401 Q480485
Física
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

A mobilidade dos portadores pode ser determinada por medida Hall, em que o movimento dos portadores através da amostra é alterado pela força de Lorentz devido a um campo elétrico aplicado.

402 Q480483
Física
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Julgue os itens subseqüentes, relacionados à remoção de camadas de metais, isolantes e semicondutores.

A técnica de remoção de camadas por fotolitografia consiste basicamente em: oxidação da superfície da amostra; aplicação de fotorresiste sobre a camada de óxido; colocação de máscara sobre o fotorresiste e exposição à luz ultravioleta; e remoção do fotorresiste exposto à luz ultravioleta.

403 Q480481
Física
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Julgue os itens subseqüentes, relacionados à remoção de camadas de metais, isolantes e semicondutores.

A litografia por feixe de íons focados e o ataque químico seco podem ser acoplados diretamente à câmara de crescimento do sistema de epitaxia por feixe molecular, a fim de reduzir a grande densidade de defeitos na interface durante um recrescimento convencional.

404 Q480479
Física
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Acerca da caracterização óptica e química de semicondutores, julgue os próximos itens.

A composição química e estrutural de materiais orgânicos ou inorgânicos pode ser determinada por medidas Raman.

405 Q480477
Física
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Acerca da caracterização óptica e química de semicondutores, julgue os próximos itens.

Um sistema para medidas de fotoluminescência deve consistir basicamente de: fonte de excitação, criostato com temperatura variável com prendedor de amostra acoplado, espectrômetro de varredura de alta resolução e sistema de detecção.

406 Q480475
Física
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Acerca da caracterização óptica e química de semicondutores, julgue os próximos itens.

Fotoluminescência é uma poderosa ferramenta para a caracterização óptica de materiais semicondutores. Utilizando-a, é possível obter-se características de materiais semicondutores, tais como valor da energia da banda proibida, impurezas não-intencionais durante o crescimento do semicondutor e transições entre diferentes níveis de energia.

407 Q480473
Física
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Acerca da caracterização óptica e química de semicondutores, julgue os próximos itens.

O processo de luminescência é chamado de: fotoluminescência, quando o par elétron-buraco é gerado a partir da injeção de fótons; eletroluminescência, quando o par elétron-buraco é gerado por elétrons energéticos.

408 Q480471
Física
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.

A adsorção química é realizada por meio de interações de Van der Waals e não forma ligação química.

409 Q480469
Física
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.

São exemplos de processos de deposição por vapor físico: sublimação, epitaxia por feixe molecular, sputtering e epitaxia por fase vapor.

410 Q480467
Física
Ano: 2008
Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.

O fato de ânions e cátions possuírem diferentes dinâmicas de adsorção sobre o mesmo substrato é devido à temperatura do mesmo.