos integrados?
156 Q413658
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Quais são as principais aplicações das ferramentas de controle de versão no contexto do projeto de circuitos integrados?
157 Q413656
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Quais são as principais ferramentas de controle de versão que possuem integração completa com as ferramentas Cadence utilizadas para o projeto de circuitos analógicos de modo nativo?
158 Q413655
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Qual das alternativas abaixo melhor ilustra o procedimento genérico de instalação de um PDK?
159 Q413653
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
O que é e quais são os componentes principais em geral disponibilizados por um PDK?
160 Q413650
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Dentre os conjuntos de ferramentas de EDA/CAD abaixo, quais utilizam TCL como linguagem para sua automação e personalização?
161 Q413648
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Qual a alternativa que melhor descreve as diferenças fundamentais entre o fluxo de projeto bottom-up e top-down e sua relação com as ferramentas de EDA/CAD?
162 Q413644
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Qual das alternativas abaixo melhor ilustra as etapas básicas do fluxo de projeto analógico, em sua ordem cronológica, considerando a interdependência entre as etapas e as respectivas ferramentas de EDA utilizadas?
163 Q413602
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Quais as cargas encontradas na estrutura de porta MOS e qual medida as identifica?
164 Q413576
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Para simular o valor de transcondutância de um determinado transistor nMOS, polarizado na região tríodo para tensão entre fonte e dreno de 100 mV, que parâmetros são necessários?
165 Q413530
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Para processos tipo RIE de corrosão de Si em descargas assimétricas, qual dos eletrodos é utilizado para fixar a lâmina?
166 Q412459
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)
167 Q412447
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)
168 Q412441
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)
169 Q412440
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)
170 Q412434
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)
Para gerar o traço horizontal de varredura na tela de um osciloscópio analógico, aplica-se, sobre as placas defletoras horizontais, uma forma de onda de tensão periódica, cujo esboço é
171 Q412406
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)
172 Q412393
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)
Um conversor analógico-digital de 8 bits, com faixa de entrada de 0 a 10 V, foi utilizado em conjunto com uma célula de carga, cuja saída varia linearmente entre 0 e 5 V para uma faixa de carga compreendida entre 0 e 1.000 N. Qual é, aproximadamente, a resolução desse sistema?
173 Q412391
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)
174 Q412279
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)
175 Q412277
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)
Ao se utilizar o amperímetro para medir correntes contínuas, caso o valor da medida possa ultrapassar a capacidade do instrumento, deve-se fazer uso de resistências auxiliares com o objetivo de ampliar tal capacidade. Dispõe-se de um amperímetro (escala de 0 a 10) com resistência interna igual a 36 ohms, com o qual se devem medir correntes da ordem de 100 A. O valor da resistência (em ohms) a ser ligada ao instrumento, nesse caso, é
176 Q412249
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)
177 Q408300
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Assinale a alternativa incorreta sobre DRC e/ou LVS.
178 Q408298
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
O consumo de potência é uma parte critica no projeto de SoC (System-on-a-Chip), sendo um dos requisitos mais importantes de um chip. Sobre o consumo de potência, é correto afirmar o seguinte:
179 Q408271
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”) com 100 nm de comprimento tem espessura de óxido na porta de 40 Å. A capacitância linear medida na largura da porta é igual a: (considere a permissividade do vácuo ε0 = 8,85 x 10-12 F/m e a permissividade relativa do óxido εox = 4)
180 Q408269
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Seja um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”) com contatos de tamanho unitário em um processo de 0,6 μm. Considere as características do transistor: capacitância de junção = 15 fF/μm2; coeficiente de gradação de junção = 0,5; distribuição periférica de capacitância = 5 fF/μm; coeficiente de gradação periférica de junção = 0,5 e potencial elétrico intrínseco à temperatura ambiente = 1 V. Assuma, ainda, que o substrato esteja aterrado e que a tensão de polarização no dreno seja VDD = 8 V. A partir das informações apresentadas, pode-se afirmar que a capacitância parasita de difusão no dreno do transistor é igual a
181 Q408264
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Considere a operação do software Virtuoso Layout Editor a partir da tela de edição de layouts propriamente dita. Deseja-se iniciar o desenho do layout de um inversor CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar) pelo desenho de um transistor PMOS. Para tal, o usuário deve acessar a opção “Create” do menu, na qual estão disponíveis algumas opções, EXCETO:
182 Q408262
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Considere a operação do software Virtuoso Schematic Composer a partir da visualização de uma célula padrão de alto nível. Para se visualizarem os níveis mais baixos da hierarquia do esquemático, o usuário deve selecionar as opções:
183 Q408254
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Seja um estágio de saída classe B que fornece 40,5 W para uma carga de 9 Ω. Sabe-se que a tensão provida pela fonte de alimentação possui valor igual à tensão de pico de saída a fim de evitar a saturação dos transistores do circuito. Pode-se afirmar que o rendimento da conversão de potência e a potência máxima dissipada em cada transistor para operação segura são, respectivamente, iguais a (utilize π = 3 nos cálculos)
184 Q408252
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Considere um estágio de saída de potência com ganho unitário, tensão do sinal de saída VS = 5 V e nível médio de ruído na saída Vn = 0,5 V. Suponha que esse estágio de potência seja precedido por um estágio para pequenos sinais com ganho de 100 e que seja aplicada uma malha de realimentação com fator β unitário. Caso VS e Vn permaneçam inalterados com a realimentação, verificar-se-á que a variação na relação sinal-ruído da tensão de saída do estágio de potência será de
185 Q759856
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)



186 Q418580
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A respeito de equipamentos usados em medidas elétricas, julgue os itens seguintes.

