2841 Q486767
Física
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Tendo como referência as informações e o circuito acima, e considerando desprezíveis as resistências elétricas dos fios que conectam os elementos desse circuito, julgue os itens a seguir.

A soma algébrica das variações de potencial elétrico encontradas ao longo do percurso completo, no circuito fechado, é maior que zero.
2842 Q486765
Física
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Tendo como referência as informações e o circuito acima, e considerando desprezíveis as resistências elétricas dos fios que conectam os elementos desse circuito, julgue os itens a seguir.

O referido sentido de percurso opõe-se ao sentido da corrente elétrica no circuito fechado.
2843 Q486763
Física
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Tendo como referência as informações e o circuito acima, e considerando desprezíveis as resistências elétricas dos fios que conectam os elementos desse circuito, julgue os itens a seguir.

O referido circuito elétrico está corretamente representado no seguinte esquema.

2844 Q486761
Física
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Com base na figura e nas informações apresentadas, julgue os itens seguintes.

2845 Q486759
Física
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Com base na figura e nas informações apresentadas, julgue os itens seguintes.

A energia mecânica total desse oscilador harmônico simples, quando em movimento, é inversamente proporcional ao quadrado da amplitude A.
2846 Q486757
Física
Ano: 2012
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Com base na figura e nas informações apresentadas, julgue os itens seguintes.

A velocidade máxima do átomo de hidrogênio — vmax — é tal que
2847 Q485770
Física
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Processos de Sputtering têm várias aplicações na produção de circuitos integrados. Considere o processo que envolve as etapas abaixo.

I – Emissão de um feixe de íons.

II – Íons se chocam contra o alvo, provocando o arrancamento de átomos do alvo.

III – Os átomos ejetados são termodinamicamente instáveis e depositam-se sobre as paredes da câmara e sobre o substrato.

IV – Os átomos recobrem o substrato com um filme fino.

O processo acima descrito corresponde a
2848 Q485768
Física
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Assinale a opção que apresenta a vantagem em utilizar silicetos de metais refratários para contatos.
2849 Q485766
Física
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Considerando as duas principais aplicações dos silicetos - porta em transistores MOS e como metal de contato sobre as regiões de fonte e dreno desses transistores - a escolha do siliceto para estas utilizações requer a observação do seguinte requisito:
2850 Q485764
Física
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Com relação aos silicetos em contatos, pode-se afirmar que