Um ohmímetro é, geralmente, um dispositivo passivo que pode funcionar sem bateria ou outra fonte de energia.

187 Q418579
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A respeito de equipamentos usados em medidas elétricas, julgue os itens seguintes.

Um amperímetro deve apresentar, quando em uso, uma pequena diferença de tensão elétrica entre seus terminais.

188 Q418578
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A respeito de equipamentos usados em medidas elétricas, julgue os itens seguintes.

Um voltímetro deve apresentar uma alta impedância de entrada para que, ao ser usado em uma medição, a corrente elétrica desviada através dele seja a menor possível.

189 Q418577
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A respeito de equipamentos usados em medidas elétricas, julgue os itens seguintes.

Para medir a tensão elétrica em um resistor, pode-se usar um voltímetro, o qual deve ser conectado em série com o resistor.

190 Q418576
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

A respeito de equipamentos usados em medidas elétricas, julgue os itens seguintes.

Em um galvanômetro de bobina móvel, uma bobina é montada em um eixo móvel e instalada entre os pólos de um ímã fixo. O fluxo de corrente elétrica pela bobina gera um campo magnético que faz a bobina girar, movendo um ponteiro. O movimento do ponteiro é proporcional à corrente elétrica que percorre a bobina.

191 Q418575
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Julgue os itens que se seguem, referentes à eletrônica industrial.

O tiristor é um dispositivo constituído de três camadas semicondutoras, na sequência p-n-p ou n-p-n, projetado para ser usado em regime chaveado.

192 Q418574
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Julgue os itens que se seguem, referentes à eletrônica industrial.

Fator de potência é a relação entre a potência ativa e a potência aparente consumidas por um dispositivo ou equipamento.

193 Q418573
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Julgue os itens que se seguem, referentes à eletrônica industrial.

Um TRIAC é um componente eletrônico que equivale a dois retificadores controlados de silício (silicon controlled rectifier – SCR) ligados em antiparalelo e com seus terminais de disparo conectados, resultando em uma chave eletrônica bidirecional que pode conduzir a corrente elétrica nos dois sentidos.

194 Q418572
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

Uma fonte de tensão de 100 V de corrente contínua está diretamente conectada nos terminais de um resistor, que dissipa uma potência de 1500 W. Suponha que a fonte de tensão de corrente contínua seja substituída por uma fonte de tensão de corrente alternada senoidal, e que, nessas condições, seja mantida a mesma potência dissipada pelo resistor. Qual deve ser, em volts, o valor eficaz da tensão nos terminais do resistor?

195 Q418571
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

A correção do fator de potência é uma forma de conservação de energia elétrica

PORQUE

A correção do fator de potência reduz as perdas no sistema de distribuição.

Analisando-se as afirmações acima, conclui-se que

196 Q418398
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

Dois diodos de silício, um resistor de 2 kΩ e uma bateria de 10 V estão ligados em série. Considerando a tensão de polarização dos diodos como 0,7 V, analise as afirmativas abaixo.

I - A tensão medida no resistor é de 8,6 V.

II - A tensão medida no resistor é de 10,0 V.

III - A corrente medida no circuito é de 4,3 mA.

IV - A corrente medida no circuito é de 5,0 mA.

São corretas APENAS as afirmativas

197 Q418397
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)
Qual a resolução de um multímetro de 5 1/2 dígitos na faixa de 200 V?
198 Q418396
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

O transformador de alimentação de um ramal urbano apresentou problemas de alta dissipação de potência no núcleo e foi retirado de uso para testes. Para medir essa perda por aquecimento em um ensaio, é necessário usar um

199 Q418395
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

Um medidor analógico, com precisão especificada em 2%, possui 100 divisões até o fundo de escala. Logo, o erro desse medidor equivale a quantas divisões?

200 Q418394
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

201 Q418393
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

202 Q418392
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

203 Q418391
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

204 Q418390
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

A escolha da escala de 100 V em um voltímetro analógico, para a realização de uma medida, significa que o(a)

205 Q418389
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

Um técnico efetuou o produto dos valores obtidos em duas medidas feitas sobre um circuito elétrico: uma de corrente em um amperímetro e a outra de tensão em um voltímetro, ambas efetuadas para medir a potência fornecida a uma mesma carga. Ele constatou que o resultado foi igual ao obtido na mesma experiência realizada com um wattímetro. A partir dessa situação, conclui-se que essa igualdade se verifica

206 Q418388
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

Um transformador trifásico de distribuição de 150 kVA, 13.800 / 220 V foi submetido a ensaios de curto-circuito e circuito aberto, cujos resultados foram:

Ensaio a vazio (valores referidos ao lado de baixa):

• tensão de circuito aberto: 220 V

• corrente de circuito aberto = 22 A

• potência de circuito aberto = 400 W

Ensaio de curto-circuito (valores referidos ao lado de alta):

• tensão de curto-circuito: 400 V

• corrente de curto-circuito = 80 A

• potência de curto-circuito = 2.500 W

A partir dessas informações fornecidas, o valor aproximado, em ohms, da resistência equ...

207 Q418387
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: MAKIYAMA

Ao fazer um reparo em um aparelho eletrônico, um eletricista constatou que necessita associar os cinco resistores abaixo em serie, desta forma a resistência total será de:

208 Q418386
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: MAKIYAMA

O valor de resistência de um resistor de 4 anéis coloridos, onde o primeiro anel é vermelho, o segundo marrom, o terceiro preto e o quarto ouro é de:

209 Q418385
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: MAKIYAMA

Qual o valor da resistência elétrica de um circuito onde circula 2 A, com uma carga de 60 W?

210 Q418384
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: MAKIYAMA

Na rede de alimentação acima, cuja tensão entre L1 e N é de 127 V, qual o valor da tensão entre L1 e L2?

211 Q418383
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: MAKIYAMA

Com relação à nomenclatura utilizada em multímetros, analise as proposições a seguir:

1. DCV: escala de medição de tensão contínua.

2. COM: borne de ligação onde se conecta a ponta de prova preta do multímetro.

3. ACA: escala de medição de tensão alternada.

4. DCA: escala de medição de corrente contínua.

5. ACV: escala de medição de corrente alternada.

Estão corretas, apenas, as proposições:

212 Q418382
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: MAKIYAMA

Um eletricista verifica com um voltímetro que o valor eficaz da tensão de uma fonte é de 127 VCA. O valor da tensão de pico correspondente é de:

213 Q418381
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: MAKIYAMA

Em relação à utilização de multímetros, avalie as afirmativas abaixo:

1. Para se medir a corrente elétrica em um componente eletrônico deve-se, antes, desligar o circuito.

2. Para se medir a tensão elétrica de uma fonte de tensão contínua, deve-se encostar a ponta de prova vermelha do multímetro ao terminal negativo da fonte.

3. A d.d.p. elétrica de uma fonte de tensão deve ser medida com o multímetro ligado em paralelo com os terminais dela.

4. A resistência elétrica de um resistor deve ser medida aplicando-se o multímetro, na escala de resistência, aos seus terminais.

5. O amperímetro deve ser ligado em paralelo com os componentes do circuito.

...
214 Q418380
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: MAKIYAMA

Pode-se afirmar que 2,1 mW é o mesmo que:

215 Q418379
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

216 Q418378
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

217 Q418377
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

218 Q418376
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

219 Q418375
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

O valor inicial, em t = 0, do sinal de saída desse sistema, quando se aplica um impulso unitário na entrada, é

220 Q418374
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

Para uma entrada degrau unitário, a saída desse sistema atinge a condição de regime permanente num tempo aproximadamente igual a

221 Q418373
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Fundação CESGRANRIO (CESGRANRIO)

O valor da resposta em regime permanente desse sistema, para uma entrada tipo degrau unitário, é

222 Q418372
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)
Analise o circuito abaixo.

O valor da corrente I é igual a

223 Q418371
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Um cabo coaxial com impedância característica igual a 75 Ω tem indutância de 0,225 μH/m. Sua capacitância por metro vale

224 Q418370
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

As regiões I, II e III estão corretamente associadas em:

225 Q418369
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Fundação Carlos Chagas (FCC)

Um amplificador tem impedância de saída igual a 8 Ω. Obtém-se casamento de impedâncias conectando em sua saída

226 Q418368
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Acerca de componentes e circuitos elétricos e eletrônicos, julgue os próximos itens.

A corrente necessária para alimentar um equipamento pode ser determinada conectando-se um amperímetro em paralelo com os terminais do equipamento.

227 Q418367
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Acerca de componentes e circuitos elétricos e eletrônicos, julgue os próximos itens.

Um transformador de potência abaixador cujo lado de alta tensão esteja no primário deve possuir indutância primária elevada, pois, quanto maior for essa indutância, menor será a corrente, quando não houver carga conectada ao transformador, e, consequentemente, menor será a perda no transformador.

228 Q418366
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Acerca de componentes e circuitos elétricos e eletrônicos, julgue os próximos itens.

São componentes ativos em um circuito: resistências, capacitores, indutores e relés.

229 Q418365
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Acerca de componentes e circuitos elétricos e eletrônicos, julgue os próximos itens.

Os diodos retificadores para pequenos sinais ou para alta potência usam a propriedade da junção pn para conduzir correntes em apenas uma direção.

230 Q418364
Engenharia Elétrica
Ano: 2011
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Julgue os itens subsequentes, relativos a instrumentos de medição.

Não é possível avaliar a frequência de um sinal elétrico senoidal utilizando-se como instrumento de medida um osciloscópio.